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KEITHLEY新推自動特性分析套件(ACS)測試系統 (2008.05.20)
量測方案廠商美商吉時利儀器公司（Keithley Instruments）宣佈為其Automated Characterization Suite（ACS）自動特性分析套件軟體，加入選擇性的晶圓級可靠性（WLR）測試工具，可支援各種半導體可靠度與使用期預測等應用 |
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恩智浦新推電晶體提升LDMOS基地台功率效能 (2008.05.19)
恩智浦半導體（NXP Semiconductors）推出BLC7G22L（S）-130基地台功率電晶體，這是恩智浦的第七代橫向擴散金屬氧化物半導體（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor；LDMOS）技術的產品，專為高功耗和Doherty放大器應用進行最佳化 |
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Vishay推出新型VEMT系列矽NPN光電電晶體 (2008.04.13)
Vishay推出採用可與無鉛(Pb)焊接相容的PLCC-2表面貼裝封裝的新系列寬角光電電晶體。VEMT系列中的器件可作為當前TEMT系列光電電晶體的針腳對針腳及功能等同的器件，從而可實現快速輕鬆的替代，以滿足無鉛(Pb)焊接要求 |
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英飛凌推出新型LDMOS射頻功率電晶體 (2008.04.07)
英飛凌科技(Infineon)發表兩款新型LDMOS射頻功率電晶體，適用於無線通訊基礎架構應用領域，例如2.5 GHz至2.7 GHz之WiMAX。這兩款新產品提供之輸出功率峰值可達170瓦，進一步擴大英飛凌為WiMAX領域所提供射頻功率電晶體之產品種類，現有產品功率包括10瓦、45瓦及130瓦 |
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Intel推出五款全新Intel Atom處理器 (2008.04.07)
英特爾公司宣布推出五款全新Intel Atom(凌動)處理器，以及針對移動聯網裝置(MID)與嵌入式運算解決方案設計的Intel Centrino Atom（Intel 迅馳 凌動）處理器技術。
該技術組合包括了Intel Atom處理器（代號Silverthorne） |
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Vishay推出新系列半橋絕緣柵雙極型電晶體 (2008.03.17)
Vishay宣佈推出採用業界標準Int-A-Pak封裝的新系列半橋絕緣柵雙極型電晶體(IGBT)。該系列由八個600V及1200V器件組成，這些器件採用多種技術，可在標準及超快速度下實現高開關工作頻率 |
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IR推出600V絕緣柵雙極電晶體(IGBT)系列 (2008.03.07)
國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR)推出600V絕緣柵雙極電晶體(IGBT)系列，能夠在最高3kW的不斷電系統(UPS)及太陽能轉換器，減少高達30%的功率耗損。
這款新特定應用元件利用IR最新一代的場終止溝道技術降低傳導和開關損耗，並為低短路要求的20kHZ開關作出優化，提升UPS和太陽能轉換器應用的功率轉換效率 |
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日本研發出3D電晶體 可有效提升處理器速度 (2007.12.10)
外電消息報導，日本科技研究公司Unisantis日前宣布，成功開發出一種新的3D電晶體，可使處理器的計算速度提升將進10倍。而該公司也將開始對市場銷售此新的電晶體。
Unisantis表示，相較於傳統的電晶體，新的3D架構縮短了電子傳輸的距離，且所產生的熱量更少，同時製造成本也更為低廉 |
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Zetex高效能電晶體有效提升電源功率密度 (2007.08.21)
Zetex Semiconductors（捷特科）公司，近日推出一系列微型NPN及PNP電晶體，滿足新一代電源設備中的MOSFET閘驅動需求。全新的ZXTN及ZXTP電晶體是第一批採用SOT23FF封裝的雙極元件，佔位面積為2.5 x 3毫米，板外高度只有1毫米 |
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安森美推出雙載子接面電晶體系列新封裝 (2007.07.11)
