英飛凌首款CoolSiC G2技術碳化矽雙向開關問世

英飛凌科技股份有限公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出基於成熟可靠750V CoolSiC G2技術平台打造的碳化矽（SiC）雙向開關（BDS）。該產品採用垂直整合雙晶片共汲極設計，採用頂部散熱Q-DPAK封裝，將兩個功率開關整合到同一元件中，既簡化了系統設計，也實現了傳統拓撲革新。750V CoolSiC BDS可提供現代電網和能源系統所需的可靠性裕量，能夠在應用的這個生命週期內實現極低的總體擁有成本。

圖一 : 英飛凌推出首款基於CoolSiC G2技術的碳化矽雙向開關

750V CoolSiC BDS的RDS(on) × Qfr、RDS(on) × QOSS，以及低Qg值，可有效降低開關損耗與導通損耗，實現超高速、高效的開關動作。在25℃條件下，典型閘極值電壓VGS(th)為4.5V，搭配超低Q GD/Q GS比值，可增強寄生導通抗擾性；擴展後的閘極偏壓容限可支援-11V至25V瞬態電壓，能夠提升設計裕量並增強相容性。該產品額定dv/dt可達200V/ns，可在不影響耐用性的前提下支援高頻設計。該產品系列阻值覆蓋範圍為14mΩ至66mΩ。

該產品專為高要求的電源系統而設計，提供 840 V (BR)DSS，為超過 500 V 的母線電壓時提供充足的裕量。此外，它還具有經驗證的雪崩耐受性、100 小時內高達 200℃的超載耐受能力和 2 μs 的短路耐受時間。這些元件能夠有效保護系統，免受實際環境中電壓突波、能量脈衝、瞬態應力以及浪湧電流的影響，確保系統能夠長期穩定運行，並具備容錯能力。

750V CoolSiC BDS擴展了英飛凌?頂部散熱?產品家族，可適配當下要求最嚴苛、發展迅速的應用場景，支持原生液冷設計，通過拓撲層面的設計反覆運算，實現了全新的能效水準。

在汽車應用中，該產品非常適用於車載充電器（OBC）、電動汽車充電以及eFuse和預充電電路。與CoolSiC H-DPAK半橋器件配合使用，可幫助設計平順過渡到基於SiC技術的單級車載充電器，讓設計不僅兼具高功率密度和高成本效益，而且節省空間。