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力旺携手联电推出新兴非挥发记忆体ReRAM矽智财 (2021.11.04)
力旺电子与联电(UMC)今日宣布，力旺电子的可变电阻式记忆体（ReRAM）矽智财已成功通过联电40奈米认证，支援消费性与工业规格之应用。
力旺电子的ReRAM矽智财于联电40奈米制程验证成功，充分显示力旺不但在传统非挥发记忆体矽智财产品线稳居领先地位，也在新兴非挥发记忆体技术研发布局有成 |
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力旺携手熵码 与美国DARPA建立技术伙伴关系 (2021.06.09)
力旺电子今日宣布，已与美国国防高等研究计画署 (Defense Advanced Research Projects Agency，简称 DARPA) 签署合约共享安全矽智财解决方案，提升其半导体安全防护层级，以加快推进DARPA计画的技术创新 |
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Achronix采用力旺矽智财 实现FPGA硬体安全信任根 (2021.04.28)
力旺电子今日宣布，与FPGA矽智财商Achronix合作，开发高安全性之FPGA产品，抢攻半导体市场。
NeoFuse与NeoPUF矽智财可强化Achronix的产品组合，提供稳固的硬体安全信任根(hardware root of trust)基础，来确保元件以及FPGA的编程是可靠且被安全保护的 |
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力旺、鸨码携手联电 开发PUF应用安全嵌入式快闪记忆体 (2020.12.10)
力旺电子(eMemory)及其子公司鸨码科技(PUFsecurity)与晶圆大厂联华电子(UMC)今日宣布，三方成功共同开发全球首个PUF应用安全嵌入式快闪记忆体解决方案PUFflash。
鸨码科技的PUFflash结合三方技术强项，将力旺电子的NeoPUF导入联华电子55nm嵌入式快闪记忆体技术平台，为市场提供了安全嵌入式快闪记忆体解决方案 |
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力旺NeoMTP矽智财於台积0.18微米第三代BCD制程验证成功 (2020.03.16)
力旺电子今日宣布其嵌入式可多次编写(Multiple-Times Programmable，MTP)记忆体矽智财NeoMTP已成功於台积公司第三代0.18微米BCD (Bipolar-CMOS-DMOS)制程完成验证，提供IoT电源管理晶片(Power Management IC，PMIC) 客户极隹成本优势的NVM矽智财解决方案 |
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力旺电子携手Arm 共创物联网晶片安全生态系统 (2019.12.19)
力旺电子今日宣布与Arm合作，共同推出先进物联网晶片安全应用解决方案。
力旺电子提供其矽智材NeoFuse IP嵌入Arm CryptoIsland-300P 系列硬体中作为永久性的资料储存。Arm CryptoIsland-300P 系列解决方案能够从制造初期即建立其可靠性并延续至整个IC产品周期，全方位满足晶片设计制造生产流程之高层级安全需求 |
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力旺电子矽智财NeoFuse成功导入华邦25奈米DRAM制程平台 (2019.06.25)
力旺电子今日宣布其一次可编程(OTP)记忆体矽智财NeoFuse成功导入华邦电子25奈米DRAM制程平台，即将进入量产阶段，有助於客户在车用、工业、5G通讯等新的市场应用取得先机 |
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力旺二代MTP布局Dongbu Hitek BCD制程 专攻电源管理应用 (2018.08.07)
力旺电子宣布其第二代嵌入式可多次编写(Multiple-Times Programmable，MTP)记忆体矽智财NeoMTP已於Dongbu Hitek 0.18um BCD制程完成布局，专攻电源管理IC，因应日益增加的无线充电和USB Type C应用之需求 |
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力旺NeoMTP矽智财布局TowerJazz BCD制程 (2018.08.01)
为因应无线充电和USB Type C客户之需求，力旺电子宣布其嵌入式可多次编写记忆体矽智财NeoMTP已於TowerJazz 0.18um BCD 制程平台完成可靠度验证，即日起可供使用，力旺在专攻电源管理应用的BCD制程又完成一重大布局 |
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力旺嵌入式非挥发性内存已完成可靠度验证 (2011.07.18)
力旺电子（ememory）于日前宣布，其单次可程序内存NeoBit技术，已顺利于台积公司80奈米高电压制程完成可靠度验证，并已成功导入客户之高画质显示驱动芯片，将应用于下一世代智能型手机 |
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力旺及韩商合作逻辑制程嵌入式非挥发内存 (2008.09.12)
继本年度第一季，力旺电子与半导体制造厂商美格纳（MagnaChip）共同宣布，力旺电子开发之Neobit嵌入式非挥发性内存硅智财于MagnaChip逻辑及高压制程上进行验证，力旺电子与MagnaChip积极响应客户之需求，布局相关制程平台之开发，已展现具体成效 |
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富士通采用力旺嵌入式非挥发性内存 (2008.05.28)
力旺电子宣布其与日商富士通微电子有限公司合作，富士通微电子采用力旺电子开发之Neobit嵌入式非挥发性内存硅智财，开发0.18微米高压及逻辑制程平台。富士通微电子藉此平台可提供更完整的专业晶圆代工制造服务 |
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台湾硅智财产业新增两名生力军 (2006.08.08)
台湾半导体硅智财版图扩张中，台积电启动旗下转投资创意电子上市。创意最快9月底上市，而拥有嵌入式非挥发式内存IP业者力旺，也规划2007年增资上市，2家生力军加入公开发行行列，打破过去台面上仅智原1家的局面，同时代表台湾硅智财产业迈向成熟，加速国内半导体产业升级 |
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Dialog、特许及力旺合作 推出手机彩色LCD驱动器 (2004.06.24)
无线产品开发混合信号方案厂商Dialog Semiconductor宣布推出针对移动电话市场的彩色液晶显示(LCD)驱动器新产品线。该产品制造使用了全球三大半导体代工厂商之一的新加坡特许半导体制造公司(Chartered Semiconductor Manufacturing)的制程方案，并且采用嵌入式非挥发性内存技术开发厂商力旺电子的设计方案 |
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快闪记忆卡市场蓬勃 企业应致力提升产品附加价值 (2004.06.16)
国际闪存市调机构Web-Feet估计，全球SD/MMC快闪记忆卡销售量到2007年时将突破2亿片。看准这生机蓬勃的市场，力旺电子应用自行开发之OTP技术，设计出可逻辑制程的记忆卡控制芯片 |
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力旺电子发表SD/MMC快闪记忆卡控制芯片 (2004.05.09)
力晶集团旗下的力旺电子日前发表一款逻辑制程可程序SD/MMC快闪记忆卡控制芯片，准备抢攻全球两亿片市场大饼。力旺表示，该产品已通过数字相机、PDA、卡片阅读机等数家国际品牌250项以上的兼容性测试，预计将于六月进入量产阶段 |
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台积电获力旺Neobit技术授权 (2003.11.17)
力旺电子（EMTC）日前与台积电签订技术许可协议，力旺将授权其开发之Neobit OTP嵌入式非挥发性内存技术予台积电。力旺之Neobit OTP嵌入式非挥发性内存技术已于台积电完成验证，0.35um、0.25um之制程开发已趋完成，0.18um，0.13um以及更先进制程技术之开发正积极进行中 |
当传输技术进入数字时代之后，用户及厂商对于数字显示的质量要求越来越注重，结合显示适配器硬件的数字显示接口标准，其发展进度因而更受到瞩目。
