英飛凌與華邦電子達成協議 出售NOR Flash及F-RAM業務 (2026.09.17)
英飛凌科技已與台灣全球半導體記憶體方案供應商華邦電子簽署最終協議，華邦電子將以全現金交易方式，收購英飛凌旗下的 NOR 快閃記憶體（NOR Flash）與 F-RAM（鐵電隨機存取記憶體）業務；在無現金與無負債的基礎上，該交易估值為 11.…
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突破記憶體密度瓶頸 CEA-Leti推出22奈米3D FeRAM (2026.06.16)
法國半導體研究機構CEA-Let日前於檀香山舉行的VLSI會議上，發表在22奈米製程節點上，利用創新的3D電容器架構展示了鐵電隨機存取記憶體（FeRAM）。解決了長期限制FeRAM密度的瓶頸，使其能與揮發性記憶體競爭。 研究團隊透過垂直整合…
SEMI：2026年第一季全球半導體製造設備銷售額年增14% (2026.06.15)
SEMI國際半導體產業協會日前公布最新「全球半導體設備市場報告」（WWSEMS；Worldwide Semiconductor Equipment Market Statistics）。報告指出，2026年第一季全球半導體製造設備銷售額達3…
AI投資推升半導體擴產需求 帶動Q1國內外設備營收創新高 (2026.06.11)
受惠於AI相關投資熱潮，帶動全球半導體製造商積極擴充產能，並推進技術升級。除了依SEMI國際半導體產業協會公布最新「全球半導體設備市場報告」（WWSEMS）報告指出，2026年Q1全球半導體製造設備銷售額達365.5億美元，較2025年同期…
imec展示首款3D電荷耦合元件 鎖定AI記憶體應用 (2026.05.13)
在類似3D NAND的架構內製造電荷耦合元件（CCD）的可行性有助於推動具備高成本效益的高位元密度記憶體方案，以應對AI特定工作負載所面臨的記憶體牆挑戰。…
DRAM供需缺口有解 估2027年供給量可望上修 (2026.01.19)
基於2025年下半年開始，ASIC和AI推論應用發展，分別帶動HBM3e、DDR5等需求，促使DRAM（動態隨機存取記憶體）供需缺口持續擴大，並推升整體DRAM利潤率。除了大廠積極擴充產能，期待能在2027年上修供給量外，也不忘持續開發新品…
德儀獲Weebit Nano授權ReRAM技術 推進新世代嵌入式處理晶片 (2025.12.29)
德州儀器(TI)與Weebit Nano日前正式宣佈，取得Weebit的電阻式隨機存取記憶體(ReRAM)技術授權。這項合作標誌著ReRAM技術正式進入全球主流大廠的先進製程，被視為取代系統單晶片(SoC)中傳統快閃記憶體(Flash)的重…
聯電推55奈米BCD平台 提升智慧手機、消費電子與車用電源效率 (2025.10.22)
聯華電子（UMC）推出55奈米Bipolar-CMOS-DMOS（BCD）平台，以滿足次世代行動裝置、消費電子、汽車及工業應用對高效能與低功耗電源管理晶片的需求。該平台整合類比、數位與電源功能於單一晶片上，可實現更小晶片面積、更低功耗與更佳…
新世代記憶體大突破 臺灣團隊攻克SOT-MRAM材料瓶頸 (2025.09.26)
新型記憶體推進商用化，由材料科學與工程學系黃彥霖助理教授領導的研究團隊，攜手台積電、工研院、國家同步輻射研究中心、史丹佛大學及國立中興大學等國際頂尖夥伴，成功突破自旋軌道力矩磁阻式隨機存取記憶體（SOT-MRAM）的關鍵材料限制。這項成果不…
南亞科攜鈺創合資5億成立AI記憶體設計公司 劍指邊緣運算 (2025.08.07)
