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CTIMES / Mosfet
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網路通訊協定 - SOAP

SOAP的全名為Simple Object Access Protocol(簡易物件通訊協定),是一種以XML為基礎的通訊協定,其作用是編譯網路服務所需的要求或回應後,再將編譯後的訊息送出到網路,簡單來說就是應用程式和用戶之間傳輸資料的一種機制。
Microchip首款碳化矽MOSFET 可降低50%開關損耗 (2021.09.22)
隨著對電動公共汽車和其他電氣化重型運輸車輛的需求增加,以滿足更低的碳排放目標,基於碳化矽的電源管理解決方案正在為此類運輸系統提供更高效率。為了進一步擴充其廣泛的碳化矽MOSFET分離式和模組產品組合
Microchip抗輻射MOSFET獲得商業航太和國防太空應用認證 (2021.06.09)
太空應用電源必須可以承受極端的太空環境,並在抗輻射技術環境中運作無礙,防止遭受到極端粒子相互作用及太陽和電磁事件的影響失效發生事端,導致降低太空系統的效能並干擾運行
三星首款MOSFET冰箱變頻器 採用英飛凌600V功率產品 (2021.05.27)
英飛凌科技向三星電子供應具有最高能源效率及最低噪音的功率產品。這些功率裝置已整合在三星最新款的單門式(RR23A2J3XWX、RR23A2G3WDX)與FDR(對開式:RF18A5101SR)變頻式冰箱
英飛凌EasyDUAL CoolSiC MOSFET新模組採用AIN陶瓷基板 (2021.05.12)
英飛凌科技利用新型氮化鋁(AIN)陶瓷基板,成功改良EasyDUAL CoolSiC MOSFET模組。此半橋式裝置有EasyDUAL 1B及EasyDUAL 2B兩種封裝型式,導通電阻(RDS(on) )各是11mΩ及6mΩ。新款1200V裝置採用高性能陶瓷,因此適合高功率密度應用,如太陽能系統、不斷電系統、輔助變頻器、儲能系統及電動車充電器等
ST推出隔離式閘極驅動器 可安全控制碳化矽MOSFET (2021.03.30)
半導體供應商意法半導體(ST)宣布推出STGAP系列隔離式閘極驅動器的最新產品STGAP2SiCS,可安全控制碳化矽(SiC)MOSFET,且作業電源電壓高達1200V。 STGAP2SiCS能夠產生高達26V的閘極驅動電壓,將欠壓鎖定(UVLO)閾壓提升到15.5V,滿足SiC MOSFET開關二極體正常導電要求
英飛凌新款650V EiceDRIVER整合靴帶二極體 支援更快切換 (2021.03.26)
英飛凌科技宣布擴展旗下EiceDRIVER產品組合,推出全新650V半橋式與高低側閘極驅動器,採用公司獨特的絕緣層上矽(SOI)技術,提供市場最先進的負VS瞬態電壓抗擾性與真正靴帶二極體的單片整合,因此有助於降低BOM,並在精簡的外型尺寸以MOSFET與IGBT打造更強固的設計
英飛凌推出新一代80V與100V功率MOSFET 電源效率再升級 (2021.03.22)
英飛凌科技推出StrongIRFET 2新一代功率MOSFET技術的80V和100V產品。新產品擁有廣泛的經銷供貨通路和出色的性價比,成為設計人員可以便利選購的理想產品。該產品系列針對高、低切換頻率進行最佳化,可支援廣泛的應用範圍,提供高度的設計靈活性,可受益於StrongIRFET的應用包括SMPS、馬達驅動、電池充電工具、電池管理、UPS及輕型電動車
車輛中的小型電氣驅動器:在發展自動駕駛過程中提升便利性 (2021.03.15)
未來,自動駕駛將會顯著提高駕駛的便利性,到那時候,許多小型電氣驅動器將使車輛的控制更加輕鬆與便捷。
安森美全新650V碳化矽MOSFET系列 滿足車規與工規應用需求 (2021.02.18)
安森美半導體(ON Semiconductor)宣布推出一系列新的碳化矽(SiC)MOSFET裝置,適用於對功率密度、能效和可靠性要求極高的應用。設計人員用新的SiC裝置取代現有的矽開關技術,將在電動汽車(EV)車載充電器(OBC)、太陽能逆變器、伺服器電源(PSU)、電信和不斷電供應系統(UPS)等應用中實現顯著的更佳性能
直接透過汽車電池輸入進行DC-DC轉換 (2021.01.19)
在嚴苛的汽車和工業環境中,通常會選擇內建MOSFET功率切換開關的單晶片式降壓穩壓器,不僅可節省空間,同時更可實現低EMI和卓越的散熱性能。
ROHM推出第五代Pch MOSFET 導通電阻大幅減半 (2020.12.28)
