CTIMES - 其他記憶元件

宜鼎發佈全球首款Ultra Temperature極寬溫DRAM模組 (2021.10.27)
近來全球記憶體市場話題不斷，DRAM新品持續在容量、頻寬及速度上力求突破；看似面面俱到，卻始終不見耐受溫度向上提升，使得嚴苛的高溫應用情境備受挑戰。為此，宜鼎國際正式推出全球首款「Ultra Temperature」極寬溫DDR4記憶體模組

Computex 2015─宇瞻鍛造全方位工控加值SSD (2015.05.27)
全球記憶體品牌宇瞻科技（Apacer）連續三年蟬連全球工控SSD營收市場份額第一名，反映出全球市場對於宇瞻科技信賴創新精神的高度肯定。今年於台北國際電腦展（COMPUTEX TAIPEI 2015）展出全新升級工控SSD解決方案

RAMBUS實現記憶體訊號處理再突破 (2011.02.22)
Rambus近日宣佈，已實現SoC至記憶體介面的突破性20 Gbps先進差動訊號處理，並開發出創新技術，將單端記憶體訊號處理推展到12.8Gbps，實屬空前。Rambus同時開發出能夠將記憶體架構從單端無縫轉換為差動訊號處理的創新技術，資料速率可獲提升，以滿足下世代繪圖及遊戲系統的效能需求

革新快閃記憶體邁出下一步 (2008.11.05)
市場對於主流非揮發性記憶體、特別是NAND Flash獨立儲存應用仍有廣大需求動能，短期內市場對NAND Flash及SSD的發展規模漸趨保守，長期發展前景仍舊維持審慎樂觀。NAND Flash在奈米微縮可擴充能力（Scalability）、儲存覆寫次數耐久性（Endurance）和資料保存能力（Data Retention）的侷限，使其面臨技術上和經濟上必須革新的關鍵

電阻式記憶體技術研發現況 (2008.11.05)
電阻式記憶體的元件結構相當簡單；同時所採用的材料並不特殊，元件所需製程溫度不高，因此相當容易與相關元件或電路製程相整合。本文將介紹電阻式記憶體的元件操作特性

08年Q2全球記憶體銷售三星依舊稱王 (2008.08.11)
外電消息報導，市場研究公司iSuppli日前表示，根據統計資料，今年第二季三星電子在全球記憶體市場上依舊表現搶眼，市場佔有率已超過了30%，持續維持第一大記憶體廠的龍頭地位

飛思卡爾成立新公司推動MRAM業務 (2008.06.11)
飛思卡爾半導體宣佈，將與幾個頂尖創投公司集資成立一間以MRAM(磁性隨機存取記憶體)為主要產品的獨立新公司。這間新公司名為EverSpin Technologies，將持續提供並擴充現有的獨立MRAM產品線及相關磁性產品

科統科技推出中高階容量手機用記憶體MCP產品 (2008.05.19)
為滿足手持式行動裝置在低耗電、低成本與多功能的需求, 科統科技(MemoCom)成功開發出16Mb、32Mb與64Mb市場最低消耗電流之Pseudo SRAM產品, 並整合65nm先進製程的Numonyx NOR Flash,推出I-Combo與S-Combo系列之中高階MCP產品

Spansion完成對Saifun的收購 (2008.03.21)
Spansion與非揮發性記憶體（NVM）智慧財產權(IP)授權供應商Saifun宣佈，Spansion根據雙方分別於2007年10月8日和2007年12月12日簽署的收購協議書及修正條款完成對Saifun的收購。透過收購Saifun，Spansion得以拓展其產品線，快速實現進入技術授權的業務領域，大為增加Spansion的市場機會

Intel和ST共同推出PCM相變記憶體原型 (2008.02.21)
英特爾和意法半導體開始為客戶提供未來記憶體的原型樣品，此樣品採用創新的相變記憶體（Phase Change Memory,PCM）技術，因此可說是為記憶體產業劃下了一個重要的里程碑

