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欧洲微电子系统高整合及小型化之研究计划正式启动 (2010.08.17)
英飞凌科技（Infineon）于日前宣布，当前在欧洲的项目计划ESiP已经启动，ESiP为旨在研发高度整合电子系统级封装解决方案为主。共有来自欧洲九个国家总计40家微电子公司和研究机构参与该计划，共同致力于为使小型复合微电子系统更具可靠性和试验性 |
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英飞凌推出全新车用32bit微控制器 (2010.08.16)
英飞凌科技 (Infineon) 于日前宣布，推出全新 AUDO MAX 系列 32 位微控制器，适用于汽车传动系统及底盘应用。
AUDO MAX 系列产品支持引擎管理系统设计，符合 Euro 5 及 Euro 6 对燃油汽车废气排放标准的严格要求，同时还能为电动车的动力传动功能供应电气 |
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英飞凌推出加强型无线控制接收器系列产品 (2010.08.03)
英飞凌公司于日前宣布，推出三款加强型无线控制接收器系列产品，具备最高的灵敏度及低耗电量。TDA5240、TDA5235及 TDA5225提供涵盖全球的多频支持（315MHz、434MHz、868MHz 及 915MHz），极适用于各种车用产品，包括遥控车门开关（RKE）系统、胎压监控系统（TPMS）、远程启动、控制、状态及警报等功能 |
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德国DIANA项目研究开发汽车电子系统 (2010.07.30)
奥迪集团（AUDI AG）、开利耐特集团（Continental AG）、英飞凌（Infineon Technologies）及ZMD AG于日前共同宣布，研究提升汽车电子控制单元（ECU）之分析与诊断功能的方法。该研究计划将持续至2013年，由英飞凌担任主导，旨在让汽车制造商及维修厂能够更准确侦测错误，进而使故障维修更容易 |
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英特尔布局手机芯片 三星硬要当程咬金？ (2010.07.29)
英特尔（Intel）极力拓展手机芯片版图的大业，有可能杀出三星（Samsung）这个程咬金！根据彭博社（Bloomberg）援引花旗集团（Citigroup）分析师所透露的消息指出，三星有可能与英特尔共同竞争并购英飞凌（Infineon）的无线芯片部门！
先前7月初德国国营日报Die Welt的报导透露 |
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CEVA与英飞凌科技连手打造下一代无线平台 (2010.07.25)
CEVA与英飞凌科技（Infineon）公司于日前宣布，两家企业已经扩展其长期策略合作伙伴关系，在英飞凌未来的移动电话和调制解调器平台解决方案中，将使用双MAC、32位CEVA-TeakLite-III DSP核心 |
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Infineon推出节能型RF晶体管 具备可靠度ESD防护功能 (2010.07.13)
英飞凌（ESD）防护功能的新型RF晶体管，适用于高敏感度与耐用性的无线通信装置设计。此新型低噪声双极晶体管提供业界最佳的ESD防护功能，采用与前一代产品相同的封装方式，让升级变得轻松容易，超薄的封装还可节省板级空间 |
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Osram偕同英飞凌将节能LED灯引进斯里兰卡 (2010.07.09)
欧司朗光电半导体（Osram）于日前发布讯息，近期偕同英飞凌科技，由德商Diana Electronic Systems，透过与欧司朗合作伙伴网络LED Light for you的协助，为全球自然基金会，研发出一款在斯里兰卡使用的节能LED灯，当地渔民将在晚间捕鱼时使用这些 LED 灯，取代对环境有害的煤油灯 |
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真的是拆上瘾！ iPhone 4成本结构大曝光！ (2010.06.29)
看起来大家真的是拆上瘾了。iPhone 4正式问世没多久，各界就无所不用其极地把iPhone 4拆解开来，进行巨细靡遗的分析。不让专业拆解网站iFixit专美于前，市调研究机构iSuppli的拆解分析服务部门，也对于iPhone 4内部各个主要零组件的成本进行细致的推估 |
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英飞凌推出650V CoolMOS C6/E6高压晶体管 (2010.06.28)
英飞凌（Infineon）日前宣布推出全新650V CoolMOS C6/E6高效能场效晶体管（MOSFET），结合先进超接面（super junction）技术，低导通电阻以及降低电容切换损失之优势、简单易用的开关以及高度耐用的二极管 |
