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CTIMES / 晶圓代工
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聯電於新加坡白沙晶圓科技園區擴建新廠 預計2026年開始量產 (2025.04.07)
聯華電子(UMC)位於新加坡白沙晶圓科技園區的擴建新廠正式開幕,預計2026年投產,將使新加坡Fab 12i廠的總產能提升至每年超過100萬片12吋晶圓。新廠採用22奈米及28奈米製程技術,成為新加坡最先進的晶圓代工廠之一,主要生產用於通訊、物聯網(IoT)、車用及人工智慧(AI)等領域的關鍵晶片
2奈米製程競爭 台積電穩步向前或芒刺在背? (2025.03.03)
在半導體製程技術的競賽中,2奈米製程成為各大廠商爭奪的下一個重要里程碑。台積電(TSMC)正在積極研發2奈米製程,於2024年開始試產,並計畫於2025年實現量產。台積電將在2奈米節點引入GAA(環繞柵極)奈米片晶體管技術,這是從傳統的FinFET轉向新一代晶體管架構的重大轉變
2奈米製程競爭 台積電穩步向前或芒刺在背? (2025.03.03)
在半導體製程技術的競賽中,2奈米製程成為各大廠商爭奪的下一個重要里程碑。台積電(TSMC)正在積極研發2奈米製程,於2024年開始試產,並計畫於2025年實現量產。台積電將在2奈米節點引入GAA(環繞柵極)奈米片晶體管技術,這是從傳統的FinFET轉向新一代晶體管架構的重大轉變
原子層沉積技術有助推動半導體製程微縮 (2025.02.08)
隨著半導體製程技術的持續進步,晶片微縮已達到物理極限,傳統的光刻技術面臨挑戰。在此背景下,原子層沉積(Atomic Layer Deposition,ALD)技術因其薄膜沉積精度,成為推動半導體微縮的關鍵技術之一
原子層沉積技術有助推動半導體製程微縮 (2025.02.08)
隨著半導體製程技術的持續進步,晶片微縮已達到物理極限,傳統的光刻技術面臨挑戰。在此背景下,原子層沉積(Atomic Layer Deposition,ALD)技術因其薄膜沉積精度,成為推動半導體微縮的關鍵技術之一
台積電德國設廠預計2027年量產 強化半導體供應鏈韌性 (2025.02.07)
台積電(TSMC)積極擴展其全球製造版圖,將於德國設立首座歐洲晶圓廠,並計劃於2027年開始量產。這座新廠不僅是台積電在歐洲的第一座生產基地,更象徵其全球佈局進一步深化,有助於強化歐洲半導體供應鏈的穩定性與韌性
台積電德國設廠預計2027年量產 強化半導體供應鏈韌性 (2025.02.07)
台積電(TSMC)積極擴展其全球製造版圖,將於德國設立首座歐洲晶圓廠,並計劃於2027年開始量產。這座新廠不僅是台積電在歐洲的第一座生產基地,更象徵其全球佈局進一步深化,有助於強化歐洲半導體供應鏈的穩定性與韌性
聯華電子南科旗艦廠入選世界經濟論壇燈塔工廠 (2025.01.15)
燈塔工廠是由世界經濟論壇(WEF)與麥肯錫公司於2018年共同提出的概念,代表全球數位化與智慧製造的領導者。這些工廠以運用人工智慧(AI)、工業物聯網(IIoT)、大數據分析等技術提升效能和經營績效為目標,展示了製造業在數位轉型中的最佳實踐
聯華電子南科旗艦廠入選世界經濟論壇燈塔工廠 (2025.01.15)
燈塔工廠是由世界經濟論壇(WEF)與麥肯錫公司於2018年共同提出的概念,代表全球數位化與智慧製造的領導者。這些工廠以運用人工智慧(AI)、工業物聯網(IIoT)、大數據分析等技術提升效能和經營績效為目標,展示了製造業在數位轉型中的最佳實踐
Intel Foundry使用減材釕 提升電晶體容量達25% (2024.12.24)
英特爾晶圓代工(Intel Foundry)在2024年IEEE國際電子元件會議(IEDM)上公佈了新的突破。包括展示了有助於改善晶片內互連的新材料,透過使用減材釕(subtractive Ruthenium)提升電晶體容量達25%
Intel Foundry使用減材釕 提升電晶體容量達25% (2024.12.24)
