 |
IDT成立开放式高效能分析暨运算实验室 (2015.07.29)
IDT公司成立开放式高效能分析暨运算（HPAC）实验室，提供企业及云端计算终端用户即时应用的需求，于CPU及加速器厂商掌握的异构处理技术经实验室支持，这些厂商使用IDT RapidIO及PCIe系列产品：互连式半导体、先进时脉及记忆体介面产品组合来连接自己的硬体元件 |
|
IDT新版可程式化时脉产生器支援多组PCIe Express输出 (2015.07.21)
IDT公司宣布扩充其VersaClock 5可程式化时脉产生器系列，其简化PCI Express的设计，提供VersaClock更具弹性的输出类型。高性能的VersaClock 5系列的独特低功耗HCSL（LP-HCSL）输出，藉由整合时脉产生器以及PCIe设计的解决方案，减少电路板空间和物料成本 |
 |
IDT低功耗PCI Express时序系列产品新增3.3 V PCIe时脉产生器 (2015.07.13)
IDT公司宣布以3.3V驱动且具有6对和8对输出的时脉产生器将加入现行的1.5V与1.8V低功耗PCI Express（PCIe）时序系列，这些新产品的功率大约为100mW，是功耗最低的3.3V PCIe时脉产生器 |
|
IDT推出石英晶体的可程序化频率产生器 (2015.06.02)
供应关键混合讯号半导体方案模拟与数字公司IDT推出新版VersaClock 5 可程序化频率产生器，其内建晶体设计使电子计时系统更简单更具成本效益。 5P49V5933及 5P49V5935提供了IDT VersaClock 5频率产生器创新的功能，同时藉由晶体整合达到减少电路版的空间及降低成本 |
|
IDT发表新一代可程序通用输出扇出缓冲器 (2015.04.29)
IDT公司发表5P11xx系列的新一代产品，做为低相位抖动的输出扇形缓冲器，在200 fsec的超低抖动下，提供高效能作业，预期可为工程师提供绝佳的设计环境。新产品的特性允许工程师在单一装置下 |
|
IDT发表新款低抖动LVCMOS频率缓冲器 (2015.04.02)
IDT公司发表一款低抖动的频率缓冲器产品，可以在小面积的高度整合环境中发挥优化效能。新产品是LVCMOS扇出缓冲器的5PB11xx系列，仅会产生小于50 fsec RMS的极低额外相位抖动（12 KHz至 20MHz） |
|
IDT最新无线充电接收器实现较快速充电 (2015.03.12)
IDT公司发表新款无线充电接收器，其特色是精简设计，可以执行较快速的充电，P9027的磁感应接收器可以提供80%的系统峰值效能，并有效改善散热功能，此一高效率的架构，可供充电作业的高效运作，缩短智能型手机及平板型手机充电时间 |
|
IDT发表平板及手机的无线充电芯片组 (2015.03.10)
IDT公司发表可供中等尺寸电子设备，包括手机及平板等，进行无线充电的芯片组，此款新产品兼容于Wireless Power Consortium（WPC）以中功率进行感应充电的规格与要求。新产品包括P9240发射器及P9022A的接收器 |
|
IDT发表能有效缩短开发时程的晶体振荡器 (2015.02.03)
IDT公司发表有关频率处理的两项新晶体振荡器 – IDT XU及XL，新产品展现的功能可说是完全站在客户的角度所研发的，其作业频率是16 kHz至1.5 GHz，仅带300 毫微微秒（fs RMS）相位抖动，可有效应用于HCMOS、LVPECL、LVDS及HCSL等输出 |
|
IDT达成销售300万个低功耗PCIe Gen3 Buffers产品里程碑 (2015.01.19)
IDT公司已销售出超过一亿个PCIe buffers产品，其中包括300万个低功耗的PCIe Gen3产品，也使得该公司在x86及ARM CPU阵营中的芯片供货商中，居于领先。
IDT的低功耗PCIe Gen3产品采用该公司长期研发及经过市场验证的低功耗HCSL（LP-HESL）技术 |
|
IDT无线充电晶片引入先进魔术盒子远端控制 (2015.01.16)
