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搜尋「半導體元件」,共 656

當全球人工智慧的浪潮以驚人速度從單純的語言對話模型,演進至具備自主規劃、工具調用與複雜多步驟執行能力的代理式AI(Agentic AI)時代,半導體產業的競爭焦點也迎來了根本性的典範轉移。 過去數年間,市場往往聚焦於單一GPU晶片的尖峰算力

半導體製造商ROHM(總公司:日本京都市)開發出650V耐壓第4代IGBT*1,非常適用於車載電動壓縮機、HV加熱器以及工業設備用變頻器等應用。作為支援車載應用的650V等級產品,實現了業界頂級※低導通損耗VCE(sat)=1.55V,同時

於本周進行的2026年IEEE/JSAP超大規模積體電路(VLSI)技術與電路研討會上,比利時微電子研究中心(imec)與索尼(Sony)共同發表一套用來建立超高密度晶背內連的創新整合模組,這些連接是3D堆疊和晶背功能化技術的關鍵組件。 該

英飛凌科技與西門子開展合作,共同提升資料中心、生產設施及電池儲能系統的電氣保護水準,保障運行可靠性。合作內容包括英飛凌將向西門子供應碳化矽(SiC)功率模組,用於西門子的SENTRON 3QD2半導體斷路器。這將提升西門子斷路器保護解決方案

非地面網路(NTN)的發展,象徵著人類通訊正式從「2D地表平面的覆蓋」,演進為「3D空天海全域的立體鏈結」。

隨著6G通訊技術與衛星通訊硬體向更高頻段、高功率方向演進,次世代半導體元件的熱管理正逼近物理極限。麻省理工學院(MIT)研究團隊日前發表一項技術突破,成功在氮化鎵(GaN)高功率晶體管頂部,成功生長出超薄的「單晶鑽石」薄膜層。這項創新的晶圓

於本周舉行的2026年IEEE電子元件與技術會議(ECTC)上,比利時微電子研究中心(imec)攜手EV集團(EVG)共同發表一項發展穩健且產量高的晶圓級異質接合技術,成功在一款具備可佈線內連導線的測試元件上展示200奈米的銅內連墊片間距。

奠基於超過30年的深厚合作,應用材料公司今(12)日宣布與台灣積體電路製造公司建立全新的夥伴關係,以加速AI新世代所需半導體技術的開發與商業化。雙方將在應材位於矽谷的EPIC中心合作,共同推動材料工程、設備創新與製程整合技術的發展,致力提升

無線通訊技術即將從5G邁向6G,頻譜資源的開發已從毫米波(mmWave)進一步延伸至太赫茲(THz)頻段。太赫茲波通常定義為0.1至10THz之間的電磁波,其位於微波與紅外線之間,不僅具備極其寬廣的可用頻寬,還擁有獨特的穿透性與空間解析度。

迎合AI基礎建設與電動車創造龐大能源需求,工研院近期參與日本國際電子製造關連展(NEPCON JAPAN),便以「車用碳化矽技術解決方案」、「直流電網技術解決方案」及「氮化鎵元件整合封裝解決方案」3大主題,展示逾14項前瞻技術成果,並攜手台

在極端嚴苛的太空環境中,半導體元件是確保任務順利執行的重要關鍵。過去60年來,Microchip 已參與超過100項太空任務,推動許多歷史性探索計畫的成功——從1958年美國首度成功發射人造衛星,到當前的阿提米絲(Artemis)任務,半導體技術始終扮演著不可或缺的角色。

荷蘭半導體製造商 Nexperia(安世半導體) 傳出恢復對部分客戶的出貨,包含德國汽車品牌 Volkswagen(福斯汽車) 已在中國市場重新收到晶片供應。這意味著先前因政府監管與出口審查導致的供應鏈瓶頸,正逐步鬆動。 根據報導,Nexp

因應淨零轉型與AI用電大幅成長趨勢,可靠的電力供應將是國家競爭力的關鍵,如今在台日合作下,有望為業界提供可靠且完善的解方!由工研院與三菱電機公司簽署合作協議,雙方將攜手推動百萬瓦級功率轉換系統(Power Conversion System

在英飛凌(Infineon)於台北舉辦的 OktoberTech 活動中,汽車電子事業部資深副總裁 Hans Adlkofer指出,「汽車的產品生命週期往往長達十年以上,但軟體創新的速度卻以月為單位計算,兩者之間的矛盾,是SDV推動的第一大

國立清華大學動力機械工程學系李明蒼教授團隊成功開發出具備高彈性與低碳特性的「雷射低碳製造技術」,此技術鎖定光電半導體產品,預期將大幅縮短製程工序時間、降低材料成本,並為產業帶來顯著的綠色製造效益。 這項創新技術的亮點在於其獨特的雷射鍍膜及圖