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世迈推出高容量NVDIMM 支援DDR4高汇流排频率 (2020.11.26)
专业记忆体与储存解决方案品牌世迈科技（SMART Modular）宣布推出高容量16GB与32GB非挥发性双列直??式记忆体模组（NVDIMMs），可支援DDR4-3200高汇流排频率。
此新品结合美光科技（Micron）先进的DDR4记忆体技术与世迈科技的高速PCB设计，可大幅增进讯号传输的完整性，在支援DDR4的最高速率下也能有效节省设计成本 |
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非挥发性记忆体暂存器：新一代数位温度感测器安全性和可靠性大跃进 (2019.11.15)
本文介绍数位输出（I2C协定）温度感测器中包含的内部用户可程式化设定的暂存器，以及如何使用内建非挥发性记忆体暂存器的数位温度感测器应对这一领域常见的设计挑战 |
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富士通针对汽车及工业控制应用推出全新FRAM解决方案 (2017.06.05)
富士通针对汽车及工业控制应用推出全新FRAM解决方案...
香港商富士通亚太电子有限公司台湾分公司推出全新FRAM (铁电随机存取记忆体) 解决方案MB85RS128TY 与MB85RS256TY，此为全新产品系列元件，可在高达摄氏125度高温环境下运作，且符合北美汽车产业AEC Q100验证规范，专为汽车产业及安装有电机的工业控制机械等设计 |
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并购Enpirion有成 Altera让电源设计有更多想象 (2015.03.12)
FPGA大厂Altera在两年前并购了电源芯片供货商Enpirion后，便致力于FPGA系统整体电源设计的优化，尽管过去FPGA本身的发展本就在降低功耗与提升效能上有相当多的努力，但Altera此举，无疑是希望在功耗表现上能更加出色 |
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智能工厂效益全面提升 就看FRAM (2014.10.21)
物联网的话题相当火热，除了MCU与网通芯片等业者纷纷大举进军的当下，其储存组件也是相当重要的环结，其中富士通半导体以FRAM（铁电随机存取内存）投入物联网应用，有着不少的着墨 |
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富士通半导体推出全新4 Mbit FRAM产品 (2013.11.15)
富士通半导体有限公司台湾分公司宣布推出全新具有SRAM兼容型并列接口的4 Mbit FRAM芯片MB85R4M2T。MB85R4M2T采用44-pinTSOP封装并且与标准低功耗SRAM兼容，因此能够在工业机械、办公自动化设备、医疗设备以及其他设备等应用中，取代原有具备高速数据写入功能的SRAM |
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力旺嵌入式非挥发性内存已完成可靠度验证 (2011.07.18)
力旺电子（ememory）于日前宣布，其单次可程序内存NeoBit技术，已顺利于台积公司80奈米高电压制程完成可靠度验证，并已成功导入客户之高画质显示驱动芯片，将应用于下一世代智能型手机 |
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力旺Neobit技术率先导入于车规 IC制程平台 (2010.07.28)
嵌入式非挥发性内存厂商力旺电子宣布，其Neobit技术已率先导入于0.25微米车规IC制程平台，并已于2010年Q2完成可靠度验证，成功自工规领域迈进车规市场，未来更将强化与晶圆代工伙伴间之策略联盟，持续开发先进高阶制程之OTP技术，期能针对规格要求严格之汽车电子产业客户，提供更稳固可靠的嵌入式非挥发性内存技术及制程平台导入 |
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Kilopass一次性可编程内存完成TSMC认证 (2010.04.07)
Kilopass Technology于日前宣布，该公司的XPM嵌入式一次性可编程非挥发性内存技术，已在TSMC™ 40nm及45nm低功率制程技术中，完成TSMC IP-9000 Level 4认证与偏差鉴定。此外，Kilopass 40/45nm一次性可编程技术的早期采用客户，已成功完成设计定案 |
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力旺与韩商美格纳合作建构0.11um之NVM制程平台 (2010.03.11)
