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英飛凌CIPOS Mini IPM提高低功率馬達效率 (2018.05.25)
全球能源效率標準通常禁止製造商進口或銷售未符合標準的產品，為了滿足特定的基本要求，必須透過使用最新技術減少能源損耗，英飛凌科技股份有限公司CIPOS Mini系列新增IM512及IM513產品 |
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東芝推出2款車用新封裝40V N-channel溝槽功率MOSFET IC (2018.04.18)
東芝電子元件及儲存裝置株式會推出2新款小型低電阻SOP Advance (WF)封裝的MOSFET產品。新IC- TPHR7904 & TPH1R104PB皆是車用40V N-channel溝槽功率MOSFET的最新Lineup。
此2款MOSFET IC採用最新第九代U-MOS IX-H溝槽製程及小型低電阻封裝，具備低導通電阻有助於降低導通損耗，與東芝上一代產品(U-MOS IV)相比，此ICs設計實現了更低的開關雜訊，幫助降低EMI |
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東芝推出2款車用新封裝40V N-channel溝槽功率MOSFET IC (2018.04.18)
東芝電子元件及儲存裝置株式會推出2新款小型低電阻SOP Advance (WF)封裝的MOSFET產品。新IC- TPHR7904 & TPH1R104PB皆是車用40V N-channel溝槽功率MOSFET的最新Lineup。
(圖一)新款小型低電阻封裝，輕鬆實現更低的導通電阻 |
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大聯大品佳集團推出英飛凌1200 V碳化矽MOSFET技術 (2018.04.17)
致力於亞太區市場的領先零組件通路商大聯大控股今日宣佈，旗下品佳集團將推出英飛凌（Infineon）1200 V碳化矽MOSFET技術。
此次推出的新技術可提升產品設計的功率密度和效能表現，並有助電源轉換方案的開發人員節省空間、減輕重量、降低散熱需求，進一步提升可靠性和降低系統成本 |
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大聯大品佳集團推出英飛凌1200 V碳化矽MOSFET技術 (2018.04.17)
致力於亞太區市場的領先零組件通路商大聯大控股今日宣佈，旗下品佳集團將推出英飛凌（Infineon）1200 V碳化矽MOSFET技術。
此次推出的新技術可提升產品設計的功率密度和效能表現，並有助電源轉換方案的開發人員節省空間、減輕重量、降低散熱需求，進一步提升可靠性和降低系統成本 |
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東芝針對輸出型光耦合器推出新封裝選項SO6L(LF4) (2018.04.03)
東芝電子元件及儲存裝置株式會社宣布為擴大原輸出型光耦合器陣容，即日起為SO6L系列推出全新封裝類型；新封裝SO6L(LF4)為寬引腳間距封裝，SO6L(LF4)封裝爬電距離為8mm，其符合產業規格標準 |
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東芝針對輸出型光耦合器推出新封裝選項SO6L(LF4) (2018.04.03)
東芝電子元件及儲存裝置株式會社宣布為擴大原輸出型光耦合器陣容，即日起為SO6L系列推出全新封裝類型；新封裝SO6L(LF4)為寬引腳間距封裝，SO6L(LF4)封裝爬電距離為8mm，其符合產業規格標準 |
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東芝推出搭載高效率、靜電放電保護、小型封裝MOSFET IC (2018.04.03)
東芝電子元件及儲存裝置株式會社宣布推出搭載高效率靜電放電保護的雙MOSFET IC – SSM6N813R，此新產品適用於需耐高壓及小尺寸的車用產品或裝置，包括LED頭燈驅動IC，並於4月開始量產出貨 |
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APEC 2018—Littelfuse推出超低導通電阻1200V碳化矽MOSFET (2018.03.16)
Littelfuse公司與從事碳化矽技術開發的美商Monolith Semiconductor推出兩款1200V碳化矽(SiC) n通道增強型MOSFET，進而擴展第一代電源半導體元件組合。Littelfuse與Monolith在2015年結成戰略合作關係，旨在為工業和汽車市場開發電源半導體 |
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APEC 2018—Littelfuse推出超低導通電阻1200V碳化矽MOSFET (2018.03.16)
Littelfuse公司與從事碳化矽技術開發的美商Monolith Semiconductor推出兩款1200V碳化矽(SiC) n通道增強型MOSFET，進而擴展第一代電源半導體元件組合。Littelfuse與Monolith在2015年結成戰略合作關係，旨在為工業和汽車市場開發電源半導體 |
