imec突破鐵電記憶體技術 滿足AI時代海量資料與高密度需求 (2026.06.19)
本周2026年IEEE/JSAP超大規模積體電路（VLSI）技術與電路研討會上，比利時微電子研究中心（imec）發表了有關鐵電記憶體研究的兩大進展，鎖定鐵電電容器與鐵電場效電晶體（FET）這兩者作為實現低電壓運作和高密度記憶體整合的潛力方案…
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CEA-Leti首次展示22奈米FD-SOI節點 重新定位鐵電記憶體 (2024.12.11)
CEA-Leti工程師在IEDM論壇中首次展示了基於鉿鋯鐵電材料的可擴展電容平台，並將其整合到22奈米FD-SOI技術節點的後端製程(BEOL)中。這項突破性的成果代表了鐵電記憶體技術的重大進展，顯著提升了嵌入式應用程式的可擴展性，並將鐵電…
工研院VLSI TSA研討會登場 聚焦異質整合與小晶片、HPC、AI (2024.04.23)
在經濟部產業技術司支持下，今（23）日由工研院主辦的「2024國際超大型積體電路技術研討會（VLSI TSA）」已逾41年，今年更聚焦人工智慧（AI）帶來的科技革新，匯集國內外產官學研超過60位專家共襄盛舉，如英特爾、NVIDIA、台積電、…
台團隊實現二維材料鐵電電晶體 次世代記憶體內運算有望成真 (2024.02.21)
由臺灣師範大學物理系藍彥文教授與陸亭樺教授組成的聯合研究團隊，在鐵電材料領域取得了重大突破，開發出基於二維材料二硫化鉬的創新鐵電電晶體(ST-3R MoS2 FeS-FET)，厚度僅有1.3奈米，具備低操作電壓的鐵電材料半導體元件，解決了傳…
掌握鐵電記憶體升級關鍵 imec展示最新介面氧化技術 (2022.12.06)
於本周舉行的2022年IEEE國際電子會議（IEDM）上，比利時微電子研究中心（imec）展示了一款摻雜鑭（La）元素的氧化鉿鋯（HZO）電容器，成功取得1011次循環操作與更佳的電滯曲線（電場為1.8MV/cm時，殘留極化值達到30μC/…
領先全球！工研院研發28nm鐵電記憶體與記憶體內退火加速晶片 (2021.12.19)
工研院在美國舊金山的2021國際電子元件研討會(2021 IEDM)中，發表可微縮於28奈米以下的鐵電式記憶體，具高微縮性與高可靠度，唯一能同時達到極低操作與待機功耗的要求，未來更可應用在人工智慧、物聯網、汽車電子系統。 經濟部技術處表示，…
2021 VLSI聚焦記憶體內運算與AI晶片 台灣供應鏈優勢再現 (2021.04.20)
國際超大型積體電路技術研討會（VLSI）是台灣半導體產業的年度盛事，今（20）日在經濟部技術處的支持下2021 VLSI順利登場，今年焦點落在目前市場最熱門的AI晶片、新興記憶體、小晶片（chiplet）系統、量子電腦、半導體材料、生物醫學…
VLSI研討會：工研院看好新興記憶體與Chiplet興起 (2020.08.11)
由工研院主辦的半導體年度盛事「2020國際超大型積體電路技術研討會」（VLSI）於今（11）日登場，大會今年聚焦在最熱門的人工智慧(AI)、5G、量子電腦、生物電子醫學等相關技術發展與未來趨勢，並邀請到台積電、聯發科、IBM、Intel、N…
工研院於IEDM發表下世代FRAM與MRAM記憶體技術 (2019.12.10)
工研院於今美國舉辦的IEEE國際電子元件會議(International Electron Devices Meeting；IEDM)中發表三篇鐵電記憶體(Ferroelectric RAM；FRAM)以及三篇磁阻隨機存取記憶體（Magne…
3D FeFET角逐記憶體市場 (2019.11.25)
愛美科技術總監Jan Van Houdt解釋FeFET運作機制，以及預測這項令人振奮的「新選手」會怎樣融入下一代記憶體的發展藍圖。…
