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Google的誕生與成功秘訣

Google 憑藉的是效能而非花俏的服務,以高水準的搜尋品質,及在使用者間獲得的高可信賴度,成為網路業的模範。而搜尋方法就是Google成功的祕密所在。
力旺攜手聯電推出新興非揮發記憶體ReRAM矽智財 (2021.11.04)
力旺電子與聯電(UMC)今日宣布,力旺電子的可變電阻式記憶體(ReRAM)矽智財已成功通過聯電40奈米認證,支援消費性與工業規格之應用。 力旺電子的ReRAM矽智財於聯電40奈米製程驗證成功,充分顯示力旺不但在傳統非揮發記憶體矽智財產品線穩居領先地位,也在新興非揮發記憶體技術研發佈局有成
力旺攜手熵碼 與美國DARPA建立技術夥伴關係 (2021.06.09)
力旺電子今日宣布,已與美國國防高等研究計畫署 (Defense Advanced Research Projects Agency,簡稱 DARPA) 簽署合約共享安全矽智財解決方案,提升其半導體安全防護層級,以加快推進DARPA計畫的技術創新
Achronix採用力旺矽智財 實現FPGA硬體安全信任根 (2021.04.28)
力旺電子今日宣布,與FPGA矽智財商Achronix合作,開發高安全性之FPGA產品,搶攻半導體市場。 NeoFuse與NeoPUF矽智財可強化Achronix的產品組合,提供穩固的硬體安全信任根(hardware root of trust)基礎,來確保元件以及FPGA的編程是可靠且被安全保護的
力旺、熵碼攜手聯電 開發PUF應用安全嵌入式快閃記憶體 (2020.12.10)
力旺電子(eMemory)及其子公司熵碼科技(PUFsecurity)與晶圓大廠聯華電子(UMC)今日宣布,三方成功共同開發全球首個PUF應用安全嵌入式快閃記憶體解決方案PUFflash。 熵碼科技的PUFflash結合三方技術強項,將力旺電子的NeoPUF導入聯華電子55nm嵌入式快閃記憶體技術平台,為市場提供了安全嵌入式快閃記憶體解決方案
力旺NeoMTP矽智財於台積0.18微米第三代BCD製程驗證成功 (2020.03.16)
力旺電子今日宣布其嵌入式可多次編寫(Multiple-Times Programmable,MTP)記憶體矽智財NeoMTP已成功於台積公司第三代0.18微米BCD (Bipolar-CMOS-DMOS)製程完成驗證,提供IoT電源管理晶片(Power Management IC,PMIC) 客戶極佳成本優勢的NVM矽智財解決方案
力旺電子攜手Arm 共創物聯網晶片安全生態系統 (2019.12.19)
力旺電子今日宣佈與Arm合作,共同推出先進物聯網晶片安全應用解決方案。 力旺電子提供其矽智材NeoFuse IP嵌入Arm CryptoIsland-300P 系列硬體中作為永久性的資料儲存。Arm CryptoIsland-300P 系列解決方案能夠從製造初期即建立其可靠性並延續至整個IC產品週期,全方位滿足晶片設計製造生產流程之高層級安全需求
力旺電子NeoFuse成功導入華邦25奈米DRAM製程平台 (2019.06.25)
力旺電子今日宣布其一次可編程(OTP)記憶體矽智財NeoFuse成功導入華邦電子25奈米DRAM製程平台,即將進入量產階段,有助於客戶在車用、工業、5G通訊等新的市場應用取得先機
力旺二代MTP佈局Dongbu Hitek BCD製程 專攻電源管理應用 (2018.08.07)
力旺電子宣佈其第二代嵌入式可多次編寫(Multiple-Times Programmable,MTP)記憶體矽智財NeoMTP已於Dongbu Hitek 0.18um BCD製程完成佈局,專攻電源管理IC,因應日益增加的無線充電和USB Type C應用之需求
力旺NeoMTP矽智財布局TowerJazz BCD製程 (2018.08.01)
為因應無線充電和USB Type C客戶之需求,力旺電子宣布其嵌入式可多次編寫記憶體矽智財NeoMTP已於TowerJazz 0.18um BCD 製程平台完成可靠度驗證,即日起可供使用,力旺在專攻電源管理應用的BCD製程又完成一重大布局
力旺嵌入式非揮發性記憶體已完成可靠度驗證 (2011.07.18)
力旺電子(ememory)於日前宣佈,其單次可程式記憶體NeoBit技術,已順利於台積公司80奈米高電壓製程完成可靠度驗證,並已成功導入客戶之高畫質顯示驅動晶片,將應用於下一世代智慧型手機
力旺及韓商合作邏輯製程嵌入式非揮發記憶體 (2008.09.12)
繼本年度第一季,力旺電子與半導體製造廠商美格納(MagnaChip)共同宣佈,力旺電子開發之Neobit嵌入式非揮發性記憶體矽智財於MagnaChip邏輯及高壓製程上進行驗證,力旺電子與MagnaChip積極回應客戶之需求,佈局相關製程平台之開發,已展現具體成效
富士通採用力旺嵌入式非揮發性記憶體 (2008.05.28)
力旺電子宣佈其與日商富士通微電子有限公司合作,富士通微電子採用力旺電子開發之Neobit嵌入式非揮發性記憶體矽智財,開發0.18微米高壓及邏輯製程平台。富士通微電子藉此平台可提供更完整的專業晶圓代工製造服務
台灣矽智財產業新增兩名生力軍 (2006.08.08)
台灣半導體矽智財版圖擴張中,台積電啟動旗下轉投資創意電子上市。創意最快9月底上市,而擁有嵌入式非揮發式記憶體IP業者力旺,也規劃2007年增資上市,2家生力軍加入公開發行行列,打破過去檯面上僅智原1家的局面,同時代表台灣矽智財產業邁向成熟,加速國內半導體產業升級
Dialog、特許及力旺合作 推出手機彩色LCD驅動器 (2004.06.24)
無線產品開發混合信號方案廠商Dialog Semiconductor宣佈推出針對行動電話市場的彩色液晶顯示(LCD)驅動器新產品線。該產品製造使用了全球三大半導體代工廠商之一的新加坡特許半導體製造公司(Chartered Semiconductor Manufacturing)的製程方案,並且採用嵌入式非揮發性記憶體技術開發廠商力旺電子的設計方案
快閃記憶卡市場蓬勃 企業應致力提昇產品附加價值 (2004.06.16)
國際快閃記憶體市調機構Web-Feet估計,全球SD/MMC快閃記憶卡銷售量到2007年時將突破2億片。看準這生機蓬勃的市場,力旺電子應用自行開發之OTP技術,設計出可邏輯製程的記憶卡控制晶片
力旺電子發表SD/MMC快閃記憶卡控制晶片 (2004.05.09)
力晶集團旗下的力旺電子日前發表一款邏輯製程可程式SD/MMC快閃記憶卡控制晶片,準備搶攻全球兩億片市場大餅。力旺表示,該產品已通過數位相機、PDA、讀卡機等數家國際品牌250項以上的相容性測試,預計將於六月進入量產階段
台積電穫力旺Neobit技術授權 (2003.11.17)
力旺電子(EMTC)日前與台積電簽訂技術授權合約,力旺將授權其開發之Neobit OTP嵌入式非揮發性記憶體技術予台積電。力旺之Neobit OTP嵌入式非揮發性記憶體技術已於台積電完成驗證,0.35um、0.25um之製程開發已趨完成,0.18um,0.13um以及更先進製程技術之開發正積極進行中

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