英飛凌首款CoolSiC G2技術碳化矽雙向開關問世 (2026.07.23)
英飛凌科技股份有限公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出基於成熟可靠750V CoolSiC G2技術平台打造的碳化矽(SiC)雙向開關(BDS)。該產品採用垂直整合雙晶片共汲極設計,採用頂部散熱Q-DPAK封裝,將…
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英飛凌科技股份有限公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出基於成熟可靠750V CoolSiC G2技術平台打造的碳化矽(SiC)雙向開關(BDS)。該產品採用垂直整合雙晶片共汲極設計,採用頂部散熱Q-DPAK封裝,將…
由於車載系統因法規與電子需求轉向48V中電壓架構,本文探討48伏特降本減重的優勢、連接器選型策略、防電弧安全機制,以及解決方案。…
聯華電子推出用於顯示驅動IC的14奈米嵌入式高壓(eHV) FinFET技術平台,並可提供製程設計套件供客戶進行設計導入。…
服務廣泛電子應用領域之全球半導體領導廠商意法半導體(STMicroelectronics,簡稱 ST,紐約證券交易所代碼:STM)擴大 800V DC 電源架構布局,推出兩項全新進階架構:800V DC 轉 12V 與 800V DC 轉 …
多相耦合電感器是一項相當具有前景的技術,由於每個耦合相內的電流漣波得以消除,因此可為系統帶來顯著的優勢。本文重點探討輸出電流漣波的考量因素,以及影響輸出電壓漣波和整體轉換器性能的具體細節。…
電動車充電需求的不斷提升,而電源管理晶片在整個系統中承擔著能量轉換、監控保護以及智能調度等多重功能,是保證充電安全、高效與智能化的關鍵組件。…
根據Yole Group預測,氮化鎵(GaN)市場在未來五年內的年複合成長率將以46%成長。英飛凌科技推出兩款新一代高電壓(HV)與中電壓(MV)CoolGaN產品,讓客戶可以在更廣泛的應用領域中,採用 40 V 至 700 V 電壓等級的…
德州儀器(TI)推出兩款新型功率轉換器產品組合,協助工程師在更小的空間內實現更大的功率,以更低的成本提供最高的功率密度。TI的新型100V整合式氮化鎵(GaN)功率級採用耐熱增強型雙面冷卻封裝技術,可簡化散熱設計並在中電壓應用裡實現超過1.…
Power Integrations推出全新的單通道隨插即用閘極驅動器,該產品適用於高達 3300 V 的 190mm x 140mm IHM 和 IHV IGBT 模組。1SP0635V2A0D 結合了 Power Integration…
本文敘述一個無電池BLE資產追蹤標籤的速度和讀寫器數量之間的數學關係,提供一個能夠計算資產識別和測速所需讀寫器數量的設計策略和優化模型,…
開關元件的功耗降低可減少散熱,較低的諧波內容僅需較少的濾波且 EMI 明顯降低。…
對於現今主要會採用電池的電動汽車與混合動力車(EV/HEV)來說,為了提升電池的可靠性,必須提高這些車輛中電池單元測量的準確度,而透過整合雜訊過濾來實現高電壓測量的準確度,將會大幅減少外部元件的需求。…
混合動力車和電動汽車(EV)加速了全球減少二氧化碳排放的議題,但是人們一直對輕度混合動力車更感興趣,原因是輕度混合動力車比全混合動力車更具成本效益,特別是在歐洲市場。一般來說,混合動力車使用48V電源系統,其傳輸效率高於傳統的12V電源。另…
SiSS12DN MOSFET在10V下的1.98mΩ低導通電阻(RDS(ON))可以最大限度地降低傳導損耗。此外,該器件的680pF低輸出電容(Coss)和28.7nC的最佳化閘極電荷(Qg)則可減少與開關相關的功率損耗。 與採用6x5m…
想要確保燈具的使用性及信賴性,必須了解幾個會影響LED電壓的因素,正確選擇驅動器的輸出電壓規格。本文介紹三個影響LED電壓的最大因素,簡要的說明考量點及預估。…
現代馬達在無電刷直流馬達(BLDC)在內所達致各方面的進步,使得業界已經能做出更小、更輕、更廉價、更有效率的CAS設計。為了要驅動BLDC的三個相位,導致系統複雜度提高。…
快充技術在智慧型手機蓬勃發展後,其充電功率也跟著翻倍提升,在實現日益增高的充電功率時,各品牌廠商與第三方認證機構。…
效率與雜訊性能的優化通常會增加系統的複雜性。系統設計人員必須對負載敏感度進行量化考慮,並需要將其與電源雜訊相匹配。…
18日於集思台大會議中心柏拉圖廳舉行的「車聯網技術趨勢研討會」,場外多家廠商的展示攤位紛紛推出主力產品,與會者莫不駐足觀賞。…
英飛凌科技股份有限公司 (FSE:IFX/OTCQX:IFNNY) 旗下EiceDRIVER? 200 V 位準偏移閘極驅動器系列新增IRS2007S 200 V 半橋閘極驅動 IC 新成員,採用標準 SOIC-8 (DSO-8) 封裝。相…