搜尋

會員登入

搜尋

導覽

會員
廣告
廣告
類別:
關鍵字:

搜尋「奈米片」,共 35

imec的量測專家在本文帶領讀者探索深耕40年的晶圓廠量測與檢測技術,瞭解圖形化和元件創新歷史的四大時期,提供imec前瞻量測發展藍圖,其發展動力與多項重大挑戰相關,包含尺寸微縮和3D技術的興起,還有成本和永續發展需求。

imec的量測專家將在本文帶領讀者探索深耕40年的晶圓廠量測與檢測技術,瞭解圖形化和元件創新歷史的四大時期,同時提供imec的前瞻量測發展藍圖,其發展動力與多項重大挑戰相關,包含尺寸微縮和3D技術的興起,還有成本和永續發展的需求。

IBM今(25)日發表全球首見的次奈米(Sub-1nm)晶片技術,並採用革新性的0.7奈米電晶體架構,對於面臨傳統晶片尺寸縮放物理極限的半導體產業來說,具有里程碑意義,並導入電腦、家用電器、通訊設備、交通運輸系統和關鍵基礎設施等領域,發揮至

台積電(TSMC)於「2026年北美技術論壇」首度揭曉其最新的A13製程技術。作為A14製程的直接微縮版,A13透過奈米片(Nanosheet)電晶體技術提供更高的設計空間與能效,滿足AI、HPC及次世代行動通訊對運算效能的需求。 與前代A

隨著AI快速擴張,全球運算需求正以前所未有的速度成長。應用材料公司集團副總裁暨台灣區總裁余定陸表示,AI 終端市場的發展帶動了半導體產業加速成長,預期全球半導體產業營收在 2026 年就有機會達到 1 兆美元,時間點較先前預測更為提前。 余

應用材料公司推出全新的沉積、蝕刻及材料改質系統,能在2奈米及更先進節點提升尖端邏輯晶片效能。這些技術透過對最基本的電子元件——電晶體進行原子尺度改良,從而大幅提升AI的運算能力。 採用環繞式閘極電晶體是半導體產業的重要轉折,也是實現更高能源

根據產業調查顯示,台積電位於新竹寶山廠區的2奈米(N2)製程,試產良率已正式突破70%的大關。這一數據不僅遠超市場原先預期,更象徵著台積電在與三星、Intel 的次世代製程競賽中,已取得決定性的領先優勢。 台積電的 2 奈米製程被視為半導體

隨著 2026年智慧型手機與AI晶片邁入2 奈米(nm)元年,先進製程競賽全面升溫。供應鏈最新動向顯示,台積電位於新竹寶山與高雄的2奈米產線,在量產前夕即被核心客戶全面預訂,2026年產能幾近售罄。然而即便在「產能告急」與成本壓力並存的情況

迎接全球AI基礎建設熱潮,美商應用材料公司近日也發表最新半導體製造系統,將專注在3大關鍵領域,分別是環繞式閘極(GAA)、電晶體在內的前瞻邏輯製程、高頻寬記憶體(HBM)在內的高效能DRAM等。進而提升AI運算所需的先進邏輯與記憶體晶片效能

半導體產業必須重新定義「效能」:不再僅以每秒浮點運算次數(FLOPS)比較,而以每瓦特浮點運算(FLOPS/W)為核心指標。本文將從製程微縮、先進封裝、架構革新三個維度,深入剖析xPU的節能技術路線。

在全球半導體產業中,2奈米製程技術的發展正成為各大晶圓代工廠爭相追逐的焦點。台積電、三星和英特爾三大廠商,皆計劃在2025年實現2奈米製程的量產。 台積電在先進製程方面持續領先。台積電計劃在2025年下半年量產2奈米製程,並預計在2026年

在半導體製程技術的競賽中,2奈米製程成為各大廠商爭奪的下一個重要里程碑。台積電(TSMC)正在積極研發2奈米製程,於2024年開始試產,並計畫於2025年實現量產。台積電將在2奈米節點引入GAA(環繞柵極)奈米片晶體管技術,這是從傳統的Fi

五年多前,比利時微電子研究中心(imec)提出了半鑲嵌(semi-damascene)這個全新的模組方法,以應對先進技術節點銅雙鑲嵌製程所面臨的RC延遲增加問題。

IEEE spectrum日前精選了2024年最受歡迎的十大熱門半導體文章,作為回顧一整年的總結,同時也展望2025的新發展,以下就是其精選的內容: 1. 兆級電晶體GPU: 台積電預測十年內單個GPU將容納一兆個電晶體。 2. 微型超亮雷

台積電本週於舊金山舉行的IEEE國際電子元件會議(IEDM)上,發表了其下一代名為N2的2奈米電晶體技術,也是台積電全新的電晶體架構-環繞閘極(GAA)或奈米片(NanoSheet)。目前包含三星也擁有生產類似電晶體的製程,英特爾和台積電,

在本週舉行的 2024年IEEE國際電子會議(IEDM) 上,比利時微電子研究中心(imec)展示了一項突破性的技術創新:基於互補式場效電晶體(CFET)的雙列標準單元架構。這種設計採用了兩列CFET元件,並共用一層訊號佈線牆,成功實現製程

鍺的環保回收值得關注,特別是從電子廢棄物中回收鍺,提高回收率並降低成本,減少資源浪費降低環境負荷。此外,鍺近來在半導體先進製程中扮演要角,無疑也是一個值得重視和推進的方向。

奈米片技術在推動摩爾定律的進一步發展中扮演著關鍵角色。 儘管面臨圖案化與蝕刻、熱處理、材料選擇和短通道效應等挑戰, 然而,透過先進的技術和創新,這些挑戰正在逐步被克服。

於本周舉行的2024年IEEE國際超大型積體電路技術研討會(VLSI Symposium)上,比利時微電子研究中心(imec)首次展示了具備電性功能的CMOS互補式場效電晶體(CFET)元件,該元件包含採用垂直堆疊技術形成的底層與頂層源極/

在經濟部產業技術司支持下,今(23)日由工研院主辦的「2024國際超大型積體電路技術研討會(VLSI TSA)」已逾41年,今年更聚焦人工智慧(AI)帶來的科技革新,匯集國內外產官學研超過60位專家共襄盛舉,如英特爾、NVIDIA、台積電、