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美高森美瞄準工業和汽車市場推出新型SiC MOSFET和SiC SBD (2018.03.01)
美高森美公司(Microsemi Corporation)宣佈提供下一代1200V 碳化矽(SiC) MOSFET系列的首款產品 40 mOhm MSC040SMA120B器件，以及與之配合的1200 V SiC蕭特基阻障二極體(SBD)，進一步擴大旗下日益增長的 SiC 離散器件和模組產品組合 |
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美高森美瞄準工業和汽車市場推出新型SiC MOSFET和SiC SBD (2018.03.01)
美高森美公司(Microsemi Corporation)宣佈提供下一代1200V 碳化矽(SiC) MOSFET系列的首款產品 40 mOhm MSC040SMA120B器件，以及與之配合的1200 V SiC蕭特基阻障二極體(SBD)，進一步擴大旗下日益增長的 SiC 離散器件和模組產品組合 |
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東芝針對繼電器驅動器推出新款小型雙通道MOSFET IC (2018.02.08)
東芝電子元件及儲存裝置株式會社推出小型雙通道MOSFET SSM6N357R，此款新產品在漏極(Drain)和閘極端子(Gate terminals)之間有內建二極體(Diode)。此IC適用於驅動機械繼電器(Mechanical relays)等電感負載 |
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東芝針對繼電器驅動器推出新款小型雙通道MOSFET IC (2018.02.08)
東芝電子元件及儲存裝置株式會社推出小型雙通道MOSFET SSM6N357R，此款新產品在漏極(Drain)和閘極端子(Gate terminals)之間有內建二極體(Diode)。此IC適用於驅動機械繼電器(Mechanical relays)等電感負載 |
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貿澤電子供應ON Semi FDMF8811 110V橋式功率級模組 (2018.02.05)
貿澤電子開始供應ON Semiconductor的FDMF8811橋式功率級模組。FDMF8811模組適用於半橋和全橋DC-DC轉換器的100 V橋式功率級模組，其採用高效能的PowerTrench MOSFET技術，可減少轉換器應用的開關振鈴 |
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貿澤電子供應ON Semi FDMF8811 110V橋式功率級模組 (2018.02.05)
貿澤電子開始供應ON Semiconductor的FDMF8811橋式功率級模組。FDMF8811模組適用於半橋和全橋DC-DC轉換器的100 V橋式功率級模組，其採用高效能的PowerTrench MOSFET技術，可減少轉換器應用的開關振鈴 |
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東芝新一代600V平面MOSFET系列 結合高效率及低雜訊 (2018.01.22)
東芝電子元件及儲存裝置株式會社推出「第九代π-MOS」，全新600V平面式MOSFET系列，量產出貨於即日起啟動。
(圖一)第九代π-MOS，全新600V平面式MOSFET系列
第九代π-MOS系列採用最佳化的晶片設計，與現有的第七代系列相比，其EMI雜訊峰值低5dB[1]，但同時又保持了相同水準效率 |
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東芝新一代600V平面MOSFET系列 結合高效率及低雜訊 (2018.01.22)
東芝電子元件及儲存裝置株式會社推出「第九代π-MOS」，全新600V平面式MOSFET系列，量產出貨於即日起啟動。
第九代π-MOS系列採用最佳化的晶片設計，與現有的第七代系列相比，其EMI雜訊峰值低5dB[1]，但同時又保持了相同水準效率 |
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英飛凌推出600 V CoolMOS CFD7 SJ MOSFET (2017.11.24)
英飛凌科技發表新款高電壓超接面(SJ) MOSFET 技術產品 600 V CoolMOS CFD7，讓CoolMOS 7 系列更為完備。
(圖一)英飛凌600 V CoolMOS CFD7效率較前一代產品和其他競爭產品高出 1.45%，結合了快速切換技術所有的優點和高整流耐用度，同時保有設計流程的簡易實作性 |
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英飛凌推出600 V CoolMOS CFD7 SJ MOSFET (2017.11.24)
英飛凌科技發表新款高電壓超接面(SJ) MOSFET 技術產品 600 V CoolMOS CFD7，讓CoolMOS 7 系列更為完備。
新款 MOSFET 產品滿足高功率 SMPS 市場的諧振拓樸需求，為 LLC 和 ZVS PSFB 等軟切換拓撲提供領先業界的效率與可靠度，最適合像是伺服器、電信設備電源和電動車充電站等高功率 SMPS 應用 |
