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科技
典故
第一顆電晶體(Transistor)的由來

第二次世界大戰末期,貝爾實驗室開始一項研究計畫,目標是研發出一種體積更小、功能更強大、更快速且可靠的裝置來取代真空管。1947年12月23日,由貝爾實驗室研發的電晶體取代了真空管,優點是體積更小、更可靠、且成本低廉,不僅孕育了今日遍及全球的電子半導體產業,同時也促成電訊電腦業、醫學、太空探測等領域產生戲劇性的改變。
ROHM榮獲EcoVadis的2021年永續發展最高評價「白金獎」 (2022.01.10)
半導體製造商ROHM在 EcoVadis(總部位於法國)的2021年永續發展調查中,獲得最高評價「白金獎」,這是ROHM首次榮獲該獎項。「白金獎」是針對約80,000家評價對象中排名前1%企業所頒發的獎項
中美矽晶佈局化合物半導體 成功開發各尺寸晶圓產品 (2021.12.22)
中美矽晶集團積極發展化合物半導體,如碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)、鉭酸鋰及鈮酸鋰等。在本屆的國際光電大展中,中美矽晶集團攜手旗下半導體子公司環球晶圓及轉投資事業
ST推出第三代碳化矽產品 推動電動汽車和工業應用未來發展 (2021.12.15)
意法半導體(STMicroelectronics,ST)推出第三代STPOWER碳化矽(SiC) MOSFET電晶體,推動最先進的技術在電動汽車動力傳動系統功率設備的應用,以及在其他以功率密度、節能、高可靠性為重要目標的應用
800V架構漸近 2025年電動車對6吋SiC晶圓需求將達169萬片 (2021.12.01)
電動車市場對於延長續航里程及縮短充電時間有著極大需求,整車平臺高壓化趨勢愈演愈烈,對此各大車企已陸續推出800V高壓車型,例如Porsche Taycan、Audi Q6 e-tron、Hyundai Ioniq 5等
A*STAR微電子研究所和ST合作 研發電動汽車與工業用碳化矽 (2021.11.30)
科學技術研究局(A*STAR)微電子研究所(Institute of Microelectronics,IME)與意法半導體(STMicroelectronics)宣布,在汽車和工業市場功率電子設備用碳化矽(SiC)領域展開研發(R&D)合作
ST隔離式SiC閘極驅動器問世 採用窄型SO-8封裝節省空間 (2021.11.04)
意法半導體(STMicroelectronics)新推出之STGAP2SiCSN是為控制碳化矽MOSFET而優化的單通道閘極驅動器,其採用了節省空間的窄體SO-8封裝,具備穩定的效能和精準的PWM控制。 SiC功率技術被廣泛使用於提升功率轉換效率,而STGAP2SiCSN SiC驅動器可簡化節能型電源系統、驅動和控制電路設計以節省空間,並加強穩定性和可靠性
安森美完成收購GT Advanced Technologies 強化碳化矽實力 (2021.11.02)
安森美(onsemi),於美國時間11月1日宣佈,已完成對碳化矽(SiC)生產商GT Advanced Technologies(「GTAT」)的收購,確保和增加SiC供應的能力。 安森美的客戶將受益於GTAT在晶體生長方面的豐富經驗,及其在開發晶圓就緒的SiC方面令人嘆服的技術能力和專業知識
「2021電源管理與電力設計研討會」特別報導 (2021.10.27)
愛德克斯:高整合電驅系統當道 電機與電池模擬測試是關鍵 電動車產業正如火如荼的發展,包含台灣在內,各國政府也透過法令與補貼政策,全力推動電動車市場的成形
ROHM榮獲UAES SiC功率解決方案優先供應商殊榮 (2021.10.27)
半導體製造商ROHM榮獲中國車界Tier1供應商—聯合汽車電子有限公司(UAES)的SiC功率解決方案優先供應商殊榮。 UAES和ROHM自2015年開始技術交流以來,雙方在採用SiC功率元件的車電應用產品開發方面建立了合作夥伴關係
正海集團與ROHM協議合資公司 發展碳化矽功率模組 (2021.10.22)
正海集團與ROHM簽署合資協定,將共同成立一間主要經營功率模組事業的新公司。新公司名為上海海姆希科半導體有限公司(HAIMOSIC (SHANGHAI) CO., LTD.),計畫於2021年12月在中國成立,出資比例為正海集團旗下的上海正海半導體技術有限公司佔80%,ROHM佔20%