力旺电子（eMemory）与韩商美格纳（MagnaChip）昨日（3/10）宣布，由力旺电子开发之Neobit嵌入式非挥发性内存技术，已建构于美格纳0.11um 高压先进制程平台，并将于2010年Q1进入量产 |
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针对奈米电子时代的非挥发性内存 (2010.02.02)
目前主流的基于浮闸闪存技术的非挥发性内存（NVM）技术有望成为未来几年的参考技术。但是，闪存本身固有的技术和物理局限性使其很难再缩小技术节点。在这样的环境驱使下，业界试图运用新的材料和概念研发更好的内存技术，以替代闪存，并更有效地缩小内存，提高储存效能 |
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AgigA Tech推出免电池非挥发性RAM内存 (2009.06.30)
Cypress公司近日宣布旗下子公司AgigA Tech公司推出业界首款高速、高密度的非挥发性RAM内存系统。新款AGIGARAM非挥发系统（NVS）技术，带来介于4 megabytes（32 megabits）及2 gigabytes（16 gigabits）之密度，尖峰传输率足以媲美DRAM |
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Ramtron推出新款32Kb串行非挥发性RAM器件 (2009.06.30)
Ramtron宣布推出一款编号为 FM24CL32的串行非挥发性RAM器件，它可提供高速读/写的性能、低电压运作，以及出色的数据保持能力。FM24CL32是32Kb 的非挥发性内存，工作电压的范围为2.7V至3.6V，采用8脚的SOIC封装，采用双线 (I2C) 协议；并提供快速存取、无延迟 (NoDelay) 写入、几乎没有限制的读/写次数 (1E14) 及低功耗特性 |
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力旺及韩商合作逻辑制程嵌入式非挥发内存 (2008.09.12)
继本年度第一季，力旺电子与半导体制造厂商美格纳（MagnaChip）共同宣布，力旺电子开发之Neobit嵌入式非挥发性内存硅智财于MagnaChip逻辑及高压制程上进行验证，力旺电子与MagnaChip积极响应客户之需求，布局相关制程平台之开发，已展现具体成效 |
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ADI推出具极佳电阻容差的数字电位计系列 (2008.09.04)
ADI最新推出具有极佳电阻容差的数字电位计（digiPot）系列产品，使工业设备和仪器仪表的设计人员能够满足更严格的电阻匹配需求，从而提高系统准确度。在工业控制系统、医疗仪器以及其他需要精密增益调节和失调控制、电源校准或音量控制的设备中 |
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飞思卡尔成立新公司推动MRAM业务 (2008.06.11)
飞思卡尔半导体宣布，将与几个顶尖创投公司集资成立一间以MRAM(磁性随机存取内存)为主要产品的独立新公司。这间新公司名为EverSpin Technologies，将持续提供并扩充现有的独立MRAM产品线及相关磁性产品 |
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富士通采用力旺嵌入式非挥发性内存 (2008.05.28)
力旺电子宣布其与日商富士通微电子有限公司合作，富士通微电子采用力旺电子开发之Neobit嵌入式非挥发性内存硅智财，开发0.18微米高压及逻辑制程平台。富士通微电子藉此平台可提供更完整的专业晶圆代工制造服务 |
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Spansion完成对Saifun的收购 (2008.03.21)
Spansion与非挥发性内存（NVM）知识产权(IP)授权供货商Saifun宣布，Spansion根据双方分别于2007年10月8日和2007年12月12日签署的收购协议书及修正条款完成对Saifun的收购。
透过收购Saifun，Spansion得以拓展其产品线，快速实现进入技术授权的业务领域，大为增加Spansion的市场机会 |
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奇梦达与旺宏电子携手研发非挥发性内存技术 (2008.01.04)
奇梦达公司宣布与旺宏电子签定合约，共同研发非挥发性内存技术。这项五年的合作计划着重于开发多项新一代非挥发性内存技术；双方将分担开发成本，提供设计资源与专业技术 |
