CTIMES - Gan

TI：氮化鎵電源管理設計將被加速採用 (2022.09.15)
隨著全球技術不斷升級，電源設計人員對功率密度和系統級效率的關注也隨之提高，從而帶動更高效的寬能隙功率半導體應用由以往的資料中心擴展至測試和測量、儲能系統 (ESS) 及消費性電子等應用領域

碇基半導體獲4.56億元投資加速開發氮化鎵功率半導體 (2022.09.14)
台達子公司碇基半導體，宣布已完成新一輪4.56億新台幣的增資合約簽訂，且在這次增資的同時，獲得了與力智電子（uPI）、中美矽晶（SAS）、日商羅姆半導體（Rohm），以及母公司台達等夥伴建立策略合作關係，共同加速GaN功率半導體技術的發展

Transphorm獲得美國能源部合約提供新型四象限氮化鎵開關管 (2022.09.05)
Transphorm宣布贏得一份美國能源部先進能源研究計畫署(ARPA-E)的合約。該專案是ARPA-E CIRCUITS計畫的一部分，透過與伊利諾理工學院的轉包合約展開，包括提供採用氮化鎵的四象限雙向開關管(FQS)

GaN將在資料伺服器中挑起效率大樑 (2022.08.26)
GaN具有獨特的優勢，提供卓越的性能和效率，並徹底改變數據中心的配電和轉換、節能、減少對冷卻系統的需求，並最終使數據中心更具成本效益和可擴展性。

EPC推出ePower功率級積體電路實現更高功率密度和簡化設計 (2022.08.11)
宜普電源轉換公司（EPC）推出ePower功率級積體電路，它整合了整個半橋功率級，可在1 MHz工作時實現高達35 A的輸出電流，為高功率密度應用提供更高的性能和更小型化的解決方案，包括DC/DC轉換、馬達控制和D類音頻放大器等應用

飛宏新款65W配接器採用Transphorm氮化鎵技術 (2022.08.02)
全球電源產品和電動汽車充電站供應商飛宏（Phihong）新推出65W 2C1A USB PD配接器，其中採用Transphorm公司的氮化鎵（GaN）技術。這款配接器採用Transphorm的SuperGaN第四代技術，這是一種氮化鎵場效應管（FET）平台，具有系統設計簡單，元件數量少，高性能，高可靠等優點

EPC推出高功率密度100V抗輻射電晶體滿足嚴格航太應用 (2022.07.05)
EPC推出100V、7mΩ、160 APulsed的抗輻射GaN FET EPC7004。尺寸小至6.56 mm2，其總劑量等級大於1 Mrad，線性能量轉移的單一事件效應抗擾度為85 MeV/(mg/cm2)。EPC7004與EPC7014、EPC7007、EPC7019和EPC7018元件都是採用晶片級封裝，這與其他商用的氮化鎵場效應電晶體（eGaN FET）和IC相同

ST攜手MACOM 達成射頻矽基氮化鎵原型晶片性能新里程 (2022.06.14)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）和MACOM已成功製造出射頻矽基氮化鎵（RF GaN-on-Si）原型晶片。意法半導體與MACOM將繼續合作，並加強雙方的合作關係。射頻矽基氮化鎵為5G和6G基礎建設之應用帶來巨大的發展潛力

[COMPUTEX] 德儀：運用GaN技術可提升資料中心的能源效率 (2022.05.26)
德州儀器(TI)副總裁暨台灣、韓國與南亞總裁李原榮，今（26）日於2022 COMPUTEX Taipei論壇中表示，TI將協助客戶充分發揮氮化鎵（GaN）技術的潛力，以實現更高的功率密度和效率

EPC積極發展光達應用的車規認證積體電路 (2022.04.29)
EPC公司宣佈推出額定電壓?100 V、58 mΩ 和脈衝電流為20 A 的共源雙路氮化鎵場效應電晶體EPC2221，可用於機器人、監控系統、無人機、自動駕駛車輛和吸塵器的光達系統。 EPC2221採用低電感、低電容設計，允許快速開關 (100 MHz) 和窄脈衝寬度 (2 ns)，從而實現高解析度和高效率

