CTIMES - Gan

宜普：氮化鎵將取代650伏特以下MOFEST市場規模約數十億美元 (2023.09.04)
隨著氮化鎵（GaN）技術在各產業中扮演起重要的角色，中國政府已積極透過資助計畫、研發補助以及激勵政策等方式來支持氮化鎵技術在中國的發展。此外，中國近年來出現了許多專注於研發氮化鎵的公司，並且包括復旦大學、南京大學、浙江大學及中國科學院等大學或研究機構也積極地投入氮化鎵相關領域的研究及發展

ST：以全面解決方案為工業市場激發智慧並永續創新 (2023.07.17)
意法半導體透過2023年工業巡迴論壇，更進一步在不同城市，為不同客戶延伸和展現工業解決方案、技術和產品。透過「激發智慧永續創新」的主軸，與會者能透過各種技術和產品以及解決方案的介紹，親身體驗前沿技術和激發智慧的應用

Tektronix發布雙脈衝測試解決方案加速SiC和GaN驗證時間 (2023.06.08)
Tektronix今日宣布推出新版雙脈衝測試解決方案（WBG-DPT解決方案）。各種新型的寬能隙切換裝置正不斷推動電動汽車、太陽能和工業控制等領域快速發展，Tektronix WBG-DPT解決方案能夠對SiC和GaN MOSFET等寬能隙裝置提供自動化、可重複和高準確的量測

緯湃科技和安森美簽署SiC長期供應協定投資碳化矽擴產 (2023.06.01)
緯湃科技（Vitesco Technologies）和安森美（onsemi）宣佈了一項價值19億美元（17.5億歐元）的碳化矽（SiC）產品10年期供應協定，以實現緯湃科技在電氣化技術方面的提升。緯湃科技是國際領先的現代驅動技術和電氣化解決方案製造商，將向安森美提供2

TI與光寶合作以GaN技術和即時MCU打造高效伺服電源供應器 (2023.03.02)
德州儀器（TI）宣布攜手光寶科技（光寶）正式在北美市場推出搭載 TI 高整合式氮化鎵（GaN、Gallium nitride）與 C2000TM 即時微控制器（MCU）的商用化伺服器電源供應器（PSU）

安森美與大眾汽車集團就電動車SiC技術達成策略協議 (2023.01.31)
安森美（onsemi）宣佈與德國大眾汽車集團 (VW)簽署策略協定，為大眾汽車集團的下一代平台系列提供模組和半導體元件，以實現完整的電動汽車 (EV) 主驅逆變器解決方案。安森美所提供的半導體將作為整體系統最佳化的一部分，形成能夠支援大眾車型前軸和後軸主驅逆變器的解決方案

德州儀器新任總裁兼執行長Haviv Ilan將於四月走馬上任 (2023.01.30)
德州儀器（TI）表示，董事會已遴選 Haviv Ilan 擔任公司新任總裁兼執行長（CEO），此次人事異動案自 4 月 1 日起生效。在 TI 服務 24 年的 Ilan 將接替現任總裁兼執行長 Rich Templeton，而 Templeton 將在未來兩個月內卸任上述職務，並持續擔任公司董事長

立錡科技與宜普電源轉換合作推出小型化140W快充解決方案 (2023.01.18)
宜普電源轉換公司（EPC）和立錡科技（Richtek）?手推出新型快充參考設計，使用RT6190降壓-升壓控制器和氮化鎵場效應電晶體EPC2204，可實現超過98%的效率。宜普電源轉換公司和立錡科技宣佈推出4開關雙向降壓-升壓控制器參考設計，可將12 V~24 V的輸入電壓轉換?5 V~20 V的穩壓輸出電壓，並提供高達5 A的連續電流和6.5 A的最大電流

重視汽車應用市場 ST持續加速碳化矽擴產 (2023.01.18)
汽車是ST非常重視的市場之一，2022年車用和離散元件產品部（ADG）佔了ST總營收的30%以上。車用和離散元件產品部擁有意法半導體大部分的車用產品，非常全面性的產品組合能夠支援汽車的所有應用

安森美的EliteSiC碳化矽系列方案提供更高能效 (2023.01.04)
安森美(onsemi)宣佈將其碳化矽(SiC)系列命名為「EliteSiC」。在CES上，安森美展示EliteSiC 系列的3款新成員：一款1700 V EliteSiC MOSFET和兩款1700 V雪崩EliteSiC肖特基二極體。這些新的器件為能源基礎設施和工業驅動應用提供可靠、高能效的性能

