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搜尋「化合物半導體」,共 233

面對AI、量子運算與太空科技加速發展,全球半導體競爭已從先進製程延伸至封裝、材料、光電整合及人才生態系。國研院攜手比利時微電子研究中心imec,9月9~10日在比利時安特衛普舉辦「2026臺歐晶片創新論壇(TECIF 2026)」,集結超過

台灣碳化矽(SiC)材料廠格棋化合物半導體獲第22屆台灣金根獎肯定。台灣金根獎以「深耕台灣、佈局全球」為核心精神,表揚以台灣為營運根基、具備國際市場拓展能力與產業競爭力的企業。格棋此次以中小企業組「半導體及數位科技」領域獲獎,展現公司自20

向太赫茲波段挺進將會是一場關於微縮化、材料科學與系統整合的全面戰爭。

無線通訊技術即將從5G邁向6G,頻譜資源的開發已從毫米波(mmWave)進一步延伸至太赫茲(THz)頻段。太赫茲波通常定義為0.1至10THz之間的電磁波,其位於微波與紅外線之間,不僅具備極其寬廣的可用頻寬,還擁有獨特的穿透性與空間解析度。

IBM與半導體設備商科林研發(Lam Research)共同宣佈一項為期5年的戰略合作計畫,目標要達成「次1奈米(Sub-1nm)」邏輯晶片的技術開發。這項聯盟將結合IBM在先進半導體材料的研究實力,以及Lam Research在製程設備上

迎合AI基礎建設與電動車創造龐大能源需求,工研院近期參與日本國際電子製造關連展(NEPCON JAPAN),便以「車用碳化矽技術解決方案」、「直流電網技術解決方案」及「氮化鎵元件整合封裝解決方案」3大主題,展示逾14項前瞻技術成果,並攜手台

因為資料中心朝大規模叢集化發展,高速互聯技術成為決定AI資料中心效能上限與規模化發展的關鍵。依TrendForce估計,2025年全球800G以上的光收發模組達2400萬支、2026年預估將會達到近6,300萬組,成長幅度高達2.6 倍,已

為防範國家重要技術外流並保護營業秘密,國家科學及技術委員會(國科會)於24日預告修正「國家核心關鍵技術項目」草案。本次修訂大幅擴增清單內容,由原本的32項增加至42項,重點鎖定已邁入產業化階段的「軍工」與「太空」技術,預計於今(2025)年

基於半導體作為台灣關鍵產業,而量測標準可說是產業發展的「共同語言」,亦是推進先進製程的關鍵要素。工研院繼今年五月成立英國辦公室,並與Catapult Network 宣布策略合作之後,今(11)日再宣佈與英國國家物理實驗室(NPL)簽署協議

在今日開幕的國際半導體展(SEMICON Taiwan)中,經濟部產業技術司整合工研院與金屬中心,盛大揭幕「經濟部科技研發主題館」,攜手日月光、德律科技等業者,共同展出37項在AI晶片、先進製造及封測設備等領域的前瞻技術,全面彰顯台灣半導體

隨著電動車、AI伺服器與儲能系統等高功率應用需求持續升溫,第三類半導體材料碳化矽(SiC)已成為能源轉換效率提升的關鍵核心。面對全球市場快速變化,格棋化合物半導體董事長張忠傑指出,雖然短期仍存在終端調整與庫存去化壓力,但碳化矽的長期前景無庸

晶圓表面微量污染物的分析對半導體製造至關重要。隨著生產工序日益精細化、品質標準日趨嚴格,在降低缺陷率方面,此過程發揮重要作用。此外,包含數百道工序的生產線需要精準的微量污染物分析,以維持穩定運行和產品品質的可靠性。在 TXRF代表性分析方法

Vishay新型三色LED—VLMRGB6122具備高亮度與寬色域控制能力,瞄準汽車內部照明、RGB顯示器與各類背光應用的高效能需求。該元件在僅20 mA電流驅動下即可提供高達2800 mcd的光強,亮度較上一代提升70%,在光效與設計彈性

在電動車、5G及低軌衛星等應用快速擴張的背景下,對高效能功率半導體的需求與日俱增。為了突破碳化矽(SiC)晶圓加工中的製程瓶頸,國研院國儀中心與精密加工設備業者鼎極科技合作,成功開發出以紅外線奈秒雷射應用於碳化矽晶圓研磨的創新技術。這項技術

面對全球產經局勢變化與供應鏈重組等挑戰,工研院持續擴大海外據點,近日在英國倫敦揭幕工研院英國辦公室,成為其繼美國、日本、歐洲與東南亞之後設立的第五個海外據點,象徵台英創新戰略樞紐正式啟動、全球布局再下一城。 當日工研院也與英國國家級創新引擎

面對地緣政治與全球供應鏈重組挑戰日益顯著下,全球高度關注半導體供應鏈的韌性與可信度。SEMI 國際半導體產業協會今(23)也受邀參與「全球半導體供應鏈夥伴論壇」,聚焦半導體產業中的技術創新、因應供應鏈管理,與技術互補合作的機會等議題。 SE

全球半導體與電子產業先進技術持續創新衍生,「2025電子生產製造設備展」將於4月16-18日盛大登場,匯聚全球最新先進封裝技術、產品與解決方案。本次展會不僅展示最新面板級封裝技術、設備與材料,更致力於促進國際供應鏈在地化與電子設備國際化。

隨著運算需求不斷地提高,新興能源也同步崛起,傳統矽基半導體材料逐漸逼近其物理極限,而寬能隙半導體材料以其優越的性能,漸漸走入主流的電子系統設計之中。