IDT公司发表新一代无线充电芯片已被4MOD公司采用制作新款魔术盒子（Cube）远程遥控，执行无线充电。来自法国的4MOD公司选择了IDT的磁性感应发射器及接收方案，开发符合WPC（Wireless Power Consortium）1.1 Qi规格的无线充电产品 |
|
IDT发表VersaClock 5系列新品提供高性价比抖动效能 (2014.12.19)
低功率可程式化时脉产生器可协助设计人员产生多种不同型态的输出，开发多样化应用
IDT公司发表VersaClock 5系列的六项新产品，其特色是可以在低功耗下，具备即时可程式能力的时脉产生器，可以做为多种应用设计所需的高度整合低成本解决方案，预期将成为业界中同型产品的先驱 |
|
IDT新款高效率无线电源发射器瞄准广大无线充电应用市场 (2014.12.02)
IDT公司推出采用磁感应技术的无线电源发射器，做为其崭新设计的下一代无线充电产品，由于新产品的高度整合性，预期采用此产品的开发作业，可大幅降低设计成本，又可保有灵活及易用等特性 |
 |
GLOBALPRESS矽谷参访报导（上） (2014.11.17)
在四月份的春季Euro Asia Press结束后,同样是在微凉的十月份,
主办单位Globalpress又举办了秋季Euro Asia Press,地点同样在矽谷,@中標:不过参与的半导体业者名单，就有相当大的不同了，
有别于先前仅是针对各厂商的独立报导，这次CTIMES尝试从不同技术@中標:或是应用领域的角度切入，来谈谈这次受邀业者们的市场策略 |
|
IDT推出高隔离性与线性射频开关 (2014.11.13)
IDT推出高隔离性与线性射频开关
IDT公司日前推出了F2912开关，此开关为半导体公司首次规划的新射频（RF）开关产品系列。F2912具有先进的低插入损耗、高隔离度及线性等整合特色，是在进行微波回载及前载、检测设备、有线电视头端，WiMAX射频、无线系统与一般开关应用基地台（2G、3G与4G）等工作时的最佳选择 |
|
新型IDT混频器降低失真 大幅节省电力消耗 (2014.11.12)
IDT公司发表一款新型低失真、低耗电的射频（RF）混频器，将降低失真的射频科技带入LTE与TDD系统，同时将耗电降至最低。最新加入IDT快速成长系列射频产品F1178，改善三阶截取点达8dB，并且与同级混频器相比降低耗电30% |
|
IDT拓展1.5V SoC友好型超低功率频率系列 (2014.11.04)
现今的电子产品求新求变，如何减少电路板空间和降低功耗打造下一代新电子产品是成功与否的关键。IDT公司已扩展系统级芯片（SoC）友好型PCI Express（PCIe）计时系列，增加了1.5V频率产生器和频率多任务器 |
|
IDT推出通过同步以太网稳定的IEEE时序及频率产生器 (2014.10.09)
IDT公司日前推出IEEE 1588时序及频率产生器芯片系列，可降低成本并满足长期演进技术升级版（LTE-Advanced）、无线回程和异构网络的同步需求。这些组件的独特架构和功能有完整的文件记录，可允许IEEE 1588软件设计工程师实现自己的频率再生算法，并通过客制化服务和快速往返支持为其客户加值 |
|
IDT与eSilicon合作开发新一代RapidIO交换器 (2014.07.15)
供应关键混合讯号半导体方案类比与数位公司IDT (Integrated Device Technology, Inc.)宣布与eSilicon公司建立一项合作关系，将加速新一代RapidIO交换器开发，以满足无线、嵌入式和运算基础设施新系统架构升高的效能需求 |
|
IDT推出支援新一代无线通讯的低功耗IQ调变器 (2014.06.17)
供应关键混合讯号半导体方案类比与数位公司IDT (Integrated Device Technology, Inc.)发表一款新的IQ调变器(IQ modulator)，为今日的无线产品提供业界最低功耗和最高线性度。新的IDTF1650直接与高效能双重数位类比转换器(DAC)建立介面，相较于竞争方案可以节省多达50%功耗并减少三阶互调失真(IM3 distortion)达12 dB |
IAB是Internet Activities Board的简称，意即美国网络广告组织，是一个专门管理与观察美国网络广告活动的一个机构。
