搜尋

會員登入

搜尋

導覽

會員
廣告
廣告
類別:
關鍵字:

搜尋「功率放大器IC」,共 7

東芝半導體與儲存產品公司推出4聲道功率放大器--TCB502HQ,因考量輸出偏移電壓是導致喇叭燒毀的因素之一,此款產品可提供檢測輸出偏移電壓。樣品發貨於即日開始。 此4聲道功率放大器IC內建全新開發的全時偏移電壓檢測電路,此配置可於聲音播放

東芝公司(Toshiba)旗下儲存與電子元件解決方案公司推出TCB501HQ,TCB501HQ是一款4聲道功率放大器IC,其可檢測輸出偏移電壓,輸出偏移電壓是導致喇叭燒毀的因素之一。量產計畫於2016年6月啟動。 這款全新IC整合有一個新開

意法半導體(ST)日前發佈全數位功率放大器系統單晶片系列產品。新產品適用於安裝在汽車儀表板內的音響系統控制面板。 D類放大器的能效較類比AB類大約高80%,更高的效能有助於降低交流發電機(alternator)的發電負荷,在標準外殼尺寸內增

Black Sand Technologies近日宣布,推出兩條新3G CMOS RF功率放大器(PA)產品線,大幅提高了行動電話、平板電腦和數據卡(datacard)的可靠性和資料傳輸率。兩條產品線共包含六款涵蓋多個頻段的獨特功率放大器。

傳統功率放大器(PA)均是以砷化鎵(GaAs)製作為主,CMOS多難跨越雷池一步。然而目前CMOS製程終於堂而皇之跨入功率放大器的領域之中,並陸續有相關廠商發表最新產品。專為無線應用提供功率放大器技術的無晶圓半導體公司Black Sand也

本刊編輯在六月中旬再度受邀前往矽谷探訪當地半導體廠商,此次的記者團成員來自亞洲的台灣、中國大陸、韓國、日本、菲律賓等地,並在近十天的行程中拜訪了十多家業者,除了在產業資訊上收穫豐富,也感受到矽谷當地廠商對於亞洲地區市場的高度關注,其中台灣更是各家業者不曾忽略的重點目標;希望能藉由以下的報導對這些廠商的介紹,為國內業者提供一些發展方向上的靈感啟發。

III-V E-pHEMT功率放大器的開發過程,可以比喻為一場競賽。本文將介紹安捷倫開發其E-pHEMT元件及製程的經驗,以做為國內砷化鎵產業發展的參考。