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华虹半导体深耕FS IGBT 聚焦新能源汽车应用 (2016.07.21)
全球200mm纯晶圆代工厂─华虹半导体宣布，将充分利用在IGBT（绝缘?双极型晶体管）技术方面的优势，积极开拓新能源汽车市场，加速新能源汽车晶片国产化进程。
IGBT是新一代电能转换和控制的核心器件 |
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瑞萨电子第8代IGBT以超低功率损耗提升系统电源效率 (2016.06.14)
瑞萨电子(Renesas)推出六款第8代G8H系列绝缘闸双极电晶体(IGBT)新产品，可降低太阳能发电系统的功率调节器的转换损耗，以及降低不断电系统(UPS)的变频器应用。新推出的六款产品版本为650 V/40 A、50 A、75 A，以及1,250 V/25 A、40 A、75 A |
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锁定IGBT测试 明导帮客户找出更多问题 (2016.05.27)
随着模拟与验证成为EDA（电子设计自动化）市场的主流后，各家大厂除了在软体面外，也推出硬体产品来满足晶片业者们的需求。
然而，除了一般的矽制程的晶片外，像是IGBT（绝缘栅双极性电晶体）等功率晶片，也引起了EDA业者的注意，明导国际就其中一例 |
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Power Integrations的SCALE-Driver IC将SCALE-2驱动器技术引入1200 V应用 (2016.05.24)
为中高压变频器应用提供IGBT 和MOSFET 驱动器技术厂商Power Integrations（简称PI）宣布，推出输出电流范围在2.5 A 到8 A 之间的电化隔离式单通道闸极驱动器IC 系列，这是在不使用外部升压器时可达到的超高输出电流 |
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TI再推GaN元件 功率半导体市场波澜渐生 (2016.05.23)
谈到功率半导体市场，我们都知道英飞凌长年居于龙头地位，当然，在该市场中，TI（德州仪器）也一直以主要供应商自居，在电源管理领域不断推出新款的解决方案。
自去年三月，TI推出了以GaN（氮化镓）为基础的80V功率模组，而今年五月，更推出了高达600V的整合方案LMG3410，试图扩大在功率半导体市场的影响力 |
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意法半导体新一代智慧功率模组 可减少低功耗马达耗散功率 (2016.05.23)
意法半导体（STMicroelectronics；简称ST）进一步扩大智慧功率模组产品阵容，推出SLLIMM - nano新一代产品，增加了更高功率和封装选项，特别适用于对能效提升和成本降低有要求的应用 |
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英飞凌TRENCHSTOP Performance IGBT强化家电及工业应用的能源效率 (2016.05.13)
【德国慕尼黑讯】英飞凌科技（Infineon）发表新型 600 V TRENCHSTOP Performance IGBT，将能源效率推向全新境界。新款独立式 IGBT 不但具备优异的能源效率及稳定性，且价格极具竞争力，适合空调、太阳能变频器、马达驱动控制器及不断电系统（UPS）等应用 |
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英飞凌SiC MOSFET新技术 让功率转换设计效能再创高峰 (2016.05.11)
【德国慕尼黑讯】英飞凌科技（Infineon）推出革命性的 SiC (碳化矽) MOSFET 技术，让产品设计达到前所未有的功率密度和效能水平。英飞凌的 CoolSiC MOSFET在提升效率与频率上，提供更高的灵活度，协助功率转换配置的开发人员达到节省空间和重量、减少冷却需求、提升可靠性并缩减系统成本 |
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Diodes闸极驱动器可在半桥或全桥组态下开关功率MOSFET与IGBT (2016.03.14)
Diodes公司新推出的DGD21xx系列包括6款半桥式闸极驱动器及6款高/低侧600V闸极驱动器，可在半桥或全桥组态下轻易开关功率MOSFET与IGBT。目标应用包括大型家电的驱动马达、工业自动化系统以及电动自行车和无人驾驶飞机等以电池供电的运载工具 |
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Fairchild协助古瑞瓦特的太阳能逆变器实现高功效 (2016.01.07)
Fairchild宣布其650 V 场截止沟槽式IGBT应用于古瑞瓦特新能源公司最新一代太阳能逆变器中，该公司是家用与商用太阳能应用逆变器制造商。由于使用Fairchild的IGBT，古瑞瓦特将其新型5K-HF太阳能逆变器的功率密度，与之前型号相比提升了20% |
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盛群IGBT Driver IC─HT45B1S适合于电磁炉、微波炉等产品应用 (2015.12.23)