英特爾晶圓代工(Intel Foundry)在2024年IEEE國際電子元件會議(IEDM)上公佈了新的突破。包括展示了有助於改善晶片內互連的新材料,透過使用減材釕(subtractive Ruthenium)提升電晶體容量達25%
雙列CFET結構全新標準單元結構 推動7埃米製程 (2024.12.09)
在本週舉行的 2024年IEEE國際電子會議(IEDM) 上,比利時微電子研究中心(imec)展示了一項突破性的技術創新:基於互補式場效電晶體(CFET)的雙列標準單元架構。這種設計採用了兩列CFET元件,並共用一層訊號佈線牆,成功實現製程簡化與顯著的面積縮減,為邏輯元件和靜態隨機存取記憶體(SRAM)開闢了微縮新途徑
雙列CFET結構全新標準單元結構 推動7埃米製程 (2024.12.09)
在本週舉行的 2024年IEEE國際電子會議(IEDM) 上,比利時微電子研究中心(imec)展示了一項突破性的技術創新:基於互補式場效電晶體(CFET)的雙列標準單元架構。這種設計採用了兩列CFET元件,並共用一層訊號佈線牆,成功實現製程簡化與顯著的面積縮減,為邏輯元件和靜態隨機存取記憶體(SRAM)開闢了微縮新途徑
半導體業界持續革命性創新 有助於實現兆級電晶體時代微縮需求 (2024.12.09)
隨著人工智慧(AI)應用迅速崛起,從生成式AI到自動駕駛和邊緣運算,對半導體晶片的需求也隨之激增。這些應用要求更高效能、更低功耗以及更高的設計靈活性。尤其在2030年實現單晶片容納1兆個電晶體的目標下,半導體產業面臨著重大挑戰:電晶體和晶片內互連的持續微縮、材料創新以突破傳統設計的限制,以及先進封裝技術的提升
半導體業界持續革命性創新 有助於實現兆級電晶體時代微縮需求 (2024.12.09)
隨著人工智慧(AI)應用迅速崛起,從生成式AI到自動駕駛和邊緣運算,對半導體晶片的需求也隨之激增。這些應用要求更高效能、更低功耗以及更高的設計靈活性。尤其在2030年實現單晶片容納1兆個電晶體的目標下,半導體產業面臨著重大挑戰:電晶體和晶片內互連的持續微縮、材料創新以突破傳統設計的限制,以及先進封裝技術的提升
VSMC十二吋晶圓廠於新加坡動土 預計2027年開始量產 (2024.12.05)
由世界先進積體電路(VIS)與恩智浦半導體(NXP)共同成立的合資公司VSMC(VisionPower Semiconductor Manufacturing Company),於2024年12月4日在新加坡淡濱尼舉行其首座十二吋晶圓廠動土典禮
VSMC十二吋晶圓廠於新加坡動土 預計2027年開始量產 (2024.12.05)
由世界先進積體電路(VIS)與恩智浦半導體(NXP)共同成立的合資公司VSMC(VisionPower Semiconductor Manufacturing Company),於2024年12月4日在新加坡淡濱尼舉行其首座十二吋晶圓廠動土典禮
新思科技與台積電合作 實現數兆級電晶體AI與多晶粒晶片設計 (2024.11.06)
新思科技持續與台積電密切合作,並利用台積電最先進的製程與3DFabric技術提供先進的電子設計自動化 (EDA)與IP解決方案,為AI與多晶粒設計加速創新。由於AI應用對運算的需求永不停歇,半導體產業需要跟上步伐
新思科技與台積電合作 實現數兆級電晶體AI與多晶粒晶片設計 (2024.11.06)
新思科技持續與台積電密切合作,並利用台積電最先進的製程與3DFabric技術提供先進的電子設計自動化 (EDA)與IP解決方案,為AI與多晶粒設計加速創新。由於AI應用對運算的需求永不停歇,半導體產業需要跟上步伐
世界先進和NXP核准成立VSMC合資公司 將興建十二吋晶圓廠 (2024.09.04)
世界先進(VIS)和恩智浦半導體(NXP)已取得相關單位的核准,依計畫進行注資,正式成立VisionPower Semiconductor Manufacturing Company(VSMC)合資公司,朝興建VSMC首座十二吋(300mm)晶圓廠穩步邁進

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5 TrendForce:關稅戰與補貼延續 晶圓代工Q1營收季減緩至5.4%
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