中央大學攜手是德 建立第三代半導體研發暨測試開放實驗室 (2021.09.28)
是德科技(Keysight)攜手國立中央大學光電科學研究中心(National Central University Optical Sciences Center),共同合作提高了GaN、SiC應用研發及測試驗證之效率,並加速5G基建及電動車創新之步伐
UnitedSiC推出最小導通電阻6mΩ SiC FET 耗損僅競品的一半 (2021.09.14)
碳化矽(SiC)功率元件的應用正快速且廣泛的成長中,尤其是電動車相關的市場,而SiC元件的性能優劣也成為供應商的決勝點。而專注於碳化矽元件技術開發的美商UnitedSiC(聯合碳化矽),今日推出了一款業界最佳的750V SiC FET產品,該元件的導通電阻(RDS on)僅有6mΩ,僅有競爭對手SiC MOSFET產品的一半,並提供了5μs額定短路耐受時間
應用材料助碳化矽晶片製造 加速升級至200毫米晶圓 (2021.09.09)
應用材料公司推出新產品,協助全球領先的碳化矽 (SiC) 晶片製造商,從150毫米晶圓製造升級為200毫米製造,增加每片晶圓裸晶 (die) 約一倍的產量,滿足全球對優質電動車動力系統日益增加的需求
聯華電子與頎邦科技 經股份交換建立策略合作關係 (2021.09.06)
聯華電子、宏誠創投(聯電持股100%子公司)及頎邦科技董事會今日分別通過股份交換案,聯華電子及頎邦科技兩家公司將建立長期策略合作關係。 聯電以先進製程技術提供晶圓製造服務,為IC產業各項應用產品生產晶片,並且持續推出尖端製程技術及完整的解決方案,以符合客戶的晶片設計需求,所提供方案橫跨14奈米到0
盛美發佈首台晶圓級封裝和電鍍應用電鍍設備 (2021.08.31)
盛美半導體設備發佈了新產品—Ultra ECP GIII電鍍設備,以支援化合物半導體(SiC, GaN)和砷化鎵(GaAs) 晶圓級封裝。該系列設備還能將金(Au)鍍到背面深孔制程中,具有更好的均勻性和臺階覆蓋率
拓展碳化矽實力 安森美將收購GT Advanced (2021.08.26)
安森美(onsemi)和碳化矽 (SiC) 生產商GT Advanced Technologies (「GTAT」) 於美國時間8月25日宣佈已達成最終協定,根據該協定,安森美將以4.15億美元現金收購GTAT。 GTAT 成立於 1994 年,在包括 SiC 在內的晶體成長方面擁有豐富的經驗
邊緣運算推升伺服器需求 英飛凌讓電源供應器更小更有效率 (2021.08.15)
全球的數據量正在加速爆走中,尤其是物聯網和邊緣運算應用被逐步導入市場之後,各種機器與設備的資料和數據,就日夜不停地被記錄與傳送到雲端資料中心與伺服器之中,直接推升了各個領域對於伺服器的建置需求
意法半導體製造首批8吋碳化矽晶圓 (2021.08.13)
意法半導體(STMicroelectronics)宣布,ST瑞典Norrkoping工廠製造出首批8吋(200mm)碳化矽(SiC)晶圓,這些晶圓將用於生產下一代功率電子晶片產品原型。將SiC晶圓升級到8吋代表著ST針對汽車和工業客戶的擴產計畫獲得重要階段性的成功
Microchip推出耐固性最強的碳化矽功率解決方案 取代矽IGBT (2021.07.28)
Microchip Technology Inc.今日宣佈擴大其碳化矽產品組合,推出一系列高效率、高可靠性的1700V碳化矽MOSFET裸片、分離元件和電源模組。 Microchip的1700V碳化矽技術是矽IGBT的替代產品
科銳攜手邁凌科技 實現新型超寬頻5G技術 (2021.07.14)
科銳 (Cree, Inc.,)宣佈,與美商邁凌科技(MaxLinea)成功合作,結合科銳 Wolfspeed碳化矽基氮化鎵(GaN-on-SiC)中頻功率放大器,和美商邁凌科技超寬頻線性化解決方案(MaxLin),增加了 5G 基地台的無線容量,可支援更多人同時使用,並且提高了資料傳輸速度

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9 科銳攜手邁凌科技 實現新型超寬頻5G技術
10 中美矽晶佈局化合物半導體 成功開發各尺寸晶圓產品

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