投身車電領域的入門課：IGBT和SiC功率模組 (2023.05.19)
隨著2021年全球政府激勵政策和需求上升，正推動亞太、北美和歐洲地區的電動車市場穩步擴大。作為電能轉換的關鍵核心，IGBT和SiC模組極具市場潛力。…
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Microchip首款碳化矽MOSFET 可降低50%開關損耗 (2021.09.22)
隨著對電動公共汽車和其他電氣化重型運輸車輛的需求增加，以滿足更低的碳排放目標，基於碳化矽的電源管理解決方案正在為此類運輸系統提供更高效率。為了進一步擴充其廣泛的碳化矽MOSFET分離式和模組產品組合，Microchip推出一款全新 ”生產就…
u-blox新MAYA-W1模組 加速雙頻Wi-Fi 4和Bluetooth 5組合應用開發 (2021.03.17)
u-blox宣佈，推出專業級u-blox MAYA-W1 Wi-Fi 4和Bluetooth 5多重無線電模組。該模組採用NXP的IW416晶片，是專為各種快速成長的未來專業應用所量身打造，包括電源管理、電動車充電、專業設備、追?、車載資通…
ST先進IGBT專為軟切換優化而設計 可提升家電感應加熱器的效率 (2019.04.22)
意法半導體（STMicroelectronics）新推出之STGWA40IH65DF和STGWA50IH65DF 650V STPOWER IGBT兩款新產品能夠在軟切換電路中帶來最佳導通和切換性能，提升諧振轉換器在16kHz-60kHz切…
直流電源模組的介紹與應用 (2018.07.27)
人類的好奇心驅使對新科技的需求，而一個產品能夠成功的推出，除了靠優異的效能與扎實的內在功能性設計之外，產品外觀設計又攸關顧客的第一印象。在有限的產品空間中保持效能與增加功能性，這些產品訴求給了系統設計者很大的挑戰，尤其對電子產品的衝擊更大！…
英飛凌OptiMOS 5 150 V 可大幅降低導通電阻和逆向復原電荷 (2016.10.18)
【德國慕尼黑訊】為滿足高效率設計和應用的需求，英飛凌科技(Infineon) 推出OptiMOS 5 150 V 產品組合，進一步拓展OptiMOS 第五代功率 MOSFET系列。全新150 V系列特別針對需求低電荷、高功率密度同時具備高耐…
意法半導體650V IGBT可大幅提升20kHz功率轉換應用效能 (2015.07.23)
意法半導體（STMicroelectronics, ST）推出新款M系列 650V IGBT，為電源設計人員提供一個更快捷且經濟實惠的能效解決方案，適用於暖通空調系統（HVAC）馬達驅動器、不間斷電源、太陽能轉換器以及所有硬開關（hard-…
Mouser 供貨 Cree推出 1200V 高頻碳化矽半橋模組 (2013.06.14)
Mouser Electronics宣佈開始供應Cree 的 CAS100H12AM1，為業界第一款將 SiC MOSFET 與 SiC 蕭特基二極體 (Schottky diode) 結合至單一半橋封裝的產品。 Cree CAS100H1…
科銳的碳化矽功率 MOSFET為台達能源系統公司 (2013.04.25)
科銳公司(Nasdaq: CREE)與台達能源系統公司(Delta Energy Systems)共同宣佈成功達成太陽能逆變器(PV inverter)業內一項計畫，台達的新一代的太陽能轉換器將科銳的碳化矽(SiC)功率 MOSFET納入設…
Infineon推出第二代碳化矽蕭特基二極體 (2010.05.17)
英飛凌（Infineon）日前宣布推出採用TO-220 FullPAK封裝的第二代碳化矽（SiC）蕭特基二極體。全新的TO220 FullPak系列產品結合第二代ThinQ!碳化矽蕭特基二極體的高效能電氣標準以及完全絕緣的封裝優勢，無需使用…
Infineon推出新High Speed 3 IGBT產品 突破切換與效率的限制 (2010.05.13)
英飛凌（Infineon）日前推出600 V及1200V第三代高速型IGBT High Speed 3產品系列，特別適用於高頻率和硬式切換相關應用。這一系列的裝置為降低切換損失以及極優異效率立下了新的標竿，可適用於高達 100 kHz的拓樸…
深耕有成 英飛凌將持續強化節能技術 (2009.09.08)
英飛凌科技在九月初來臺舉辦媒體說明會，會中除了跟媒體朋友分享未來能源市場的相關趨勢外，同時也針對英飛凌的近況對大家提出相關的說明與分享英飛凌在電源管理上新一代的技術。其中則以英飛凌最新一代CoolMOS C6系列及應用來說明該公司對於提昇能…
深耕有成 英飛凌動能全世界 (2009.09.04)
英飛凌科技在台舉辦最新能源效率及節能技術趨勢記者會，就英飛凌近況及各類產品在市場上傲人的市佔率與媒體朋友們分享，會中針對日益受到重視的節能議題及技術發展作了詳盡的報告，並透過介紹英飛凌最新一代CoolMOS C6系列及應用，來說明英飛凌對提…
ST MDmesh V MOSFET 為終端產品帶來節能優勢 (2009.02.23)
意法半導體（ST）宣佈在功率MOSFET晶片的性能方面取得巨大突破，MDmesh V使得ST新一代的650V MOSFET，採用緊湊型功率封裝，可將RDS（ON）降到0.079Ω以下。這些產品的應用是鎖定以小尺寸和低能耗為訴求的功率轉換系統…
ADI發表具整合型隔離電源的隔離型閘極驅動器 (2008.05.02)
美商亞德諾公司（ADI），正式發表一款在單一封裝內就包含了隔離型電源與隔離型閘極驅動器的的隔離型半橋（half-bridge）閘極驅動器。同質性的產品像是光耦合器（optocoupler）隔離型閘極驅動器之類都需要個別隔離的電源供應。藉由整…
Vishay推出新系列半橋絕緣柵雙極型電晶體 (2008.03.17)
Vishay宣佈推出採用業界標準Int-A-Pak封裝的新系列半橋絕緣柵雙極型電晶體(IGBT)。該系列由八個600V及1200V器件組成，這些器件採用多種技術，可在標準及超快速度下實現高開關工作頻率。 此推出的八款新器件採用可滿足各種應用…
IR推出600V絕緣柵雙極電晶體(IGBT)系列 (2008.03.07)
國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR)推出600V絕緣柵雙極電晶體(IGBT)系列，能夠在最高3kW的不斷電系統(UPS)及太陽能轉換器，減少高達30%的功率耗損。 這款新特定應用元件利用IR最新一代的場…
TI發表新型定點數位訊號控制器 (2008.02.29)
嵌入式控制工程師雖然較偏好浮點架構的簡單程式設計，卻往往因成本太高而怯步。為了解決這個難題，德州儀器(TI)發表第一顆硬體與軟體皆能相容於高效能浮點數位訊號控制器(DSC)的定點數位訊號控制器。TMS320F282x系列數位訊號控制器兼具定…