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CTIMES / 威世科技
科技
典故
第一顆電晶體(Transistor)的由來

第二次世界大戰末期,貝爾實驗室開始一項研究計畫,目標是研發出一種體積更小、功能更強大、更快速且可靠的裝置來取代真空管。1947年12月23日,由貝爾實驗室研發的電晶體取代了真空管,優點是體積更小、更可靠、且成本低廉,不僅孕育了今日遍及全球的電子半導體產業,同時也促成電訊電腦業、醫學、太空探測等領域產生戲劇性的改變。
威世科技新型IHLP電感具有耐高溫性能 (2017.05.26)
威世科技(Vishay Intertechnology) 推出了一款新型 IHLP超薄、高電流電感,可在攝氏+155度高?下運作,外形尺寸為 1616,厚度僅為 2 mm,適合用於在極端環境下運作的商業與工業應用
威世科技推出新款8 mm x 8 mm x 1.8 mm PowerPAK 8x8L封裝 (2015.08.04)
威世科技(VISHAY)推出新款 8 mm x 8 mm x 1.8 mm PowerPAK 8x8L 封裝,旨在針對汽車應用常用的 D2PAK 及 DPAK 器件提供節省空間又節能的高電流替代方案。威世 Siliconix SQJQ402E 40 V TrenchFET功率 MOSFET 是業界首款通過 AEC-Q101 認證且尺寸為 8 mm x 8 mm 的 MOSFET,也是首款採用海鷗腳引線,來消除機械應力的 8 mm x 8 mm 封裝
威世科技VRPower整合DrMOS提供多相於高功率密度調節器POL (2014.12.25)
威世科技(Vishay)推出新型VRPower整合型DrMOS功率級解決方案,提供三種PowerPAK封裝尺寸,以應對高功率高效率多相POL應用領域。威世Siliconix SiC789與SiC788採用MLP66-40L封裝,為Intel 4.0 DrMOS 標準(6 mm x 6 mm)腳位,而SiC620及SiC620R則採用全新的5 mm x 5 mm MLP55-31L封裝,SiC521則是4.5 mm x 3.5 mm的MLP4535-22L封裝
威世科技推出新型高壓薄膜電阻分壓器網絡 (2014.10.17)
威世科技(Vishay)推出新款高壓薄膜表面貼裝式電阻分壓網絡,為客戶提供了緊湊型高精度產品,能夠替代功能相當的基於厚膜技術的產品。 威世新型達勒電膜產品HVRD具下列特點:絕對公差1 %、公差比率 0.1 %、絕對TCR低至正負50 ppm/°C、TCR追蹤至正負10 ppm/°C
威世科技MC AT專業車用電阻通過AEC-Q200認證 (2014.10.16)
為滿足對 AEC-Q200 認證組件的不斷增長的需求,威世科技(Vishay)宣布 MC AT 轉業系列車用薄膜晶片電阻目前在整個阻值範圍內皆通過AEC-Q200認證。威世貝士拉格裝置專為汽車及工業應用的嚴苛環境條件而設計,能在此類環境下穩定運作,+175 °C的高溫性能可長達1000小時

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