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電動壓縮機設計核心-SiC模組 (2024.09.29) 電動壓縮機是電動汽車熱管理的核心零組件,對於電驅動系統的溫度控制具有重要作用,對電池的使用壽命、充電速度和續航里程均至關重要,本文主要討論SiC MOSFET 離散元件方案 |
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ROHM推出4款工業電源適用SOP封裝通用AC-DC控制器IC (2024.09.10) ROHM推出PWM控制方式FET外接型通用控制器IC,非常適用於工業設備的AC-DC電源。目前已有支援多種功率電晶體共4款新產品投入量產,包括低耐壓MOSFET驅動用「BD28C55FJ-LB」、中高耐壓MOSFET驅動用「BD28C54FJ-LB」、IGBT驅動用「BD28C57LFJ-LB」以及SiC MOSFET驅動用「BD28C57HFJ-LB」 |
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ROHM與UAES簽署SiC功率元件長期供貨協議 (2024.09.05) 半導體製造商ROHM與中國車界Tier1供應商—聯合汽車電子有限公司(United Automotive Electronic Systems,UAES)簽署了SiC功率元件的長期供貨協議。
UAES和ROHM自2015年開始技術交流以來,雙方在SiC功率元件的車載應用產品開發方面也建立了合作夥伴關係 |
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ROHM第4代SiC MOSFET裸晶片導入吉利電動車三款主力車型 (2024.08.29) 半導體製造商ROHM內建第4代SiC MOSFET裸晶片的功率模組,成功導入至浙江吉利控股集團(以下稱吉利)的電動車(以下稱EV)品牌「ZEEKR」的「X」、「009」、「001」三款車型的主機逆變器 |
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ROHM推出車電Nch MOSFET 適用於車門座椅等多種馬達及LED頭燈應用 (2024.08.28) 在汽車領域,隨著安全性和便利性的提高,電子產品逐漸增加,電子元件數量也與日俱增,而為了提高燃油效率和降低電耗,更是要求需降低上述產品的功耗。其中針對車電開關應用不可或缺的MOSFET市場,對導通電阻低、損耗低且發熱量低的產品需求逐漸高漲 |
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100%綠電運營 英飛凌啟用全球最大8吋SiC功率半導體晶圓廠 (2024.08.08) 英飛凌科技宣布,其位於馬來西亞的新廠一期建設正式啟動運營。建設完成後,該廠將成為全球最大且最具競爭力的8吋碳化矽(SiC)功率半導體晶圓廠。馬來西亞總理拿督思里安華、吉打州務大臣拿督思里莫哈末沙努西與英飛凌執行長 Jochen Hanebeck 一同進行啟用儀式 |
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德州儀器與台達電子合作 推動電動車車載充電技術再進化 (2024.07.03) 德州儀器(TI)與台達電子展開長期合作,共同開發次世代電動車車載充電與電源解決方案。這項合作將於雙方在台灣平鎮的創新聯合實驗室進行,結合雙方在電源管理與電力傳輸方面的研發量能,共同推動功率密度、效能與尺寸最佳化,加速實現更安全、充電快速和實惠的電動車 |
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TI首款GaN IPM問世 實現更小更具能源效率的高電壓馬達設計 (2024.06.26) 德州儀器 (TI) 推出適用於 250W 馬達驅動器應用的 650V 三相 GaN IPM(Intelligent Power Module)。這款全新 GaN IPM 能協助工程師克服在設計大型家用電器以及暖通空調(HVAC)系統時常面臨的多數設計與性能的問題 |
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意法半導體於義大利打造世界首座一站式碳化矽產業園區 (2024.06.24) 意法半導體(STMicroelectronics,ST),將於義大利卡塔尼亞打造一座結合8吋碳化矽(SiC)功率元件和模組製造、封裝、測試於一體的綜合性大型製造基地。透過整合同一地點現有之碳化矽基板製造廠,意法半導體將打造一個碳化矽產業園區,達成在同一個園區內全面垂直整合製造及量產碳化矽之願景 |
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安森美於捷克打造端到端碳化矽工廠 完備先進功率半導體供應鏈 (2024.06.20) 電氣化、再生能源和人工智慧是全球大勢所趨,激發了市場對可最佳化能源轉換和管理的先進功率半導體的空前需求。為滿足這些需求,安森美採取了戰略舉措,宣佈將在捷克建造先進的垂直整合碳化矽 (SiC) 製造工廠 |
