新世代記憶體大突破 臺灣團隊攻克SOT-MRAM材料瓶頸 (2025.09.26)
新型記憶體推進商用化，由材料科學與工程學系黃彥霖助理教授領導的研究團隊，攜手台積電、工研院、國家同步輻射研究中心、史丹佛大學及國立中興大學等國際頂尖夥伴，成功突破自旋軌道力矩磁阻式隨機存取記憶體（SOT-MRAM）的關鍵材料限制。這項成果不…
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高速運算平台記憶體爭霸 (2024.07.02)
各類AI應用的市場需求龐大，各種記憶體的競爭也異常的激烈，不斷地開發更新產品，降低成本，企圖向上向下擴大應用，只有隨時保持容量、速度與可靠度的優勢才是王道。…
紐約大學理工學院和法國CEA-Leti合作開發12吋晶圓磁性記憶體元件 (2024.06.25)
紐約州立大學理工學院(NYCREATES)和法國電子暨資訊技術實驗室(CEA-Leti)，宣布建立戰略研發夥伴關係，初期將聚焦於用於儲存電腦數據的磁性記憶體元件的研發，並將在300mm晶圓上進行生產。 第一個聯合研究項目旨在展示兩種新型記憶…
臺美半導體晶片合作計畫審查結果揭曉 共6件研究獲補助 (2023.07.02)
國科會(NSTC)與美國國家科學基金會(NSF)於去(111)年9月同步徵求2023-2026年臺灣-美國(NSTC-NSF)先進半導體晶片設計及製作國際合作研究計畫(Advanced Chip Engineering Design and…
工研院與陽明交大、清大發表新型磁性記憶體與110GHz超高頻技術 (2023.06.15)
工研院分別攜手國立陽明交通大學與國立清華大學，在全球半導體領域頂尖之「超大型積體技術及電路國際會議」（Symposium on VLSI Technology and Circuits）、IEEE國際微波會議（IEEE／MTT-S Inte…
NXP攜手台積電 推出16奈米車用嵌入式MRAM (2023.05.16)
恩智浦半導體（NXP Semiconductors N.V.）今（16）日宣布與台灣積體電路製造股份有限公司（TSMC）合作，推出業界首款採用16奈米（nm）鰭式場效電晶體（FinFET）技術的車用嵌入式磁阻式隨機存取記憶體（Magneti…
創新SOT-MRAM架構 提升新一代底層快取密度 (2023.04.17)
要將自旋軌道力矩磁阻式隨機存取記憶體（SOT-MRAM）用來作為底層快取（LLC），目前面臨了三項挑戰；imec在2022年IEEE國際電子會議（IEDM）上提出一套創新的SOT-MRAM架構，能夠一次解決這些挑戰。…
【vMaker Edge AI專欄 #03 】AI晶片發展歷史及最新趨勢 (2023.03.29)
想要玩邊緣智慧（Edge AI）前，我們首先要先認識什麼是類神經網路（NN）、深度學習（DL）及為什麼需要使用AI晶片，而AI晶片又有那些常見分類及未來可能發展方向。接下來就逐一為大家介紹不同類型的AI晶片用途及優缺點。…
工業儲存技術再進化！ (2022.08.26)
近年來，半導體先進製程微縮趨勢帶動下，加上AI人工智慧、5G與AIoT等科技加速推進，3C設備、智慧家電、智慧汽車、智慧城市到國防航太等領域都可以應用大量晶片記錄海量數據。…
工研院攜手台積、陽明交大 在VLSI發表頂尖磁性記憶體技術 (2022.06.15)
工研院在今（15）日宣布，與台積電合作開發世界前瞻的自旋軌道扭矩磁性記憶體（Spin Orbit Torque Magnetoresistive Random Access Memory；SOT-MRAM）陣列晶片；另外，工研院也攜手國立陽…
3D FeFET角逐記憶體市場 (2019.11.25)
愛美科技術總監Jan Van Houdt解釋FeFET運作機制，以及預測這項令人振奮的「新選手」會怎樣融入下一代記憶體的發展藍圖。…
給科技部的科研專案與人才培育計畫按個讚！ (2019.03.25)
長期以來，台灣的產學落差一直為人詬病，尤其是在取得博士後所進行的研究，常是為了教職升等和論文積分，在實際的產業應用上並無太多的成果，更遺憾的，是未能充分發揮這些博士人才的優勢，其實甚為可惜。而科技部長期投入經費用以培育人才與支持研究專案，近…
關注次世代嵌入式記憶體技術的時候到了 (2018.01.25)
次世代記憶體的產品，如FRAM，MRAM和RRAM，在物聯網與智慧應用的推動下，開始找到利基市場。…
物聯網與AI將推升次世代記憶體需求 (2017.12.25)
經過十多年的沉潛，次世代記憶體的產品，包含FRAM（鐵電記憶體），MRAM（磁阻式隨機存取記憶體）和RRAM（可變電阻式記憶體），在物聯網與智慧應用的推動下，開始找到利基市場。 2017年5月，台積電技術長孫元成首次在其技術論壇上，由發表了…
Aviza推出12吋晶圓級離子束沉積系統 (2008.11.14)
半導體設備及製程技術專業供應商Aviza，近日宣佈推出全球第一臺12吋晶圓級離子束沉積系統。第一臺系統已出貨至法國格勒諾伯市的歐洲領先電子學及自旋電子學應用研究中心CEA-LETI-MINATEC。 StratIon fxP將用於研發次世代…
南韓海力士半導體（Hynix Semiconductor）宣佈，該公司已經與新一代記憶體STT-RAM（Spin-Transfer Torque RAM）的技術開發商Grandis，簽訂了STT-RAM的技術授權及共同開發協議。根據協議內容…
檢視STT-RAM記憶體應用優勢 (2007.10.19)
旋轉力矩轉移隨機存取記憶體（STT-RAM）是一種透過自旋電流移轉效應所開發而出的新記憶體技術，屬於非揮發性記憶體的一種，其應用優勢包括無限次數的讀寫週期、低耗電，以及運算速度更快等，更適合嵌入式設計應用。本文將介紹STT-RAM記憶體之應用優勢。…
飛思卡爾推出商用MRAM技術 (2006.07.11)
飛思卡爾半導體發表首款商用磁阻式隨機存取記憶體(Magnetoresistive Random Access Memory, MRAM)元件，並已投入量產。 飛思卡爾的4百萬位元MRAM產品是一款耐用性極佳的高速非揮發性記憶體，這種高速且耐…
Cypress將出售MRAM事業部 (2005.02.17)
Cypress Semiconductor宣佈計畫售出旗下專門供應磁阻式隨機存取記憶體(Magnetic Random Access Memory, MRAM)的子公司Silicon Magnetic Systems (SMS)。Cypre…
誰將成為未來可攜式電子產品儲存明星？ (2004.11.04)
在可攜式電子產品功能逐漸多樣化的趨勢下，為迎合使用者保存與分享多媒體資訊的需求，尋找更高容量、更低耗電與更小體積的行動儲存技術成為一大挑戰；而究竟是哪一種技術能通過重重試煉、達成行動儲存的終極任務？本文將為讀者深入剖析。…