 |
赋能未来，勇往直前：SiC MOSFET问世10周年的思索 (2021.04.20)
在SiC MOSFET问世10周年之际，作者回顾科锐公司十年历史所经历的关键时刻，并认为未来的发展会比过去曾经历的增长还要巨大，也为下一步即将增长的产业曲线提出卓见。 |
 |
意法半导体推出新一代车用数位音效功率放大器晶片 (2016.01.05)
意法半导体（STMicroelectronics；ST）扩大其在车用数位音效技术领域的优势，推出第二代车用数位音效功率放大器晶片，不仅可协助汽车音响系统厂商简化功率放大设计，更为驾乘及乘客带来更出色的听觉飨宴，而且音质不受车厢空间大小的影响 |
|
宜普电源推出全新增?型氮化镓功率电晶体 (2015.08.27)
宜普电源（EPC）推出EPC2039功率电晶体。该产品是一种具备高功率密度的增?型氮化镓（eGaN）功率电晶体，其尺寸只是1.82mm2、80 VDS、6.8 A及在闸极上施加5 V电压时的最大阻抗? 22 微欧姆 |
|
沟槽构造SiC-MOSFET可大幅降低导通电阻 (2015.08.14)
ROHM近日研发出采用沟槽结构的SiC-MOSFET，并已建立完备的量产体制。与量产中的平面型SiC-MOSFET相比，同一晶片尺寸的导通电阻可降低50%，这将大幅降低太阳能发电用功率调节器和工业设备用电源、工业用变流器等所有相关设备的功率损耗 |
|
宜普电源推出450 V增强型氮化镓功率晶体管 (2015.01.15)
具备４奈秒上升时间特性的450 V氮化镓场效应功率晶体管(eGaN FET)并适合于高频直流-直流转换器及医疗诊断仪器的应用。
宜普电源（EPC）推出450 V并通常处于关断状态的增?型功率晶体管（EPC2027），可用于需要高频开关的应用，从而实现更高的效率及功率密度 |
 |
报告: 2010年光电半导体销售将达195亿美元 (2009.04.09)
ICInsights日前公布了2009年光电、传感器及OSD组件的分析报告。报告中指出，虽然2008年下半年的经济情势严峻，但去年光电器件、MEMS加速计、CMOS影像传感器、功率晶体管和OSD组件的半导体销售仍然创新高纪录，达到了430亿美元 |
|
恩智浦半导体突破性提升LDMOS基地台功率效能 (2008.05.16)
恩智浦半导体(NXP Semiconductors)近日推出BLC7G22L（S）-130基地台功率晶体管，这是恩智浦应用第七代横向扩散金属氧化物半导体（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor；LDMOS）技术的首款产品，专为高功耗和Doherty放大器应用进行优化 |
|
英飞凌推出900 V的Superjunction MOSFET (2008.02.28)
英飞凌科技公布业界第一款900V的Superjunction（超级结）MOSFET，专门用于高效能SMPS（交换式电源供应）、工业及再生能源转换。英飞凌推出新型节能CoolMos 900V功率MOSFET家族，突破功率晶体管制造上的"硅限制"，提供使用标准型TO（晶体管管型）封装即具高电压设计的替代方案 |
当传输技术进入数字时代之后，用户及厂商对于数字显示的质量要求越来越注重，结合显示适配器硬件的数字显示接口标准，其发展进度因而更受到瞩目。
