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CTIMES / 閘極驅動器
科技
典故
電腦病毒怎麼來的?

電腦病毒最早的概念可追溯回1959年一種叫做 「磁蕊大戰」(core war)的電子遊戲,這種遊戲的意義在於,程式是可以自我大量複製的,並可與其他程式對抗進行破壞,造成電腦軟、硬體的損毀。而後在1987年,C-Brain程式會吃盜拷者的硬碟空間,C-Brain的惡性變種就成為吃硬碟的病毒。
英飛凌推出新款雙通道隔離閘極驅動器 IC 系列產品 (2018.11.28)
英飛凌科技股份有限公司推出全新雙通道隔離式 EiceDRIVER IC 系列,適用於高效能電源轉換應用。新款閘極驅動器 IC 系列產品是高壓 PFC 與 DC-DC 級以及伺服器、電信及工業切換模式電源供應器 (SMPS) 中的同步整流級的理想選擇
EiceDRIVER 搭配 CoolMOS CFD2 可實現優異冷藏效率 (2018.10.25)
本文說明閘極驅動器電路有效設計的基本考量,以及結合運用 EiceDRIVER IC 及 CoolMOS CFD2 所帶來的效益。
英飛凌1EDC Compact系列單通道閘極驅動器 符合UL 1577認證 (2018.05.31)
英飛凌科技股份有限公司推出EiceDRIVER 1EDC Compact 300 mil系列的單通道閘極驅動器 IC。本系列電氣隔離驅動器可承受60秒的 VISO= 2500V(rms) 隔離電壓測試,符合UL 1577 認證。 由於切換頻率高達1,000kHz,不僅能驅動IGBT,也能整合至要求嚴苛的SiC MOSFET拓撲中
Power Integrations的SCALE閘極驅動器現已提供保形塗層 (2018.05.03)
Power Integrations宣佈保形塗層用於其SCALE IGBT和MOSFET驅動器,保形塗層透過保護電子元件免於接觸污染物 (例如污染、灰塵和冷凝,這些可能會造成腐蝕),來提升系統可靠性,Power Integrations出廠的塗層閘極驅動器不需要製造商將電路板傳送給分包商進行清潔和塗佈,從而降低庫存成本、縮短訂貨交付時間,以及降低總擁有成本
Power Integrations 最新閘極驅動器 供高達5A的電流 (2017.11.29)
Power Integrations推出其SCALE-iDriver IC系列的最新產品SID1102K,是一款採用寬本體eSOP封裝的單通道隔離式IGBT和MOSFET閘極驅動器。 具有高達5A的峰值驅動電流,能夠在不使用升壓器的情況下驅動300A切換開關;可使用外部升壓器,以具有成本效益的方式將閘極電流擴展至高達60A的峰值
透過IGBT 閘極驅動器的先進裝置簡化高電壓、高電流變頻器 (2017.11.02)
本文聚焦於 EV 變頻器,探討在降低成本的同時,提高系統效率及功能安全性的未來趨勢。
凌力爾特推出38V輸入同步升壓控制器 (2016.11.08)
凌力爾特(Linear Technology)日前推出 H 等級版本的 LTC3786,該元件為一款同步升壓 DC/DC 控制器,可保證於接面溫度高達攝氏150度的操作。LTC3786 採用 N 通道 MOSFET 取代升壓二極體以提高效率並降低功耗
德州儀器推出適用於高壓應用的快速隔離式閘極驅動器 (2016.08.03)
德州儀器(TI)推出快速的5.7k VRMS隔離式雙通道閘極驅動器、同時也為TI隔離產品組合中新閘極驅動器產品系列中的第一款產品。UCC21520隔離式驅動器的靈活性和通用相容性,使其適合應用於低階、高階、高階/低階或半橋式電源管理設計中
Diodes閘極驅動器可在半橋或全橋組態下開關功率MOSFET與IGBT (2016.03.14)
Diodes公司新推出的DGD21xx系列包括6款半橋式閘極驅動器及6款高/低側600V閘極驅動器,可在半橋或全橋組態下輕易開關功率MOSFET與IGBT。目標應用包括大型家電的驅動馬達、工業自動化系統以及電動自行車和無人駕駛飛機等以電池供電的運載工具
伺服器DC/DC設計擁抱數位化 (2015.11.11)
或許是因為伺服器需要因應多變的應用服務業者, 再加上營運成本也是極為重要的課題, 在DC/DC的設計難度,似乎不在AC/DC之下。 而數位化,就成了唯一的選擇。
ADI推出數位隔離型IGBT閘極驅動器 (2015.05.22)
全球高效能訊號處理解決方案廠商亞德諾半導體(ADI)推出隔離型IGBT閘極驅動器─ADuM4135,提升工業馬達控制應用中電動馬達的能源效率、可靠性和系統控制性能。結合獲獎的ADI iCoupler數位隔離技術
宜普電源推出單片式氮化鎵半橋功率電晶體 (2015.01.23)
宜普電源轉換公司(EPC)推出EPC2102(60 V)及EPC2103(80 V)增強型單片式氮化鎵半橋元件。可推動48 V轉12 V降壓轉換器在20 A輸出電流下實現超過97%的系統效率。在於透過整合兩個eGaN功率場效應電晶體而成為單個元件可以除去印刷電路板上元件之間的相連電感及空隙,使電晶體的占板面積減少50%
Diodes全新MOSFET閘極驅動器提升轉換效率 (2015.01.08)
Diodes公司推出一對1A額定值的40V輕巧閘極驅動器ZXGD3009E6及ZXGD3009DY,能用在控制板上和嵌入式電源以及馬達驅動電路的高電流功率MOSFET。ZXGD3009E6(採用SOT26封裝)和 ZXGD3009DY(採用SOT363封裝)可縮短MOSFET的開關時間,有助於盡量降低開關損耗、改善功率密度,以及提升整體轉換效率
宜普電源推出單片半橋式氮化鎵功率電晶體 (2014.12.09)
為了協助功率系統設計增加效率與功率密度,宜普電源轉換公司(EPC)推出60 V單片半橋式氮化鎵功率電晶體-- EPC2101。透過整合兩個eGaN功率場效應電晶體而成?單個元件,可以除去互連電感及電路板上元件之間所需的空隙,使得電晶體的占板面積?少50%
意法半導體新款智慧型單路閘極驅動器整合電流隔離 (2014.12.08)
意法半導體(STMicroelectronics;ST)推出先進的單路閘極驅動器(single-channel gate driver)STGAP1S。新產品在同一晶片上整合電流隔離(galvanic isolation)與類比邏輯電路圖(logic circuitry),可協助設計人員簡化驅動器的設計,同時確保產品具有良好的雜訊免除力(noise immunity),實現安全可靠的功率控制
Linear推出高速、高輸入同步MOSFET閘極驅動器 (2011.02.28)
凌力爾特(Linear)於日前宣佈,推出新款H 等級版本的LTC4444/-5,其為高速、高輸入供應電壓 (100V) 同步 MOSFET閘極驅動器,專為在同步整流之轉換器架構中,驅動較高和較低側N 通道MOSFET 而設計

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