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搜尋「金屬導線」,共 51

於2025年國際光電工程學會(SPIE)光罩技術暨極紫外光微影會議(美國加州蒙特雷市)上,比利時微電子研究中心(imec)發表了兩項有關單次壓印極紫外光(EUV)微影的突破性進展:(1)間距為20奈米的導線圖形,包含與鑲嵌金屬化製程相關的1

想像一個沒有手機、網路或行動通訊的世界。一片苦於飢荒的大陸。一種神秘又致命的病毒,不受控制地傳播。

五年多前,比利時微電子研究中心(imec)提出了半鑲嵌(semi-damascene)這個全新的模組方法,以應對先進技術節點銅雙鑲嵌製程所面臨的RC延遲增加問題。

比利時微電子研究中心(imec)運算技術及系統/運算系統微縮研究計畫的資深副總裁(SVP)Steven Scheer探討imec與艾司摩爾(ASML)合建的High-NA EUV微影實驗室對半導體業的重要性。

比利時微電子研究中心(imec)與艾司摩爾(ASML)共同宣布,雙方於荷蘭費爾德霍溫合作開設的高數值孔徑極紫外光(high-NA EUV)微影實驗室正式啟用,為尖端的邏輯、記憶體晶片商以及先進的材料、設備商提供第一部高數值孔徑(high-N

面對當前國際半導體市場競爭加劇,應用材料公司也趁勢推出新式材料、技術和系統,將協助晶片製造商運用混合鍵合(hybrid bonding)及矽穿孔(TSV)技術,將小晶片整合至先進2.5D和3D封裝中,既提高其效能和可靠性,也擴大了應材在異質

於本周舉行的2023年IEEE國際內連技術會議(IITC)上,比利時微電子研究中心(imec)展示其實驗成果,首次證實導體薄膜的電阻在12吋矽晶圓上可超越目前業界使用的金屬導線材料銅(Cu)和釕(Ru)。例如,厚度為7.7奈米的鎳鋁二元合金

imec展示全球首次實驗示範採用18nm導線間距的雙金屬層半鑲嵌模組,強調窄間距自對準通孔的重要性,同時分析並公開該模組的關鍵性能參數,包含通孔與導線的電阻與可靠度。

英特爾近期於美國檀香山舉行的年度VLSI國際研討會,公布Intel 4製程的技術細節。相較於Intel 7,Intel 4於相同功耗提升20%以上的效能,高效能元件庫(library cell)的密度則是2倍,同時達成兩項關鍵目標:它滿足開

氮化鎵或氮化鋁鎵(AlGaN)的複合材料能提供更高的電子遷移率與臨界電場,結合HEMT的電晶體結構,就能打造新一代的元件與晶片。

imec將於本文回顧奈米片電晶體的早期發展歷程,並展望其新世代架構,包含叉型片(forksheet)與互補式場效電晶體(CFET)。

友達今日宣布,將於12月9至12日的「台北國際建築暨建材展」(Taipei Building Show 2021)中,首度展出兼具發電效能與美學設計,並結合智能微電網與儲能管理的SunBello美學光電建築整合解決方案,打造美感與永續的零耗

愛美科CMOS元件技術研究計畫主持人Naoto Horguchi、奈米導線研究計畫主持人Zsolt Tokei彙整各自的領域專長,將於本文一同呈現先進製程技術的發展藍圖。