安森美半導體（ON Semiconductor）擴充低Vce(sat)雙載子接面電晶體(BJT)產品系列，推出採用先進矽晶片技術的PNP與NPN產品。這兩種新型電晶體與傳統的BJT或平面MOSFET比較，不僅實現了能效的最大化，而且還可延長電池的使用時間 |
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瑞薩研發最新低成本製造技術提升電晶體效能 (2007.06.21)
瑞薩科技宣佈開發適用於45 nm（奈米）及後續製程世代微處理器及SoC（系統單晶片）之低成本且可達成極高效能電晶體之製造技術。此新技術利用瑞薩科技獨家開發且於2006年12月發表之混合架構，提升CMIS電晶體之效能 |
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Fairchild數位電晶體讓可攜式設備具性能/空間優勢 (2007.04.12)
快捷半導體公司（Fairchild Semiconductor）推出兩種全新200mW數位電晶體系列，它們將一個外接電阻偏置網路整合進目前市場上最小的封裝中。FJY30xx（NPN）和FJY40xx（PNP）系列是專為開關、反相器、介面及驅動電路所量身定做的，且不需要外接電阻 |
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恩智浦半導體新一代雙極電晶體提升能源效率 (2007.03.21)
恩智浦半導體（前身為飛利浦半導體）發佈最新一代低VCEsat電晶體，與普通電晶體相比，其功率損耗可減少80%。恩智浦新型BISS（Breakthrough in Small Signal）電晶體具有超低飽和電壓（1安培時低於60毫瓦）、高電路效率和更低的能源消耗，並有效減少可擕式電池供電產品（如筆記型電腦、PDA和數位相機）的熱能產生 |
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Zetex 推出低電壓雙極電晶體 (2006.05.09)
類比訊號處理及功率管理方案供應商Zetex Semiconductors，推出一系列新型低電壓雙極電晶體。新元件可擴大SOT23封裝的電流處理效能，設計人員可用以取代體積更大的SOT89和SOT223零件，進而縮減產品尺寸 |
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高可靠度高效能非晶矽薄膜電晶體的製作研討會(假日班) (2006.04.26)
由於非晶矽技術具有低溫製程與低成本製造等優點，使得氫化非晶矽薄膜電晶體(a-Si:H TFT)被廣泛的利用在平面顯示應用上，用來控制畫面灰階的變化，更可以被應用在主動式有機發光顯示器中，作為驅動OLED元件的驅動元件 |
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ST射極開關雙極電晶體為電源供給應用設新標準 (2005.10.18)
功率電晶體市場技術領導者ST，發佈一系列混合式射極開關雙極電晶體（EBST），特別適合工業照明應用中之功率因數預調節的工業用三相輔助電源供應器與單端初級電感轉換器（SEPIC）等應用 |
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ST射極開關雙極電晶體為電源供給應用設新標準 (2005.10.18)
功率電晶體市場技術領導者ST，發佈一系列混合式射極開關雙極電晶體（EBST），特別適合工業照明應用中之功率因數預調節的工業用三相輔助電源供應器與單端初級電感轉換器（SEPIC）等應用 |
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打造一個友善的「無所不在」資訊世界 (2004.02.05)
電晶體的發明至今不過半個世紀，但它已經被廣泛應用在人類工作與生活上的許多角落。在過去，當一個技術普及之後，往往也象徵著這項技術將成為傳統產業，然而以電晶體為基礎的電子／資訊工業卻仍如日當中，甚至可說是還在一個起步的階段而已 |
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NEC研發電晶體 閘極寬度挑戰5奈米 (2000.07.19)
日本NEC基礎研究所去年開發出閘極寬度僅8奈米的全球最小電晶體，因此理論上應可製造出10兆位元(Tera bit)的記憶體，相當於1000萬份報紙的資訊量，接下來的挑戰目標是5奈米 |
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TI發表以DSP為基礎的單晶片發展藍圖 (1999.12.09)
德州儀器(TI)宣佈揭露一個宏偉的DSP發展藍圖，承諾在公元2005年以前，將系統的運算效能提升15倍以上，到了公元2010年更將超過230倍。運算效能的提高，再加上更低的功率消耗和更小的體積需求 |
