Power Integrations发表2200V GaN技术 拓展高压电力系统应用

Power Integrations（PI）宣布推出 2200 V PowiGaN 氮化??技术。该技术提升了商用 GaN 元件的电压等级，使 GaN 技术可应用於过往主要由碳化矽（SiC）主导的高压领域，提供相关系统在功率密度、效率与架构设计上的新选择。

图一 : Power Integrations资深技术经理Jason Yan

过去 GaN 元件因耐压限制，在高电压与大功率领域多采用切换频率较低的 SiC；若采用多颗低压 GaN 堆叠，则需在系统复杂度、尺寸与可靠度之间进行权衡。2200 V PowiGaN 能提供高压系统所需的电压安全馀裕，并支援高切换频率运作。该技术采用 Cascode 架构（高压 D-Mode GaN HEMT 搭配低压矽 MOSFET），具备驱动架构明确、切换损耗较低等特性，进一步扩展了 GaN 在高压环境的适用性。

随着 AI 资料中心配电架构朝 1500 V 发展，以及电动车电池系统与 48 V 辅助电源电压的调升，市场对高压电源转换的需求持续增加。目前 PI 的 1700 V 与 1250 V PowiGaN 已应用於 AI 资料中心之辅助电源与主电源系统，2200 V 技术则可进一步对应未来 1500 V AI 资料中心、百万瓦（MW）级电动车快充、太阳能逆变器、储能系统（BESS）及高压直流输电（HVDC）等应用情境。
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