為因應DDRII規格記憶體即將成為市場主流，DRAM廠為搶攻市場佔有率，紛紛計畫推出新產品，且因DDRII封裝與測試製程皆與上一世代不同，各家DRAM廠也與後段封測廠進行技術合作，包括南亞科與裕沛、茂德與南茂、力晶與力成。
據了解，英特爾第二季將推出支援DDRII規格的新款晶片組Grantsdale，為因應可能將大幅成長的市場需求，國DRAM廠今年除了加快導入高階製程，也對晶片後段封測技術配合加緊腳步。DDRII封裝技術必須由傳統的TSOP升級至高階BGA或CSP封裝，而由於新封測製程需要投入大筆資金，為節省成本，DRAM廠商採取尋找封測代工的方式，來進軍新世代產品市場。
南科目前DDRII產品已在英特爾最後認證階段，第二季後段可以順利上市，在後段合作封測廠部份，除了同屬於台塑集團的福懋科技外，也與裕沛合作採用WLCSP封裝技術，南亞科認為這將可以降低封測成本。市場法人則認為，對於12吋廠尚未量產的南亞科來說，積極布局次世代DDR-II是其唯一保持領先的方法。
DDRII產品亦已送至英特爾認證的茂德，12吋廠採用0.11微米製程試產DDRⅡ記憶體，目前已達送樣階段。該公司計畫在第四季將0.11微米製程產量提升到產出的13％，並與南茂在後段封測緊密合作。力晶則是與力成合作，由力成開發適用於12吋晶圓的封裝與測試技術，目前BGA技術已進入量產階段，可望協助力晶快速切入市場。