關注次世代嵌入式記憶體技術的時候到了 (2018.01.25)
次世代記憶體的產品，如FRAM，MRAM和RRAM，在物聯網與智慧應用的推動下，開始找到利基市場。…
物聯網與AI將推升次世代記憶體需求 (2017.12.25)
經過十多年的沉潛，次世代記憶體的產品，包含FRAM（鐵電記憶體），MRAM（磁阻式隨機存取記憶體）和RRAM（可變電阻式記憶體），在物聯網與智慧應用的推動下，開始找到利基市場。 2017年5月，台積電技術長孫元成首次在其技術論壇上，由發表了…
RS為更廣大開發者社群帶來NFC技術 (2015.03.17)
RS Components (RS) 公司宣佈，將自即日起推出 Panasonic NFC 標籤平台，讓近距離無線通訊（NFC）應用變得更容設計易且更容易存取，該平台擁有各種 NFC 積體電路組以及易於使用的開發工具。 新的NFC晶片在精巧…
TI推出高整合度NFC感測器轉發器 (2014.12.12)
符合ISO 15693標準的完全可編程設計13.56 MHz感測器轉發器整合超低功耗微控制器和非揮發性鐵電記憶體（FRAM） 德州儀器（TI）推出高靈活高頻13.56 MHz感測器轉發器系列。高整合度的超低功耗 RF430FRL15xH系統…
富士通半導體FRAM 鐵電記憶體 免費樣品申請活動 (2014.06.30)
香港商富士通半導體有限公司台灣分公司宣布攜手康淇科技股份有限公司推出富士通鐵電記憶體 (FRAM)免費樣品申請活動，本次活動主旨是讓更多的使用者了解並體驗富士通半導體高效能的FRAM系列產品，及其在智慧生活的相關應用。 隨著物聯網產業的發展…
TI：物聯網MCU功耗需達到μA等級 (2014.01.14)
物聯網這個議題其實已經有討論了不短的時間，而隨著穿戴式應用的興起加上諸多技術也來到了相對穩定而成熟的階段，因此吸引了不少廠商的投入。 TI（德州儀器）亞洲區市場開發經理陳俊宏表示，就他觀察，物聯網討論到現在，市場才開始進入成長階段，所以即便…
Ramtron開始供應高速串列F-RAM器件樣品 (2011.10.31)
Ramtron日前宣佈，已開始供應4-至64Kb串列非揮發性鐵電RAM（F-RAM）記憶體的預認證樣品，新產品於Ramtron在美國的新晶圓供應源以鐵電記憶體製程生產，具有1萬億次（1e12）的讀/寫週期、低功耗和無延遲（NoDelay）寫…
Ramtron推出64Kb串列F-RAM記憶體樣片 (2011.07.27)
低功耗鐵電記憶體（F-RAM) 和整合式半導體供應商Ramtron於近日共同宣佈，該公司最新鐵電隨機存取記憶體（F-RAM） 產品的樣片現已在IBM的新生產線生產。此一新產品FM24C64C是64 Kb、5V串列F-RAM器件，以匯流排速率…
針對奈米電子時代的非揮發性記憶體 (2010.02.02)
目前主流的基於浮閘快閃記憶體技術的非揮發性記憶體（NVM）技術有望成為未來幾年的參考技術。但是，快閃記憶體本身固有的技術和物理局限性使其很難再縮小技術節點。在這樣的環境驅使下，業界試圖運用新的材料和概念研發更好的記憶體技術，以替代快閃記憶體，並更有效地縮小記憶體，提高儲存效能。這篇文章將分析主要幾項基於無機材料的新非揮發性記憶體技術，如鐵電記憶體 (FeRAM)、磁阻記憶體(MRAM)和相變化記憶體(PCM)，以及主要的基於鐵電或導電開關聚合物等有機材料的創新記憶體概念。最後將重點式探討相變化記憶體技術，因為該技術最具發展為下一代非揮發性記憶體技術的潛力。…
Ramtron非揮發性狀態保存器通過汽車標準認證 (2009.05.21)
非揮發性鐵電記憶體(F-RAM)和整合式半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation宣佈，其兩款非揮發性狀態保存器(nonvolatile state saver)FM1105-GA和FM110…