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Infineon开创硬件式安全性的新纪元 (2010.06.18)
英飞凌（Infineon）日前宣布旗下SLE 78安全控制器系列获得德国国家信息安全局（BSI）认证，获准应用于电子ID文件和芯片卡等领域，英飞凌所提供的高度安全性表现再度获得肯定 |
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英飞凌拟售无线芯片部门？ 3G实力不容小觑 (2010.06.18)
根据英国金融时报报导，德国芯片大厂英飞凌（Infineon）已经委托美国投资银行摩根大通（JPMorgan），为其无线通信芯片事业部门寻求适当买主。不过英飞凌拒绝对此事发展任何评论 |
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Infineon推出第二代碳化硅萧特基二极管 (2010.05.17)
英飞凌（Infineon）日前宣布推出采用TO-220 FullPAK封装的第二代碳化硅（SiC）萧特基二极管。全新的TO220 FullPak系列产品结合第二代ThinQ!碳化硅萧特基二极管的高效能电气标准以及完全绝缘的封装优势，无需使用绝缘套管及垫片，安装更容易、可靠度更高 |
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Infineon推出新High Speed 3 IGBT产品 突破切换与效率的限制 (2010.05.13)
英飞凌（Infineon）日前推出600 V及1200V第三代高速型IGBT High Speed 3产品系列，特别适用于高频率和硬式切换相关应用。这一系列的装置为降低切换损失以及极优异效率立下了新的标竿，可适用于高达 100 kHz的拓朴切换 |
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Infineon推出全新.XT技术 大幅延长IGBT模块的使用年限 (2010.05.12)
英飞凌（Infineon）日前在德国纽伦堡举办的PCIM Europe 2010展场（2010年5月4-6日），推出了创新 IGBT 内部封装技术，能大幅延长IGBT模块的使用年限。全新的.XT技术实现IGBT模块内所有内部接合的优化，以延长产品寿命 |
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Infineon发表具高功率密度与可靠性的新款IGBT模块 (2010.05.11)
在德国纽伦堡举行的PCIM Europe 2010（2010 年 5月 4-6 日）展览会上，英飞凌（Infineon）发表了具高功率密度与可靠性的新款IGBT模块：采PrimePACK 3封装，1700 V 、1400 A的PrimePACK模块，以及旗舰级EconoDUAL系列产品— 1200V、600 A的EconoDUAL 3模块 |
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意法半导体推出一款全新高性能功率封装 (2010.05.11)
意法半导体（ST）于日前宣布，推出一款高性能功率封装，这项新技术提高该公司最新的MDmesh V功率MOSFET技术的功率密度。
此高度1mm的新型表面黏着封装，将TO-220工业标准芯片尺寸置于面积仅8x8mm的无针脚封装内，并具备裸露的金属汲极接垫，可有效排除内部产生的高温 |
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英飞凌推出ThinPAK 8x8无铅SMD封装的高压MOSFET (2010.05.07)
飞凌日前宣布推出新型 ThinPAK 8x8 无铅 SMD 封装的高压 MOSFET。新型封装面积仅有 64mm² （小于 D2PAK 的 150mm²），且高度仅 1mm（低于 D2PAK 的 4.4mm），不但尺寸极小，又具备标准的低寄生电感，为设计人员提供一个全新且有效缩小系统方案尺寸的功率密度设计 |
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英飞凌与三菱电机携手共进全球电力电子产业 (2010.05.05)
英飞凌昨（4）日宣布与三菱电机株式会社双方已协议，将针对全球工业马达控制及驱动装置市场提供高阶IGBT模块封装—SmartPACK及SmartPIM。此创新的封装概念由英飞凌所开发，将应用于两家领导厂商最新一代的功率芯片技术 |
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Infineon与Fairchild达成Power MOSFET兼容性协议 (2010.04.26)
英飞凌科技和快捷半导体22日宣布，两家公司就采用提升其功率场效晶体管MLP 3x3（Power33）和PowerStage 3x3封装的功率MOSFET，达成封装合作伙伴协议。
该项兼容性的相关协议，在满足产品供应稳定的同时，也兼顾了直流对直流转换时的高效率和热性能的表现 |
