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取代機電繼電器：英飛凌HITFET+開關產品系列首款BTF3050TE已量產 (2015.05.05)
（德國慕尼黑訊）因應從繼電器轉移到更耐用的半導體解決方案的趨勢，英飛凌科技（Infineon）推出最新 HITFET+ 保護型低側開關系列產品，HITFET+ 系列（高整合度過熱保護 MOSFET）搭載多功能組合，並內建診斷功能、短路耐用性、數位狀態回饋，以及轉換速率調整控制，可輕鬆平衡切換耗損，符合EMC標準 |
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挑戰廣泛電源應用 TI推DC/DC升降壓控制器 (2015.04.09)
DC/DC升降壓晶片在電源管理市場中一直是技術層次較高的領域，所以能涵蓋的應用範圍相當的廣，但相對的，能夠駕馭這種高技術難度領域的，大多也是國際一線電源晶片業者為主 |
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Diodes低功率單通道比較器提升低壓可攜式裝置電池效能 (2015.04.08)
Diodes公司為需要在低壓環境下操作的電池供電設備推出下一代單通道比較器AZV3001。新產品僅消耗6uA 的電流，並確保在1.6V到高達5.5V的電壓範圍內，因此適合標稱電源為1.8V、3.0V或5.0V的系統使用，例如手機、平板電腦及筆記型電腦，並提供高效能及延長電池壽命 |
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挾多重優勢 羅姆再推英特爾Atom平板電腦專用PMIC (2015.04.02)
我們都知道英特爾過往在嵌入式、平板電腦與Ultrabook等應用都投入了相當多的心力，而英特爾在IT與筆記型電腦應用都是主要的處理器供應商，所以相關的主機板乃至於週邊晶片業者，大多都會跟進英特爾所訂定的規範，以形成完整的生態體系，其中羅姆半導體與英特爾在電源管理晶片上的合作，更是行之有年 |
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Fairchild全新SuperFET II MOSFET與高壓整流器加速電動汽車設計 (2015.04.02)
快捷半導體（Fairchild）推出全新符合汽車認證的SuperFET II MOSFET與高壓整流器產品系列，致力於解決汽車製造商及其零件供應商的更高階需求，這兩款新產品整體均符合更清潔、更智慧的汽車設計要求，也是提高混合動力、插電式混合動力與純電動汽車中所使用的車載充電器與 DC-to-DC 轉換器之額定功率的 |
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安森美半導體獲微星頒發2014年最佳合作夥伴獎 (2015.03.18)
推動高能效創新的安森美半導體（ON Semiconductor）在微星科技（MSI）最近的年度供應商大會上獲其頒發「2014年最佳合作夥伴獎」。安森美半導體是從全球超過120家供應商中獲選授此榮譽 |
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併購Enpirion有成 Altera讓電源設計有更多想像 (2015.03.12)
FPGA大廠Altera在兩年前併購了電源晶片供應商Enpirion後，便致力於FPGA系統整體電源設計的最佳化，儘管過去FPGA本身的發展本就在降低功耗與提升效能上有相當多的努力，但Altera此舉，無疑是希望在功耗表現上能更加出色 |
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Fairchild新型SuperFET II MOSFET系列提供最低通導電阻與廣泛封裝範圍 (2015.03.10)
高效能電源半導體解決方案供應商Fairchild推出800V SuperFET II MOSFET 系列，具備廣泛的封裝選項以及最低的通導電阻（Rdson）與輸出電容（Coss）。全新產品陣容協助設計人員針對需要600V / 650V以上的崩潰電壓的高效能解決方案，改善效率、成本效益與可靠度，更減少了元件數量，精簡機板空間，為設計人員帶來更大的彈性 |
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凌力爾特新款切換湧浪抑制器可針對達200V以上的瞬變提供保護 (2015.03.05)
凌力爾特（Linear）日前發表一款高效率切換湧浪抑制器LTC7860，可針對高可用性系統提供過壓和過電流保護。在正常操作下，LTC7860 可連續開啟外部P通道MOSFET，以最小的導通損耗將輸入電壓傳送至輸出 |
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Diodes MOSFET H橋節省50%佔位面積 (2015.02.26)
Diodes公司推出一對MOSFET H橋，DMHC4035LSD和DMHC3025LSD。產品透過減少元件數量及縮減50%的印刷電路板佔位面積，簡化馬達驅動和電感無線充電電路。40V額定值H橋DMHC4035LSD旨在滿足車用馬達驅動應用的要求；30V額定值H橋DMHC3025LSD則適合12V單相位風扇應用 |
