邁向次微米級精度時代
半導體AOI設備研發主管與檢測工程師的必修課
當先進封裝技術演進至以CoWoS、EMIB、Foveros為基礎的2.5D/3D封裝，並結合 HBM邁向以FOPLP為主的CoPoS架構，和CPO共同封裝光學時，封裝的幾何複雜度已逼近物理極限。
隨著特徵尺寸微縮至2µm以下、玻璃基板（TGV）逐漸取代傳統有機材料，從圓形到方形面板、從微米級微縮到CPO光學對位，傳統的AOI系統便須面對極淺景深、隱藏缺陷與巨量影像數據的挑戰，將難以在現有的生產節拍下達成次微米級的檢測要求。
面對方形面板邊緣成像失真、高密度結構檢測速度、以及材料內部隱藏缺陷，設備商與檢測工程人員該如何見招拆招？
🔍 核心解方搶先看
- 破解淺景深限制：高速液態鏡頭自動對焦搭配「景深合成演算法」，或沙姆（Scheimpflug）成像原理的衍生失真校正。
- 次微米級客製化成像：透過FPGA實現相機內建「客製化平場校正演算法」，補償不均勻反光與微小缺陷。
- 異質材料隱藏缺陷識別：導入短波紅外線（SWIR）相機，搭配內建演算法，以極佳成本效益檢測TSV/TGV與內部裂痕。
- 全局最佳化視覺架構：以FPGA分散處理，將運算前移，釋放後端工控機CPU負擔，維持高速高通量穩定傳輸。
