Diodes公司推出碳化矽（SiC）系列新品：DMWS120H100SM4 N通道碳化矽 MOSFET，可以應用於工業馬達驅動、太陽能逆變器、數據中心及電信電源供應、直流對直流 (DC-DC) 轉換器和電動車 (EV) 電池充電器等領域，對於更高效率與更高功率密度的需求。
DMWS120H100SM4 在高電壓 (1200V) 和汲極電流 (可達 37A) 的條件下運作，同時維持低導熱性 (RθJC= 0.6°C/W)，適合在惡劣環境中運作的應用。這款MOSFET的RDS(ON)(典型值)很低，僅80mΩ(對於15V的閘極驅動)，能將傳導耗損降至最低，並提高效率。而這款裝置的閘極電荷僅 52nC，可減少開關耗損與降低封裝溫度。
本產品為首款採用TO247-4封裝的碳化矽MOSFET。額外的凱爾文感應接腳可以接到MOSFET的源極，以最佳化切換效能達到更高的功率密度。
