意法半導體（ST）日前推出MDmesh V系列。MDmesh V系列是高性能MOSFET產品，擁有極低的每單位面積導通電組（on-resistance per area），在650V額定電壓應用中可實現高能效和功率密度；對於以熱量形式損耗電能的系統功率轉換電路，如電子照明控制器、消費性電子電源和太陽能電力轉換器可提升能效。
意法半導體功率電晶體市場總監Maurizio Giudice表示，新記錄突顯意法半導體在超接面（Super-Junction）MOSFET市場的地位，MDmesh V展現了意法半導多重漏極網格（Multi-Drain Mesh）技術，新產品所擁有的性能讓客戶能夠降低應用設計能耗，透過設計研發創新產品為客戶提供性能的承諾。
新產品STW88N65M5 MDmesh V MOSFET的導通電組僅為0.029Ω，設計工程人員可直接將新產品替代導通電組較高的MOSFET以提高終端應用的能效，或置入更少的MOSFET電晶體，從而減少封裝尺寸並降低材料（BOM）成本。
意法半導體的650V STW88N65M5及其它的MDmesh V產品擁有高安全範圍，從而提高MOSFET對AC電力線上一般一邊突波電壓的承受能力。