半導體製造日商ROHM研發出共計24款Pch MOSFET產品,包括支援24V輸入電壓的耐壓-40V和-60V單極型「RQxxxxxAT / RDxxxxxAT / RSxxxxxAT / RFxxxxxAT系列」和雙極型「UTxxx5 / QHxxx5 / SHxxx5系列」,適用於FA、機器人、空調裝置等工控裝置之風扇馬達和電源管理開關,以及大型消費性電子裝置用之風扇馬達、空調和電源管理開關
英飛凌全新CoolSiC MOSFET實現無需冷卻風扇的伺服驅動方案 (2020.11.16)
英飛凌科技支援機器人與自動化產業實作免維護的馬達變頻器,今日宣布推出採用最佳化D2PAK-7 SMD封裝、搭載.XT互連技術的全新1200V CoolSiC MOSFET,可實現被動冷卻。相較於矽基解決方案,其損耗可降低達80%,因此不再需要冷卻風扇與相關服務
英飛凌OptiMOS源極底置功率MOSFET 新添PQFN封裝40V裝置 (2020.11.03)
當代的電源系統設計需要高功率密度和精巧的外型尺寸,進而得到最高的系統級效能。英飛凌科技專注於強化元件級的系統創新,來應對上述挑戰。繼2月份推出25V裝置後,英飛凌再推出OptiMOS 40V低電壓功率MOSFET,採用源極底置(Source-Down;SD)的PQFN封裝,尺寸為3
貿澤供貨Microchip AgileSwitch相腳功率模組 整合MOSFET和二極體優點 (2020.10.16)
半導體與電子元件、授權代理商貿澤電子 (Mouser Electronics)宣布即日起供貨Microchip Technology最新的AgileSwitch相腳SiC MOSFET模組。此模組體積輕巧且具高整合度,整合了碳化矽(SiC)MOSFET和SiC二極體,將兩種裝置的優點結合到同一個解決方案之中
ROHM推出1cm2超小型車電MOSFET 滿足設備高密度需求 (2020.10.08)
近年來,隨著汽車電子化加速,汽車電子和半導體元件數量也呈現增加趨勢。因此,必須要在有限的空間裡安裝更多元件,使安裝密度也能夠越來越高。例如,1個車電ECU中的半導體和積層陶瓷電容的平均使用數量,預計將從2019年的186個,增加約三成至2025年的230個
降低開關損耗 儒卓力供貨Rohm節能SiC-MOSFET (2020.08.26)
Rohm的SCT3xxx xR系列包含六款具有溝槽閘結構(650V / 1200V)的碳化矽MOSFET元件,提供4引腳封裝(TO-247-4L)型款,與傳統3引腳封裝類型(TO-247N)相比,可最大限度地提高開關性能,並將開關損耗降低多達35%
英飛凌推出全新馬達系統IC 開拓汽車馬達系統的整合新境界 (2020.07.21)
從電動尾門、天窗、電動座椅調整乃至燃油泵等各種應用,電動馬達的數量越來越多,協助確保了現今汽車的安全與舒適性。 英飛凌科技推出全新馬達系統IC系列產品,專為控制有刷及無刷馬達所設計
英飛凌推出62mm CoolSiC模組 開闢碳化矽全新應用 (2020.07.17)
英飛凌科技旗下1200V CoolSiC MOSFET模組系列新添62mm工業標準模組封裝產品。62mm封裝之產品採用半橋拓撲設計及溝槽式晶片技術,已受到業界的肯定。此封裝為碳化矽打開了250kW以上(此為矽基IGBT技術在62mm封裝的功率密度極限)中等功率應用的大門
ROHM發表第4代低導通電阻SiC MOSFET (2020.06.17)
半導體製造商ROHM推出「1200V 第4代SiC MOSFET」,適合用於動力逆變器等車電動力總成系統和工控裝置電源。 對於功率半導體來說,當導通電阻降低時短路耐受時間就會縮短,兩者之間存在著權衡關係,因此在降低SiC MOSFET的導通電阻時,也必須同時考慮如何兼顧短路耐受時間
ST推出高整合度通用型車門鎖控制器 簡化設計並提升安全性 (2020.06.08)
半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics;ST)L99UDL01通用型車門鎖IC整合6個MOSFET半橋輸出和兩個半橋閘極驅動器,以及電路保護和診斷功能,可提升方案安全性、簡化設計並節省空間

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1 ROHM推出第五代Pch MOSFET 導通電阻大幅減半
2 Microchip首款碳化矽MOSFET 可降低50%開關損耗
3 三星首款MOSFET冰箱變頻器 採用英飛凌600V功率產品

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