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Diodes微型場效電晶體節省40%空間 (2015.02.13)
Diodes公司為提供空間要求嚴格的產品設計，擴充了旗下超小型分立元件產品系列。新推出的3款小訊號MOSFET包括20V和30V額定值的N通道電晶體，以及30V額定值的P通道元件，產品全都採用DFN0606微型封裝 |
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英飛凌新一代功率MOSFET具備低導通電阻 (2015.02.10)
英飛凌科技(Infineon) 推出OptiMOS 5旗下 80V和100V兩款新產品。最新一代的功率MOSFET針對高切換頻率所設計，適用於電信及伺服器電源供應器等同步整流，以及其他如太陽能、低壓馬達和變壓器等工業應用 |
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德州儀器推出NexFET N通道功率MOSFET實現低電阻功效 (2015.01.22)
採用5公釐x 6公釐QFN封裝並具極低Rdson的25 V和30 V裝置
德州儀器（TI）推出NexFET產品線的11款新型N通道功率MOSFET，包括擁有低導通電阻（Rdson）且採用QFN封裝的 25 V CSD16570Q5B和30 V CSD17570Q5B，其適合熱插拔和ORing應用 |
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安茂微電子推出高效率2A同步升壓轉換器 (2015.01.19)
安茂微電子推出一系列DC-DC升壓轉換器─AME5125，採用電流控制同步技術以及整合MOSFET，有效提供高效率的電源。 輸入電壓為2.7V~5.5V，提供最大5.5A的輸出電流，主要應用於攜帶式電源、藍牙音箱等單電池供電的可攜式裝置相關產品，適用於以鹼性電池、鎳氫電池或鋰電池 |
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Diodes全新MOSFET閘極驅動器提升轉換效率 (2015.01.08)
Diodes公司推出一對1A額定值的40V輕巧閘極驅動器ZXGD3009E6及ZXGD3009DY，能用在控制板上和嵌入式電源以及馬達驅動電路的高電流功率MOSFET。ZXGD3009E6（採用SOT26封裝）和 ZXGD3009DY（採用SOT363封裝）可縮短MOSFET的開關時間，有助於盡量降低開關損耗、改善功率密度，以及提升整體轉換效率 |
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麥瑞半導體新款小尺寸負荷開關提供7A安恒電流 (2015.01.08)
麥瑞半導體（Micrel）推出 MIC95410 7A 負荷開關，封裝尺寸緊湊，僅僅為1.2mm x 2.0mm。該器件可用於有功率分配需求的系統，能夠透過斜率控制來控制加電順序，這種功能通常會用在工業計算、伺服器主機板、醫療設備、平板電腦、筆記本和固態硬碟等應用中 |
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Diodes推出40V額定值動態OR'ing控制器 (2014.12.24)
Diodes公司推出40V額定值的動態OR'ing控制器ZXGD3108N8，以提升電訊系統、資料中心及伺服器不斷電供應系統的可靠性。新產品旨在全面改善超低導通電阻功率MOSFET，從而取代耗能的蕭特基（Schottky）阻斷二極體，有效降低運作溫度並加強不斷電供應系統的完整性 |
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IR新款FastIRFET雙功率MOSFET採用4×5 PQFN功率模塊封裝 (2014.12.17)
國際整流器公司（International Rectifier；IR）推出採用高效能4×5 PQFN功率模塊封裝的IRFH4257D FastIRFET 雙功率MOSFET。此項新的封裝選擇使IR的功率模塊產品系列效能得以延伸至更低功率的設計 |
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凌力爾特湧浪抑制器解決方案符合MIL-STD-1275D標準 (2014.12.11)
凌力爾特（Linear Technology）日前推出符合MIL-STD-1275D標準的湧浪抑制器解決方案，並展示於評估板DC2150A。 MIL-STD-1275D是由美國國防部（United States Department of Defense）建立的標準，其規定了軍用地面車輛的28V直流電源之穩態和瞬變電壓特性 |
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凌力爾特新款j微型模組穩壓器可高效轉換 (2014.12.05)
凌力爾特（Linear）日前發表20A DC/ DC降壓 uModule（微型模組）穩壓器LTM4639，能夠以最佳化效率轉換2.5V至7V主電源系統電源端至低至0.6V的負載點電壓。在複雜的機架安裝系統中，更高的電壓轉換效率將可節省能源消耗、熱管理和設備尺寸 |