非揮發性記憶體的競合市場 (2007.10.24)
記憶體本身就具有通用與中介的性質，所以發展出來的各類記憶體元件，多能通用於不同系統之間。新一代的記憶體為了更通用之故，所發展的都是非揮發性的記憶體，這樣才能既做為系統隨機存取之用，又能組成各類的儲存裝置，例如嵌入在可攜式裝置中的儲存容量、彈性應用的記憶卡或固態硬碟等

奧地利微電子進一步擴增其數位電位器產品陣容 (2007.08.17)
奧地利微電子公司宣佈推出AS1506，進一步擴增其數位電位器產品陣容，這款以256- tap SPI介面的非揮發性數位電位器，提供10、50 及100k歐姆等電阻。 AS1506適用於各種低功耗環境，在待機模式下最高耗電率為500nA，在運作模式時，包括CMOS寫入電流在內，耗電量僅需200µA（最大值）

凌力爾特推出1.1A LDO可簡易並聯不需熱點 (2007.07.25)
凌力爾特(Linear Technology Corporation )發表一款1.1A、3接腳LDO LT3080，其可輕易並聯以進行散熱，同時亦可透過單一電阻進行調整。此新架構的穩壓器透過電流參考，在多個穩壓器之間以短PC佈線作為穩流器進行分享，因此能在所有表面黏著系統上達到多安培的的線性穩壓，而不需散熱片

ST再度成為全球第一大EEPROM晶片供應商 (2007.05.11)
意法半導體宣佈，市場研究公司iSuppli的研究指出，ST再度成為2006年全球第一大序列EEPROM晶片供應商，ST已連續三年排名第一。iSuppli的研究報告指出，2006年ST的市佔率為25%，遠遠高於排名第二的競爭對手；此外，雖然EEPROM價格不斷降低，但是ST的銷售額卻增加了17.8%

記憶體技術競賽 Intel看好PRAM (2007.04.17)
英特爾（Intel）在英特爾開發商論壇（IDF）上首次公開演示其PRAM技術。PRAM是由英特爾和數家其他公司聯合開發的一種相變隨機記憶體，被認為可能取代Flash，甚至是DRAM。與DRAM不同的是，Flash等非揮發性記憶體不會因沒電而丟失存儲的資訊

因應市場需求鉅景進軍手機MCP市場 (2007.03.29)
根據Portelligent最近發佈的一項報告，目前手機、數位相機和MP3播放器等可攜式多媒體產品，採用Memory MCP（多晶片封裝記憶體整合元件）的比例幾乎已達到巔峰。其中手機採用MCP的比例在2004年就達到了90%，現正朝著採用2個或更多MCP方向發展，以達到產品薄型化與多功能化之目標

Intel推出以NAND快閃記憶體為基礎系列產品 (2007.03.14)
英特爾宣佈推出Intel Z-U130 Value Solid-State Drive產品，進入solid state drive(SSD)市場。該裝置以NAND快閃記憶體為基礎，透過業界標準USB介面，為各式運算和嵌入式平台提供具成本效益及高效能的儲存功能

鉅景科技全系列MCP解決方案到位 (2006.12.11)
ChipSiP(鉅景科技)為協助客戶達到數位相機/手機等產品薄型化之需求，推出全系列MCP解決方案。MCP為複合式記憶體(combo memory)，將二種以上記憶體晶片透過整合與推疊設計封裝在同一個BGA包裝，比起二顆TSOP，可節省近70%空間

LG新款折疊式手機支援msystems MegaSIM卡 (2006.11.20)
智慧型個人儲存裝置廠商msystems與LG電子（LG Electronics）共同宣布LG全新3G多媒體手機U830，將支援msystems MegaSIM卡，並為使用者與行動網路業者（MNO）提供嶄新領域的多種強大功能

Spansion推出第一款MirrorBit HD-SIM解決方案 (2006.11.13)
快閃記憶體解決方案供應商Spansion宣佈推出第一款安全MirrorBit HD-SIM解決方案。Spansion目前正積極地與領先的智慧卡製造商進行選擇性的合作計畫，該合作計畫並將於12月底前正式啟動