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宜普：氮化??将取代650伏特以下MOFEST市场 市场规模约数十亿美元 (2023.09.04)
随着氮化?? （GaN）技术在各产业中扮演起重要的角色，中国政府已积极透过资助计画、研发补助以及激励政策等方式来支持氮化??技术在中国的发展。此外，中国近年来出现了许多专注於研发氮化??的公司，并且包括复旦大学、南京大学、浙江大学及中国科学院等大学或研究机构也积极地投入氮化??相关领域的研究及发展 |
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ST：以全面解决方案 为工业市场激发智慧并永续创新 (2023.07.17)
意法半导体透过2023年工业巡??论坛，更进一步在不同城市，为不同客户延伸和展现工业解决方案、技术和产品。 透过「激发智慧 永续创新」的主轴，与会者能透过各种技术和产品以及解决方案的介绍，亲身体验前沿技术和激发智慧的应用 |
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Tektronix发布双脉冲测试解决方案 加速SiC和GaN验证时间 (2023.06.08)
Tektronix今日宣布推出新版双脉冲测试解决方案（WBG-DPT解决方案）。各种新型的宽能隙切换装置正不断推动电动汽车、太阳能和工业控制等领域快速发展，Tektronix WBG-DPT解决方案能够对SiC和GaN MOSFET等宽能隙装置提供自动化、可重复和高准确的量测 |
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纬湃科技和安森美签署碳化矽长期供应协定 同意投资於碳化矽扩产 (2023.06.01)
纬湃科技（Vitesco Technologies）和安森美（onsemi）宣布了一项价值19亿美元（17.5亿欧元）的碳化矽（SiC）产品10年期供应协定，以实现纬湃科技在电气化技术方面的提升。纬湃科技是国际领先的现代驱动技术和电气化解决方案制造商，将向安森美提供2 |
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德州仪器m3携手光宝科技以GaN技术及即时微控制 MCU打造高效能伺服器电源供应器 (2023.03.02)
德州仪器（TI）宣布携手光宝科技（光宝）正式在北美市场推出搭载 TI 高整合式氮化??（GaN、Gallium nitride）与 C2000TM 即时微控制器（MCU）的商用化伺服器电源供应器（PSU） |
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安森美与大众汽车集团就电动车SiC技术达成策略协议 (2023.01.31)
安森美（onsemi）宣布与德国大众汽车集团 (VW)签署策略协定，为大众汽车集团的下一代平台系列提供模组和半导体元件，以实现完整的电动汽车 (EV) 主驱逆变器解决方案。安森美所提供的半导体将作为整体系统最隹化的一部分，形成能够支援大众车型前轴和後轴主驱逆变器的解决方案 |
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德州仪器新任总裁兼执行长Haviv Ilan将於四月走马上任 (2023.01.30)
德州仪器 （TI） 表示，董事会已遴选 Haviv Ilan 担任公司新任总裁兼执行长 （CEO），此次人事异动案自 4 月 1 日起生效。在 TI 服务 24 年的 Ilan 将接替现任总裁兼执行长 Rich Templeton，而 Templeton 将在未来两个月内卸任上述职务，并持续担任公司董事长 |
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立??科技与宜普电源转换合作推出小型化140W快充解决方案 (2023.01.18)
宜普电源转换公司（EPC）和立??科技（Richtek）?手推出新型快充叁考设计，使用RT6190降压-升压控制器和氮化??场效应电晶体EPC2204，可实现超过98%的效率。
宜普电源转换公司和立??科技宣布推出4开关双向降压-升压控制器叁考设计，可将12 V~24 V的输入电压转换?5 V~20 V的稳压输出电压，并提供高达5 A的连续电流和6.5 A的最大电流 |
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重视汽车应用市场 ST持续加速碳化矽扩产 (2023.01.18)
汽车是ST非常重视的市场之一，2022年车用和离散元件产品部（ADG）占了ST总营收的30%以上。车用和离散元件产品部拥有意法半导体大部分的车用产品，非常全面性的产品组合能够支援汽车的所有应用 |
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安森美的EliteSiC碳化矽系列方案提供更高能效 (2023.01.04)
安森美(onsemi)宣布将其碳化矽(SiC)系列命名为「EliteSiC」。在CES上，安森美展示EliteSiC 系列的3款新成员：一款1700 V EliteSiC MOSFET和两款1700 V雪崩EliteSiC肖特基二极体。这些新的器件为能源基础设施和工业驱动应用提供可靠、高能效的性能 |
