CTIMES - Fram

嵌入式開發中適用的記憶體選擇 (2021.12.22)
本文介紹各種記憶體技術，並以各家供應商推出的產品為例，幫助開發人員瞭解各種記憶體類型的特性。此外，本文還探討了各種類型記憶體的最佳應用，以便開發人員有效使用

2021 VLSI聚焦記憶體內運算與AI晶片台灣供應鏈優勢再現 (2021.04.20)
國際超大型積體電路技術研討會（VLSI）是台灣半導體產業的年度盛事，今（20）日在經濟部技術處的支持下2021 VLSI順利登場，今年焦點落在目前市場最熱門的AI晶片、新興記憶體、小晶片（chiplet）系統、量子電腦、半導體材料、生物醫學電子等最新技術進展

工研院於IEDM發表下世代FRAM與MRAM記憶體技術 (2019.12.10)
工研院於今美國舉辦的IEEE國際電子元件會議(International Electron Devices Meeting；IEDM)中發表三篇鐵電記憶體(Ferroelectric RAM；FRAM)以及三篇磁阻隨機存取記憶體（Magnetoresistive Random-Access Memory；MRAM）相關技術重要論文，引領創新研發方向，並為新興記憶體領域中發表篇數最多者

富士通推出能於高溫維持正常運作的2Mbit FRAM (2019.10.30)
香港商富士通亞太電子有限公司台灣分公司(以下稱富士通)宣布推出型號為MB85RS2MTY的2Mbit FRAM。此款容量最高的FRAM產品能在高達攝氏125度的高溫下運作，其評測樣品(evaluation sample)現已開始供應

富士通推出能於攝氏零下55度運作的64-Kbit FRAM (2018.06.13)
富士通亞太電子有限公司台灣分公司宣布研發出型號為MB85RS64TU的64-Kbit FRAM，此款記憶體能在攝氏零下55度中運行，為富士通電子旗下首款能耐受如此低溫的FRAM非揮發性記憶體

關注次世代嵌入式記憶體技術的時候到了 (2018.01.25)
次世代記憶體的產品，如FRAM，MRAM和RRAM，在物聯網與智慧應用的推動下，開始找到利基市場。

物聯網與AI將推升次世代記憶體需求 (2017.12.25)
經過十多年的沉潛，次世代記憶體的產品，包含FRAM（鐵電記憶體），MRAM（磁阻式隨機存取記憶體）和RRAM（可變電阻式記憶體），在物聯網與智慧應用的推動下，開始找到利基市場

富士通針對汽車及工業控制應用推出全新FRAM解決方案 (2017.06.05)
香港商富士通亞太電子有限公司台灣分公司推出全新FRAM (鐵電隨機存取記憶體) 解決方案MB85RS128TY 與 MB85RS256TY，此為全新產品系列元件，可在高達攝氏125度高溫環境下運作，且符合北美汽車產業AEC Q100驗證規範，專為汽車產業及安裝有電機的工業控制機械等設計

富士通推出運作低功耗的64 Kbit FRAM (2016.04.15)
富士通亞太電子台灣分公司推出具最低運作功耗的64 Kbit FRAM—MB85RC64T樣品。此FRAM產品採用I2C介面，能以最高3.4 MHz的頻率及1.8V至3.6V廣泛的電源電壓運作。此外，其平均電流極低，以3.4 MHz運作時為170 μA；以1 MHz運作時則為80 μA

富士通開發全新FRAM具有4 Mbit記憶容量 (2016.03.01)
香港商富士通亞太電子有限公司台灣分公司宣布，富士通成功開發具有4 Mbit記憶容量的全新FRAM（鐵電隨機存取記憶體）產品─MB85RQ4ML，此產品是以高速運算改善網路裝置效能的非揮發性記憶體，於四線SPI介面非揮發性RAM市場中擁有高密度，並開始以樣本量供貨

為1Mb序列FRAM開發超小型封裝 (2015.07.14)
1 Mb FRAM（鐵電隨機存取記憶體）的MB85RS1MT元件，採用8針腳晶圓級晶片尺寸封裝（WL-CSP）製程。全新的WL-CSP製程可讓封裝面積僅有目前8針腳SOP（small-outline package）封裝的23%，而厚度也約其五分之一，實現將擁有序列周邊介面SPI的1 Mb FRAM變成業界最小尺寸的FRAM元件

TI推出高整合度NFC感測器轉發器 (2014.12.12)
符合ISO 15693標準的完全可編程設計13.56 MHz感測器轉發器整合超低功耗微控制器和非揮發性鐵電記憶體（FRAM）德州儀器（TI）推出高靈活高頻13.56 MHz感測器轉發器系列。