台積電攜手陽明交大研發突破0.42奈米絕緣層解開二維半導體瓶頸 (2026.08.11)
陽明交通大學與台積電（TSMC）聯合研究團隊於近日傳出重大技術突破，成功在單層二硫化鉬（MoS?）等二維半導體材料上，建立起僅 0.42 奈米 厚的超薄氧化鋁（Al?O?）絕緣層，解決了業界困擾多年的原子級閘極介電層控制難題，為邁向 Sub…
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突破二維半導體檢測關鍵 臺灣發表臨場剖面掃描顯微檢測技術 (2026.07.19)
臺灣大學物理學系邱雅萍教授團隊，16日在國科會舉行記者會，發展其首創「臨場剖面掃描顯微半導體檢測技術」。該技術與師範大學物理學系藍彥文教授、林文欽教授，及新加坡國立大學李連忠教授合作，在先進二維半導體電晶體運作狀態下，以原子級空間解析度直接…
國研院攜手台日學者 突破二維材料關鍵技術 (2026.07.07)
當全球半導體競逐邁入原子級尺度之際，二維材料被視為延續摩爾定律的關鍵解方。國研院國儀中心今（7）日也宣佈掌握「大面積二維材料製程設備與檢測技術」，並攜手陽明交通大學、日本東京大學及國研院半導體中心，共同突破傳統二維半導體製程的限制，建立晶圓…
中研院與東大攜手研發新型光電元件 發光強度增強46倍 (2026.06.08)
中央研究院應用科學研究中心呂宥蓉副研究員與日本東京大學童俊智教授團隊合作，成功開發以「氮化鉿（HfN）」表面電漿子閘極調控二維半導體發光的新型元件設計。 該研究大幅提升二維材料的光與物質交互作用，發光強度最高可比傳統矽閘極元件增強約46倍，…
興大和成大聯手打造全球首見懸浮式鐵電二維電晶體 (2025.07.04)
突破材料限制開啟建構晶片新局面。在國科會自然司、尖端晶體材料開發及製作計畫與A世代前瞻半導體專案計畫，以及教育部特色領域研究中心計劃的大力支持下，由中興大學與成功大學共組的研究團隊，成功研發出全球首見的「懸浮式鐵電膜整合二維電晶體」技術成果…
科學家成功開發晶圓級單晶二維半導體合成法 (2025.03.05)
科學期刊《自然》日前發表了一篇新的半導體製程技術，科學家成功開發「下延」（hypotaxy）技術，可在任何基板上直接生長晶圓級單晶二維半導體，解決傳統合成方法的限制。此技術具備低溫生長、製程相容性及高元件效能等優勢，有望加速下一代半導體發展…
Intel Foundry使用減材釕 提升電晶體容量達25% (2024.12.24)
英特爾晶圓代工（Intel Foundry）在2024年IEEE國際電子元件會議（IEDM）上公佈了新的突破。包括展示了有助於改善晶片內互連的新材料，透過使用減材釕（subtractive Ruthenium）提升電晶體容量達25%。此外，…
加速導入二維材料 突圍先進邏輯元件的開發瓶頸 (2021.05.10)
二維材料是備受全球矚目的新興開發選擇，各界尤其看好這類材料在延續邏輯元件微縮進展方面的潛力。…
台積電與交大聯手突破大面積單晶技術 成果首登《自然》期刊 (2020.03.17)
在科技部「尖端晶體材料開發及製作計畫」支持下，交通大學(交大)的研究團隊與台積電合作組成的聯合研究團隊，在共同進行單原子層氮化硼的合成技術上有重大突破，成功開發出大面積晶圓尺寸的單晶氮化硼之成長技術，未來將有機會應用在先進邏輯製程技術，研究…