盛群（Holtek）推出HT45B1S IGBT Driver with LDO IC，应用于小家电电磁炉、微波炉等产品，与使用外接元件相比，使用HT45B1S可节省外部元件，减少PCB面积及加工成本，适合有驱动IGBT等产品应用 |
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Mouser率先备货英飞凌TRENCHSTOP 5系列的S5系列IGBT (2015.12.15)
Mouser Electronics为供应英飞凌TRENCHSTOP 5 S5绝缘栅双极电晶体(IGBT)的全球授权代理商。此超薄晶圆TRENCHSTOP 5系列中的全新系列产品具备1.60 VCE(sat)低典型饱和电压（于摄氏175度），即使在高温运作环境中亦可维持高效率 |
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瑞萨电子推出低功率损耗IGBT以提升空调电源效率 (2015.12.03)
瑞萨电子推出新款RJP65T54DPM-E0，它是适用于空调功率因数校正(PFC)电路的功率半导体装置，并采用中低阶空调广为使用的部分开关。
现代的空调必须符合高效率及开关噪音抑制标准 |
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英飞凌全新TRENCHSTOP 5 S5 IGBT提升PV与UPS应用效率 (2015.11.19)
【德国慕尼黑讯】英飞凌科技（Infineon）持续提升IGBT效能，推出全新S5（S 代表软切换）系列，采用超薄晶圆TRENCHSTOP 5 IGBT为基础，专为工业应用中的AC-DC 能源转换所开发，最高切换频率达40 kHz，适用于光电逆变器（PV）或不断电系统（UPS） |
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最小化半桥式马达控制应用中的IGBT击穿电流 (2015.09.21)
调节方法
预期效应
缺点
Rg_off ↓
较低的Vge冲击
增大关断dvce/dt和浪通电压
Rg_on ↑
低 dvce/dt e低Vge冲击
开关导通能 |
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英飞凌再度蝉联全球功率半导体市场宝座 (2015.09.18)
【德国慕尼黑讯】英飞凌科技（Infineon）连续十二年蝉联全球功率半导体市场领导者地位。继年初并购国际整流器公司（International Rectifier），英飞凌的市占率达到19.2%，稳居市场龙头地位（而根据美国市场研究机构IHS Inc.前一年的调查结果，两家公司于2013 年的市占率合计后约为17.5% )，领先最大竞争对手的幅度达7.0% |
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罗姆量产沟槽式SiC 导通电阻降低再下一城 (2015.08.14)
在全球功率半导体市场，SiC（碳化矽）元件的发展，一直是主要业者所十分在意的重点，理由在于它与传统的MOSFET或是IGBT元件相较，SiC可以同时兼顾高开关频率或高操作电压，反观MOSFET与IGBT只能各自顾及开关频率与操作电压，显然地SiC元件相对地较有技术优势 |
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意法半导体650V IGBT可大幅提升20kHz功率转换应用效能 (2015.07.23)
意法半导体（STMicroelectronics, ST）推出新款M系列650V IGBT，为电源设计人员提供一个更快捷且经济实惠的能效解决方案，适用于暖通空调系统（HVAC）马达驱动器、不间断电源、太阳能转换器以及所有硬开关（hard-switching）电路拓扑20kHz功率转换应用 |
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英飞凌推出整合IGBT 与二极体功能的单晶片 (2015.07.17)
（德国慕尼黑讯）英飞凌科技（Infineon）推出6.5 kV 功率模组，在单一晶片上整合IGBT 与飞轮二极体功能。新款RCDC（具备二极体控制功能的逆导IGBT）晶片，适合用于现代化高速火车与高效能牵引式机械、未来的HVDC 电力传输系统，以及石油、天然气与采矿等产业所使用的中电压马达 |
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Fairchild降低IGBT能量损失 协助工业及汽车行业增强效 (2015.06.15)
（美国加州讯）全球高效能电源半导体解决方案供货商Fairchild (快捷半导体) 在其第四代 650V 及 1200V IGBT 组件中降低能量损失达30％。 Fairchild 采用专为工业及汽车市场高/中速开关应用量身定制的全新设计方法，可提供工业效能以及极强的闩锁抗噪声能力，实现卓越的耐用性与可靠性 |
IETF是Internet Engineering Task Force (国际网络工程研究团队)是一个开放性的国际组织，其作用在于汇集网络设计师、网络操作员、网络厂商，以及研究人员共同研发改进网络的工程架构与建立起一个平稳的网络环境。