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ROHM第4代SiC MOSFET成功导入日立安斯泰莫电动车逆变器 (2022.12.20)
ROHM第4代SiC MOSFET和闸极驱动器IC已被日本知名汽车零件制造商日立安斯泰莫株式会社（以下简称日立安斯泰莫）使用於电动车（以下简称EV）逆变器。
在全球实现减碳社会的过程中，汽车的电动化进程持续加速，在此背景下，开发更高效、更小型、更轻量的电动动力总成系统已经成为必经之路 |
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Transphorm按功率段发布氮化??功率管可靠性评估资料 (2022.12.16)
Transphorm发布了针对其氮化??功率管的最新可靠性评估资料。评估可靠性使用的失效率（FIT）是分析客户现场应用中失效的器件数。迄今为止，基於超过850亿小时的现场应用资料，该公司全系列产品的平均失效率(FIT)小於0.1 |
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德州仪器与群光电能合作 将GaN解决方案导入节能笔电电源供应器 (2022.12.14)
德州仪器（TI）宣布与群光电能（群电）於其最新款 65W 笔电电源供应器「Le Petit」中导入 TI 高整合式氮化??（GaN、Gallium nitride）解决方案。搭载 TI 的整合式闸极驱动器 LMG2610 半桥 GaN FET，群电与 TI 成功缩小电源供应器体积达 1/2 ，并提升电源转换效率至高达 94% |
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意法半导体与Soitec携手开发SiC基板制造技术 (2022.12.08)
意法半导体（STMicroelectronics，ST）与半导体材料设计制造公司Soitec宣布下一阶段的碳化矽（Silicon Carbide，SiC）基板合作计画，意法半导体准备於18个月内完成Soitec碳化矽基板技术产前认证测试 |
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Cambridge GaN Devices 融资扩大功率半导体装置市场 (2022.11.22)
无晶圆厂半导体公司Cambridge GaN Devices（CGD），於2016年从英国剑桥大学工程系着名的功率装置集团分割出来，已募集1900万美元的Series B资金。此投资案由Parkwalk Advisors和BGF领投，另有IQ Capital、CIC、Foresight Williams Technology 和 Martlet Capital 跟投 |
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TI：提高功率密度 有效管理系统散热问题 (2022.10.21)
几??各种应用的半导体数量都在加倍增加，电子工程师面临的许多设计挑战都与更高功率密度的需求息息相关。
·超大规模资料中心：机架式伺服器使用大量的电力，这对於想要因应持续成长需求的公用事业公司和电力工程师构成一大挑战 |
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意法半导体将於义大利兴建整合式碳化矽基板制造厂 (2022.10.06)
意法半导体（STMicroelectronics；ST）将於义大利兴建一座整合式碳化矽（Silicon Carbide；SiC）基板制造厂，以支援意法半导体客户对汽车及工业用碳化矽元件与日俱增的需求，协助其迈向电气化并追求更高效率 |
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西门子与联华电子合作开发3D IC hybrid-bonding流程 (2022.09.30)
西门子数位化工业软体近日与联华电子（UMC）合作，为联华电子的晶圆对晶圆堆叠（wafer-on-wafer）及晶片对晶圆堆叠（chip-on-wafer）技术提供新的多晶片 3D IC 规划、组装验证，以及寄生叁数萃取（PEX）工作流程 |
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安森美在捷克共和国扩建碳化矽工厂 (2022.09.22)
安森美(onsemi)，厌祝其在捷克共和国Roznov扩建的碳化矽「SiC」工厂的落成。以工业和贸易部科长Zbyn?k Pokorny、兹林州州长Radim Holi?和市长Ji?i Pavlica以及其他当地政要为首的多位嘉宾出席了剪彩仪式，突显此事件和半导体制造在捷克共和国的重要性 |
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TI：氮化??电源管理设计将被加速采用 (2022.09.15)
随着全球技术不断升级，电源设计人员对功率密度和系统级效率的关注也随之提高，从而带动更高效的宽能隙功率半导体应用由以往的资料中心扩展至测试和测量、储能系统 (ESS) 及消费性电子等应用领域 |
