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搜尋「製程」，共 12117 筆

英特爾於2026 VLS發表18A-P製程與GaN+Si數位電源技術 (2026.06.19)

英特爾（Intel）在夏威夷舉辦的「2026年VLSI技術與電路研討會上，首度公開其最新「Intel 18A-P」製程的關鍵進展，並在現場成功展示了全球首創的 300mm晶圓級氮化鎵與矽邏輯晶片（GaN+Si）單片整合技術...

日本OIST發表全新簡化高NA EUV設計 大幅降低半導體功耗與成本 (2026.06.18)

沖繩科學技術大學院大學（OIST）新田特束教授17日於《微/奈米圖案化、材料與計量學期刊》（JM3）發表一項創新性的光學硬體破局技術，宣布對高數值孔徑極紫外光（High-NA EUV）曝光機的照明與投影系統進行激進重構，解決半導體光學功耗與昂貴資本支出瓶頸...

Sony與imec推出高密度晶背連接模組 實現新一代3D晶片整合 (2026.06.17)

於本周進行的2026年IEEE/JSAP超大規模積體電路（VLSI）技術與電路研討會上，比利時微電子研究中心（imec）與索尼（Sony）共同發表一套用來建立超高密度晶背內連的創新整合模組，這些連接是3D堆疊和晶背功能化技術的關鍵組件...

艾司摩爾、台積電與imec合作實現12吋晶圓整合創新 (2026.06.16)

於本周進行的2026年IEEE/JSAP超大規模積體電路（VLSI）技術與電路研討會上，比利時微電子研究中心（imec）攜手微影解決方案大廠艾司摩爾（ASML）與晶圓代工大廠台積電（TSMC），共同發表一套創新、穩健且可擴充的12吋晶圓整合技術路徑，用於基於2D材料的n型與p型場效電晶體（FET）...

突破記憶體密度瓶頸 CEA-Leti推出22奈米3D FeRAM (2026.06.16)

法國半導體研究機構CEA-Let日前於檀香山舉行的VLSI會議上，發表在22奈米製程節點上，利用創新的3D電容器架構展示了鐵電隨機存取記憶體（FeRAM）。解決了長期限制FeRAM密度的瓶頸，使其能與揮發性記憶體競爭...

SEMI：2026年第一季全球半導體製造設備銷售額年增14% (2026.06.15)

SEMI國際半導體產業協會日前公布最新「全球半導體設備市場報告」（WWSEMS；Worldwide Semiconductor Equipment Market Statistics）。報告指出，2026年第一季全球半導體製造設備銷售額達365.5億美元，較2025年同期成長14%，並較前一季增加1%，創下單季歷史新高紀錄...

金屬中心攜手愛知製鋼 將「輕稀土磁石射出成形」用於馬達轉子 (2026.06.12)

面對全球稀土供應鏈重組與限縮，稀土材料已成為馬達與關鍵零組件發展的重要戰略元素。近日金屬工業研究發展中心副執行長林烈全也與日本愛知製鋼社長菅田雅巳代表雙方，共同簽署合作備忘錄（MOU）；由喬智開發董事長陳俐臻、台灣馬達產業協會理事張文嘉等貴賓共同見證，展現台日雙方在關鍵材料與馬達應用技術上的合作深化...

AI投資推升半導體擴產需求 帶動Q1國內外設備營收創新高 (2026.06.11)

受惠於AI相關投資熱潮，帶動全球半導體製造商積極擴充產能，並推進技術升級。除了依SEMI國際半導體產業協會公布最新「全球半導體設備市場報告」（WWSEMS）報告指出，2026年Q1全球半導體製造設備銷售額達365.5億美元，較2025年同期成長14%；並較前一季增加1%，創下單季歷史新高...

臺大與鋒霈科技研發新技術 低濃度含氟廢水變身循環資源 (2026.06.10)

臺灣半導體製程產生的低濃度含氟廢水長期面臨處理成本高、難以回收的困境。在國科會支持下，國立臺灣大學環境工程學研究所特聘教授侯嘉洪研究團隊，攜手鋒霈環境科技股份有限公司，成功研發出創新的「電驅動分離濃縮技術」，將原本難以利用的低濃度含氟廢水轉化為可再利用的循環資源，為半導體產業的淨零轉型帶來重大突破...

格棋化合物半導體榮獲第22屆台灣金根獎 (2026.06.10)

台灣碳化矽（SiC）材料廠格棋化合物半導體獲第22屆台灣金根獎肯定。台灣金根獎以「深耕台灣、佈局全球」為核心精神，表揚以台灣為營運根基、具備國際市場拓展能力與產業競爭力的企業...

應用材料公司擴大新加坡製造布局 支援AI晶片需求 (2026.06.10)

應用材料公司為半導體產業材料工程解決方案領導者，宣布已擴大其於新加坡的製造與研發營運布局，以支援全球 AI 基礎設施持續擴展的需求。全新的淡濱尼園區（Tampines Campus）耗資逾 5 億美元（約6 億元新幣），使應材在新加坡的先進無塵室產能增加逾一倍，並進一步強化公司遍及美國、歐洲、以色列及台灣等地的全球製造版圖...

低軌衛星收發機酬載測試挑戰 (2026.06.10)

非地面網路（NTN）的發展，象徵著人類通訊正式從「2D地表平面的覆蓋」，演進為「3D空天海全域的立體鏈結」。...

半導體廢水再生新契機 「電驅動分離濃縮技術」促含氟廢水資源化 (2026.06.10)

面對現今半導體產業高度依賴水資源，但在半導體與電子製程中產生的含氟廢水卻因為處理與再利用困難，長期被視為高成本、高負荷的棘手問題。在國科會支持下，臺灣大學環境工程學研究所特聘教授侯嘉洪研究團隊今（10）日發表成功創新的「電驅動分離濃縮技術」...

ROHM SiC MOSFET應用於HVDC化加速發展的AI伺服器電源BBU (2026.06.09)

半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）的750V耐壓SiC MOSFET已被應用於AI伺服器電源BBU（備用電池單元）中。隨著生成式AI的普及，AI伺服器電源正加速朝向更高壓及HVDC（高壓直流供電）架構演進，在此背景下，ROHM的SiC MOSFET產品被選定為支援次世代電源系統的SiC功率元件...

MIT成功以單晶片鑽石薄膜大幅提升GaN晶體管散熱效能 (2026.06.09)

隨著6G通訊技術與衛星通訊硬體向更高頻段、高功率方向演進，次世代半導體元件的熱管理正逼近物理極限。麻省理工學院（MIT）研究團隊日前發表一項技術突破，成功在氮化鎵（GaN）高功率晶體管頂部，成功生長出超薄的「單晶鑽石」薄膜層...

Dracula Technologies亮相COMPUTEX 2026 推環境光能採集技術 (2026.06.09)

法國綠能科技公司Dracula Technologies日前在COMPUTEX 2026展示最新環境光能採集創新技術，推出LAYER有機光電（OPV）技術與新一代整合儲能技術LAYER Vault。解決全球IoT大規模部署面臨的電池更換與維護挑戰，搶攻亞洲智慧基礎建設市場...

中研院與東大攜手研發新型光電元件 發光強度增強46倍 (2026.06.08)

(圖一) 中研院應用科學研究中心呂宥蓉副研究員（第1排左3）成功開發以「氮化鉿（HfN）」表面電漿子閘極調控二維半導體發光的新型元件設計。 中央研究院應用科學研究中心呂宥蓉副研究員與日本東京大學童俊智教授團隊合作，成功開發以「氮化鉿（HfN）」表面電漿子閘極調控二維半導體發光的新型元件設計...