CTIMES - Mosfet

英飛凌全新封裝StrongIRFET MOSFET 適用於電池供電應用 (2017.04.18)
【德國慕尼黑訊】英飛凌科技(Infineon)推出採用 D2PAK 7pin+封裝的40 V MOSFET，讓 StrongIRFET系列產品更臻完備。全新MOSFET系列提供極低的 0.65 mΩ RDS(on)以及高電流輸送能力，因此提升耐用性與可靠性，適用於需要高效率與可靠性的高功率密度應用

英飛凌推出適用於高密度應用的整合型MOSFET穩壓器 (2017.03.08)
【德國慕尼黑訊】英飛凌科技(Infineon)推出新款易於使用、完全整合、具備高效率的 DC-DC 穩壓器IR3883，專為高密度負載點(PoL)應用而設計，滿足高效率、高穩定性和良好散熱特姓的要求，非常適合網路通訊、電信、伺服器和儲存解決方案

凌力爾特雙向電子斷路器針對電流和電壓故障提供全面保護 (2017.03.03)
凌力爾特 (Linear Technology) 日前推出電路保護控制器 LTC4368，在電池供電式汽車、工業和可攜式系統中，該元件可針對2.5V 至 60V 電子線路確保安全的電壓和電流水準。LTC4368 能替代熔斷器、暫態電壓抑制器和分立電路，以實現用於避免電子線路遭受有害的過電流及過壓、欠壓和反向電壓狀況之損壞的精小全面解決方案

東芝推出新款600V/650V超接面N溝道功率MOSFET (2017.02.06)
東芝公司(Toshiba)旗下儲存與電子元件解決方案公司推出EMI性能更佳化的600V/650V超接面N溝道功率MOSFET，該產品適用於工業和辦公設備。 (圖一)東芝新系列600V/650V超接面N溝道功率MOSFET適用於工業和辦公設備

東芝推出新款600V/650V超接面N溝道功率MOSFET (2017.02.06)
東芝公司(Toshiba)旗下儲存與電子元件解決方案公司推出EMI性能更佳化的600V/650V超接面N溝道功率MOSFET，該產品適用於工業和辦公設備。該新系列擁有與東芝當前的「DTMOS IV系列」相同水準的低導通電阻、高速開關性能，同時，其最佳化的設計流程使EMI性能提升約3至5dB

英飛凌700 V CoolMOSTM P7系列適用於準諧振反馳式拓樸 (2017.01.25)
【德國慕尼黑訊】英飛淩科技（Infineon）針對現今及未來的準諧振反馳式拓樸趨勢，推出全新700V CoolMOS P7系列。相較於目前所用的超接面技術，全新MOSFET的效能適用於軟切換拓墣應用，包括智慧型手機、平板電腦充電器，還有筆記型電腦電源供應器

東芝推出800V超結N溝道功率新MOSFET (2017.01.23)
東芝公司(Toshiba)旗下儲存與電子元件解決方案公司宣布針對高效率電源推出具備改進的低導通電阻、高速開關的800V超結N溝道功率MOSFET。「DTMOS IV系列」的八款新MOSFET利用超結結構，與東芝之前的「π-MOSVIII系列」相比，其可將其單位面積導通電阻(RON x A)降低近79%

凌力爾特推出新款多相 60V 同步升壓控制器 (2017.01.11)
凌力爾特 (Linear) 日前推出多相同步升壓 DC/DC 控制器 LTC3897，該元件具備輸入湧浪抑制器和理想二極體控制器。升壓控制器異相可驅動兩個 N 通道功率 MOSFET 級，以降低輸入和輸出電容要求，因而能使用比同類單相方案更小的電感器

東芝全新MOSFET系列產品實現低導通電阻與高速表現 (2016.12.23)
東芝半導體(Toshiba)推出全新U-MOS九代低電壓N通道功率MOSFET 40V與45V系列產品，其具備低導通電阻和高速之優良表現，U-MOS9系列MOSFET產品陣容提供更多樣化產品選擇，以滿足製造商各式需求

高耐壓風扇馬達驅動器評估專用公板系列 (2016.12.07)
ROHM開發了針對能夠極為簡單，且高效率做到室內空調裝置、密封式風扇等家電產品變頻化的高耐壓風扇馬達驅動器所使用的評估專用公板BM620xFS-EVK-001系列。

英飛凌閘極驅動 IC 1EDN提供低功耗和高穩定度 (2016.11.09)
【德國慕尼黑訊】英飛凌科技（Infineon）推出 1EDN EiceDRIVER 系列產品。該款 1 通道的低側閘極驅動 IC 適用於驅動 MOSFET、IGBT 以及 GaN 等功率裝置。其腳位輸出與封裝方式完全相容於業界標準，便於直接在現有設計中作替換

凌力爾特推出38V輸入同步升壓控制器 (2016.11.08)
凌力爾特（Linear Technology）日前推出 H 等級版本的 LTC3786，該元件為一款同步升壓 DC/DC 控制器，可保證於接面溫度高達攝氏150度的操作。LTC3786 採用 N 通道 MOSFET 取代升壓二極體以提高效率並降低功耗