台灣兩大記憶體廠南亞科技（Nanya Technology）與鈺創科技（Etron Technology）於今日共同宣布將合資新台幣5億元，成立一家專注於AI記憶體設計服務的新公司，將是搶攻AI邊緣運算市場商機的關鍵一步。 根據協議，新公司…
AI驅動記憶體革新 台積電與三星引領儲存技術搶攻兆元商機 (2025.06.29)
全球新興記憶體與儲存技術市場正快速擴張，而台積電、三星、美光、英特爾等半導體巨頭正與專業IP供應商合作，積極推動先進非揮發性記憶體解決方案的商業化。 過去兩年，相變記憶體 (PCM)、電阻式隨機存取記憶體 (RRAM) 和 自旋轉移矩磁阻式…
宜鼎於 Computex 2025 聚焦產業AI應用 (2025.05.16)
全球AI解決方案與工業級儲存領導品牌宜鼎國際（Innodisk）迎接成立二十週年，於COMPUTEX 2025以「Architect Intelligence」為核心，展出涵蓋記憶體與儲存、相機模組、擴充卡與AI平台的多元產品線，並整合打造…
創新3D緩衝記憶體 助力AI與機器學習 (2025.05.06)
imec的研究顯示，包含氧化銦鎵鋅（IGZO）傳導通道的3D整合式電荷耦合元件（CCD）記憶體是絕佳的潛力元件。…
Silicon Labs推出BG29可因應未來微型設備之低功耗藍牙無線SoC (2025.03.18)
Silicon Labs 芯科科技日前宣佈推出全新第二代無線開發平台產品BG29系列無線系統單晶片(SoC)，旨在為目前最小型的低功耗藍牙裝置在不影響性能下提供高運算能力和連線性。BG29非常適合目前最精巧低功耗藍牙應用如穿戴式健康和醫療裝…
imec採用High-NA EUV單次圖形化 展示20奈米金屬導線電性良率 (2025.03.04)
日前舉行的國際光電工程學會（SPIE）先進微影成形技術會議（Advanced Lithography and Patterning Conference）上，比利時微電子研究中心（imec）展示首次在20奈米間距金屬導線結構上取得的電性測試…
3D DRAM新突破！國研院聯手旺宏提升AI晶片效能 (2025.02.26)
國研院半導體中心與旺宏電子合作，成功開發「新型高密度、高頻寬3D動態隨機存取記憶體（3D DRAM）」，此技術突破傳統2D記憶體限制，採用3D堆疊技術，大幅提升記憶體密度與效能，且具備低功耗、高耐用度優勢，有助於提升AI晶片效能。 此新型3…
一粒沙，一個充滿希望的世界 (2025.02.21)
想像一個沒有手機、網路或行動通訊的世界。一片苦於飢荒的大陸。一種神秘又致命的病毒，不受控制地傳播。…
SOT-MRAM記憶體技術重大突破 有望改寫電腦快取架構 (2025.02.10)
德國約翰古騰堡大學（JGU）研究團隊攜手法國Antaios公司，在自旋軌道扭矩（SOT）磁性隨機存取記憶體（MRAM）技術上取得關鍵性進展。這項創新技術展現了取代現有電腦快取記憶體的潛力，為高效能運算開闢新道路。 SOT-MRAM以其卓越的…
成大半導體學院團隊研發新型光學仿生元件 為AI應用開創新視角 (2025.01.20)
台灣半導體先進技術不斷翻新，近日國立成功大學智慧半導體及永續製造學院教授李亞儒團隊研發出新型光學神經形態突觸元件，此元件基於全無機鈣鈦礦量子點，能夠高度整合感測、記憶與運算等功能，為鄰近感測計算技術發展開闢新局，可應用在自駕車導航、智慧製造…
Weebit Nano授權ReRAM技術給安森美半導體 (2025.01.02)
以色列記憶體技術開發商Weebit Nano Limited宣布，已將其電阻式隨機存取記憶體 (ReRAM) 技術授權給安森美半導體。 根據協議條款，Weebit ReRAM IP將整合到安森美半導體的Treo平台中，以提供嵌入式非揮發性記…