AI伺服器持續推升高頻寬記憶體需求，2026年HBM市場正式由HBM3E跨入HBM4世代，產業成長紅利開始由三星電子、SK海力士等記憶體大廠，向韓國半導體設備供應鏈快速擴散。隨著HBM4進入量產，以及12層、16層堆疊技術持續演進，TC Bonder、晶圓切割、檢測與先進封裝設備逐步成為新一波設備投資焦點。
三星電子於2026年第一季宣布，已針對NVIDIA Vera Rubin平台啟動HBM4量產出貨，並規畫第二季交付首批HBM4E樣品。HBM4不僅提高資料傳輸速度，也對先進DRAM製程、Base Die與封裝整合提出更高要求，意味從晶圓製造到後段封裝，都將帶來設備升級需求。
此外，SK海力士持續強化HBM4產能布局。為因應AI市場需求，公司正向韓國清州P&T6導入更多後段設備，強化HBM4量產準備；近期更通過54.3兆韓元投資計畫，擴建龍仁與清州生產基地，其中龍仁新廠將鎖定HBM等先進DRAM產品，顯示韓國記憶體產能擴張仍將延續至下一個設備投資週期。
其中，HBM堆疊製程所需的TC Bonder成為最直接受惠環節。韓美半導體第二季營收達2,511億韓元、營業利益1,303億韓元，營益率更攀升至51.9%歷史新高，主要受惠HBM用TC Bonder及MSVP設備需求。隨著全球記憶體廠展開HBM4量產，公司HBM4新設備供應同步增加，並已布局下一代Wide TC Bonder及Hybrid Bonder。
藍光晶圓自動化製造線
|
值得注意的是，HBM4帶來的並非單一設備需求，而是一場「製程複雜度升級」。當HBM從12層朝16層以上發展，晶粒薄化、TSV、精密鍵合、切割、檢測與散熱控制難度全面提高，使設備價值量同步上升。韓國設備廠因此有機會從過去依附記憶體資本支出的景氣循環，進一步切入AI先進封裝的結構性成長市場。
從產業鏈角度來看，HBM4已逐步形成「AI晶片需求—HBM擴產—先進封裝升級—設備訂單成長」的新投資鏈。隨著HBM4E以及更高堆疊產品接棒，韓國半導體設備產業下一階段競爭焦點，也將從單純擴充產能，轉向高精度鍵合、Hybrid Bonding與先進封裝整合能力。