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安森美第7代IGBT模組協助再生能源簡化設計並降低成本 (2024.06.12) 安森美(onsemi) 最新發佈第 7 代 1200V QDual3 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 功率模組,與其他同類產品相比,該模組的功率密度更高,且提供高10%的輸出功率。這800 安培 (A) QDual3 模組基於新的場截止第 7 代 (FS7) IGBT 技術,帶來出色的效能表現,有助於降低系統成本並簡化設計 |
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Power Integrations收購Odyssey 為GaN技術的持續發展提供支援 (2024.05.08) Power Integrations這家節能型電源轉換領域的高壓積體電路領導廠商,宣佈收購垂直氮化鎵 (GaN) 電晶體技術開發者 Odyssey Semiconductor 的資產。這項交易預計將於 2024 年 7 月完成,之後 Odyssey 的所有重要員工預期會加入 Power Integrations 的技術組織 |
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A+計劃補助電動車產業 驅動系統、晶片和SiC衍生投資3億元 (2024.04.30) 為提升當前電動車主快充體驗與滿足長續航里程等需求,關鍵系統技術正持續進步。經濟部也在近期「A+企業創新研發淬鍊計畫」決審會議中通過3項計畫,分別從電動車驅動系統、半導體晶片製程技術和碳化矽(SiC)元件的品質控制方面創新技術和提升產業 |
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羅姆SiCrystal與意法半導體合作 擴大SiC晶圓供貨協議 (2024.04.22) 半導體製造商ROHM和意法半導體(ST)宣佈,羅姆集團旗下的SiCrystal GmbH(SiCrystal)將擴大目前已持續多年的150mm SiC晶圓長期供貨協議。
擴大後的協議約定未來數年將向ST供應在德國紐倫堡生產的SiC晶圓,預計協議期間的交易額將超過2.3億美元 |
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TI創新車用解決方案 加速實現智慧行車的安全未來 (2024.04.18) 伴隨汽車電氣化程度提高與電動車的普及,車內配電與佈線複雜度也隨之攀升,TI透過牽引逆變器、車載充電器等系統與元件的創新解決方案,掌握配電監控、升降壓管理等安全性核心技術,協助汽車工程師簡化設計並打造更安全的車輛 |
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ST碳化矽數位電源方案被肯微科技採用於高效伺服器電源供應器 (2024.03.22) 意法半導體(STMicroelectronics,ST)與高效能電源供應領導廠商肯微科技合作,設計及研發使用ST領先業界的碳化矽(SiC)、電氣隔離和微控制器的伺服器電源參考設計技術 |
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TI新型功率轉換器突破電源設計極限 助工程師實現更高功率密度 (2024.03.06) 德州儀器(TI)推出兩款新型功率轉換器產品組合,協助工程師在更小的空間內實現更大的功率,以更低的成本提供最高的功率密度。TI的新型100V整合式氮化鎵(GaN)功率級採用耐熱增強型雙面冷卻封裝技術,可簡化散熱設計並在中電壓應用裡實現超過1.5kW/in3的最高功率密度 |
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ROHM EcoGaN產品被台達電子45W輸出AC適配器採用 (2024.02.27) 半導體製造商ROHM推出的650V GaN元件(EcoGaN),被台灣台達電子(Delta Electronics)的45W輸出AC適配器「Innergie C4 Duo」 採用。該產品透過搭載可提高電源系統效率的ROHM EcoGaN「GNP1150TCA-Z」元件,在提高產品性能和可靠性的同時,更實現了小型化 |
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英飛凌2024年第一季度業績表現強勁 營收達37億歐元 (2024.02.17) 英飛凌 2024 會計年度第一季營收 37.02 億歐元,部門利潤達 8.31 億歐元,利潤率為 22.4%。2024會計年度第二季展望:基於1歐元兌換1.10 美元的假設匯率,預期營收約為 36 億歐元 |
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英飛凌GaN功率方案助歐姆龍實現輕小車聯網充電系統 (2024.02.05) 英飛凌科技與歐姆龍社會解決方案公司合作。結合英飛凌氮化鎵(GaN)功率解決方案與歐姆龍的電路拓樸和控制技術,賦能歐姆龍社會解決方案公司實現了一款車聯網(V2X)充電系統,這是尺寸小,同時重量輕巧的系統之一 |