国科会揭露次世代电晶体微缩关键 台湾首创「临场显微半导体检测技术」

迎合现今AI高速运算、资料中心与行动装置对高效能、低功耗晶片需求持续增加，半导体元件持续微缩已成为全球科技发展的核心课题。国科会也於近日发表由台湾大学物理学系教授邱雅萍首创「临场剖面扫描显微半导体检测技术（Operando Cross-sectional STM）」，与台湾师范大学物理学系教授蓝彦文及新加坡国立大学教授李连忠研究团队合作，首次在先进二维半导体电晶体元件实际运作状态下，以原子级空间解析度直接量测金属/半导体接触边缘的电子转移长度（transfer length），为评估电晶体微缩潜力提供重要检测突破。

图一 : 在国科会支持下，台大物理学系教授邱雅萍研究团队首创「临场剖面扫描显微半导体检测技术」

其中基於二维半导体具有原子级厚度与优异的闸极控制能力，已被视为後摩尔时代延续先进逻辑元件微缩的重要候选材料。然而，电晶体能否持续微缩并应用於未来晶片技术，不仅取决於通道长度，金属接触区的品质同样是关键因素。

此次突破奠基於台湾在地深耕近20年於剖面扫描显微术领域的技术积累。团队进一步将临场操作偏压功能整合至量测系统，使其得以在元件实际偏压的运作状态下，同步以原子级空间解析度直接检测金属与半导体在接触边缘处的电子传输行为。
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