ROHM第4代SiC MOSFET成功導入日立安斯泰莫電動車逆變器 (2022.12.20)
ROHM第4代SiC MOSFET和閘極驅動器IC已被日本知名汽車零件製造商日立安斯泰莫株式會社（以下簡稱日立安斯泰莫）使用於電動車（以下簡稱EV）逆變器。在全球實現減碳社會的過程中，汽車的電動化進程持續加速，在此背景下，開發更高效、更小型、更輕量的電動動力總成系統已經成為必經之路

Transphorm按功率段發佈氮化鎵功率管可靠性評估資料 (2022.12.16)
Transphorm發佈了針對其氮化鎵功率管的最新可靠性評估資料。評估可靠性使用的失效率（FIT）是分析客戶現場應用中失效的器件數。迄今為止，基於超過850億小時的現場應用資料，該公司全系列產品的平均失效率(FIT)小於0.1

TI與群光電能合作將GaN導入節能筆電電源供應器 (2022.12.14)
德州儀器（TI）宣布與群光電能（群電）於其最新款 65W 筆電電源供應器「Le Petit」中導入 TI 高整合式氮化鎵（GaN、Gallium nitride）解決方案。搭載 TI 的整合式閘極驅動器 LMG2610 半橋 GaN FET，群電與 TI 成功縮小電源供應器體積達 1/2 ，並提升電源轉換效率至高達 94%

意法半導體與Soitec攜手開發SiC基板製造技術 (2022.12.08)
意法半導體（STMicroelectronics，ST）與半導體材料設計製造公司Soitec宣布下一階段的碳化矽（Silicon Carbide，SiC）基板合作計畫，意法半導體準備於18個月內完成Soitec碳化矽基板技術產前認證測試

Cambridge GaN Devices 融資擴大功率半導體裝置市場 (2022.11.22)
無晶圓廠半導體公司Cambridge GaN Devices（CGD），於2016年從英國劍橋大學工程系著名的功率裝置集團分割出來，已募集1900萬美元的Series B資金。此投資案由Parkwalk Advisors和BGF領投，另有IQ Capital、CIC、Foresight Williams Technology 和 Martlet Capital 跟投

TI：提高功率密度有效管理系統散熱問題 (2022.10.21)
幾乎各種應用的半導體數量都在加倍增加，電子工程師面臨的許多設計挑戰都與更高功率密度的需求息息相關。 ‧超大規模資料中心：機架式伺服器使用大量的電力，這對於想要因應持續成長需求的公用事業公司和電力工程師構成一大挑戰

ST將於義大利興建整合式碳化矽基板製造廠 (2022.10.06)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）將於義大利興建一座整合式碳化矽（Silicon Carbide；SiC）基板製造廠，以支援意法半導體客戶對汽車及工業用碳化矽元件與日俱增的需求，協助其邁向電氣化並追求更高效率

西門子與聯電合作開發3D IC hybrid-bonding流程 (2022.09.30)
西門子數位化工業軟體近日與聯華電子（UMC）合作，為聯華電子的晶圓對晶圓堆疊（wafer-on-wafer）及晶片對晶圓堆疊（chip-on-wafer）技術提供新的多晶片 3D IC 規劃、組裝驗證，以及寄生參數萃取（PEX）工作流程

安森美在捷克擴建碳化矽工廠未來兩年SiC產能提高16倍 (2022.09.22)
安森美(onsemi)，慶祝其在捷克共和國Roznov擴建的碳化矽「SiC」工廠的落成。以工業和貿易部科長Zbynek Pokorny、茲林州州長Radim Holis和市長Jiri Pavlica以及其他當地政要為首的多位嘉賓出席了剪綵儀式，突顯此事件和半導體製造在捷克共和國的重要性

TI：氮化鎵電源管理設計將被加速採用 (2022.09.15)
隨著全球技術不斷升級，電源設計人員對功率密度和系統級效率的關注也隨之提高，從而帶動更高效的寬能隙功率半導體應用由以往的資料中心擴展至測試和測量、儲能系統 (ESS) 及消費性電子等應用領域