羅姆集團旗下SiCrystal紀念成立25周年 (2022.04.28)
半導體製造商羅姆集團旗下的 SiCrystal GmbH（以下簡稱SiCrystal）迎來了成立25周年紀念日。SiCrystal是一家總部位於德國紐倫堡的SiC（碳化矽）晶圓製造商，經過了25年的發展，目前已將業務範圍擴展到全世界，並擁有200多名員工

EPC新350V氮化鎵功率電晶體　比等效矽元件小20倍且成本更低 (2022.04.08)
宜普電源轉換公司（EPC）推出 EPC2050，這是一款 350 V GaN 電晶體，最大 RDS(on) 為 80 mΩ，?衝輸出電流? 26 A。 EPC2050 的尺寸僅為 1.95 mm x 1.95 mm。與採用等效矽元件的解決方案相比，基於EPC2050的解決方案的佔板面積小十倍

宏光半導體以GaN核心力全方位建構實現策略性轉型 (2022.04.01)
宏光半導體專注經營發光二極管（LED）燈珠業務，持續追尋多元化發展，於年內正式投身第三代半導體氮化鎵（「GaN」）行業。集團憑藉其在LED製造方面的行業專業知識，將業務擴展至第三代半導體晶片設計製造及系統應用解決方案

ROHM建立8V閘極耐壓150V GaN HEMT量產體制 (2022.03.29)
半導體製造商ROHM已建立150V耐壓GaN HEMT?GNE10xxTB系列（GNE1040TB）?的量產體制，該系列產品的閘極耐壓（閘極-源極間額定電壓）高達8V，非常適用於基地台、資料中心等工控設備和各類型IoT通訊裝置的電源電路

ST：發展碳化矽技術關鍵在掌控整套產業鏈 (2022.03.14)
電源與能源管理對人類社會未來的永續發展至關重要。意法半導體汽車和離散元件產品部（ADG）執行副總裁暨功率電晶體事業部總經理Edoardo MERLI指出，由於全球能源需求正在不斷成長，我們必須控制碳排放，並將氣溫上升控制在1

ST第三代碳化矽技術問世瞄準汽車與工業市場應用 (2022.03.14)
電源與能源管理對人類社會未來的永續發展至關重要，由於全球能源需求正在不斷成長，因此必須控制碳排放，並將氣溫上升控制在1.5度以下，減排對此非常重要，但要實現這些要有科技的支援，包括可再生能源的利用，ST對此也有制定一些具體的目標

下半年8吋基板將量產第三類功率半導體2025年CAGR達48% (2022.03.10)
據TrendForce研究推估，第三類功率半導體產值將從2021年的9.8億美元，至2025年將成長至47.1億美元，年複合成長率達48%。 SiC適合高功率應用，如儲能、風電、太陽能、電動車、新能源車等對電池系統具高度要求的產業

Ampleon發佈增強效能的第3代GaN-on-SiC電晶體 (2022.02.23)
埃賦隆半導體（Ampleon）推出兩款新型寬頻碳化矽基氮化鎵（GaN-on-SiC）高電子遷移率電晶體（HEMT），功率等級分別為30W的CLF3H0060(S)-30和100W的CLF3H0035(S)-100。這兩款高線性度元件是最近通過認證並投入生產的第3代GaN-SiC HEMT制程的首發產品

Wise-integration與益登合作拓展GaN IC電源半導體產品通路 (2022.02.10)
GaN晶片和GaN電源數位控制商Wise-integration(懷智整合)，攜手益登科技，共同宣布針對GaN電源半導體進行通路合作，攜手拓展Wise-integration在亞洲市場的業務。益登科技與Wise-integration的策略合作將著重於利用Wise-integration的GaN功率電晶體和數位控制能力，並與益登科技在亞洲地區廣泛的半導體元件銷售通路和顧客服務能力做結合

意法半導體推出高效節能且更纖薄的首款PowerGaN產品 (2022.01.12)
意法半導體（STMicroelectronics，ST）推出了屬於STPOWER產品組合的新系列GaN功率半導體產品，能大幅降低各種電子產品的能量消耗並縮小尺寸。主要應用於消費性電子產品，例如，充電器、PC外接電源適配器、LED照明驅動器、電視機等家電內部電源