安森美:攻克AI資料中心電力挑戰 固態變壓器嶄露頭角 (2026.09.09)
人工智慧的快速發展使得資料中心電力基礎設施面臨急遽攀升的供電需求。 傳統配電系統以 400V 交流母線為基礎,並需經過多個轉換級降至低壓伺服器供電,正日益承受壓力。 為應對這些挑戰,產業正逐步轉向 800V 高壓直流 (HVDC) 架構。 …
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人工智慧的快速發展使得資料中心電力基礎設施面臨急遽攀升的供電需求。 傳統配電系統以 400V 交流母線為基礎,並需經過多個轉換級降至低壓伺服器供電,正日益承受壓力。 為應對這些挑戰,產業正逐步轉向 800V 高壓直流 (HVDC) 架構。 …
半導體製造商ROHM(總公司:日本京都市)開發出650V耐壓第4代IGBT*1,非常適用於車載電動壓縮機、HV加熱器以及工業設備用變頻器等應用。作為支援車載應用的650V等級產品,實現了業界頂級※低導通損耗VCE(sat)=1.55V,同時…
全球最新電子元件和工業自動化產品的授權代理商貿澤電子(Mouser Electronics) 即日起供貨安森美的最新授權產品和解決方案。貿澤提供超過22,000種授權元件可供訂購,包括超過17,000種的現貨庫存,隨時可出貨,並提供各式各樣…
全球最新電子元件和工業自動化產品的授權代理商貿澤電子(Mouser Electronics) 即日起供貨安森美的最新授權產品和解決方案。貿澤提供超過22,000種授權元件可供訂購,包括超過17,000種的現貨庫存,隨時可出貨,並提供各式各樣…
本文探討向分區控制的過渡、分區控制對電源管理的影響,以及確保下一代汽車系統安全、可靠和高效運作的關鍵保護策略。…
推動創新、領先業界的新產品導入 (NPI) 代理商™貿澤電子 (Mouser Electronics) 今天宣佈與NXP Semiconductors合作出版全新電子書,書中探討工業和汽車等系統的電氣化對於馬達控制技術進步與創新的高依賴度。…
本文探討綠氫的原理,並且展示如何運用功率組件,將環保能源的輸入轉換為具有產生綠氫所需特性的穩定電力輸出。…
Littelfuse公司推出低側SiC MOSFET和IGBT閘極驅動器IX4352NE,這款創新的驅動器專門設計用於驅動工業應用中的碳化矽(SiC)MOSFET和高功率絕緣柵雙極電晶體(IGBT)。IX4352NE的主要優勢在於其獨立的9…
電動壓縮機是電動汽車熱管理的核心部件,對電驅動系統的溫度控制發揮著重要作用,本文重點探討逆變電路ASPM模組方案。…
使用MOSFET作為理想二極體,能夠為新一代自動化電器提供穩健可靠的安全防護。…
近年來,在電路設計中使用電路模擬的機會越來越多,可運用的工具種類也琳瑯滿目。其中LTspice為具有代表性的電路模擬工具之一,電路模擬工具已成功嵌入功率元件,大幅提高設計便利性,其用戶包括學生到專業工程師等廣大族群。ROHM擴大了可支援電路…
三菱電機(Mitsubishi Electric)已獲得J-Power Transmission Network公司的合同,為該項目提供300MW電壓源換流器(VSC)高壓直流(HVDC)輸電設備靜岡縣濱松市的新佐久間變頻站。該系統預計將於…
隨著2021年全球政府激勵政策和需求上升,正推動亞太、北美和歐洲地區的電動車市場穩步擴大。作為電能轉換的關鍵核心,IGBT和SiC模組極具市場潛力。…
德州儀器(TI)推出一款高效、符合功能安全要求的絕緣式閘極驅動器,使工程師能夠設計出更有效率的牽引逆變器,將電動車(EV) 的行駛里程最大化。新式強化型絕緣式閘極驅動器 UCC5880-Q1 提供的整合功能使電動車動力系統工程師能夠提高功率…
安森美(onsemi)宣佈與德國大眾汽車集團 (VW)簽署策略協定,為大眾汽車集團的下一代平台系列提供模組和半導體元件,以實現完整的電動汽車 (EV) 主驅逆變器解決方案。安森美所提供的半導體將作為整體系統最佳化的一部分,形成能夠支援大眾車…
電動飛機(MEA)設計製造商希望將飛行控制系統從液壓轉換為電動,以減輕重量和設計複雜性。為了滿足航空應用對整合和可配置電源解決方案的需求,Microchip今(30)日推出一款全新的綜合性混合動力驅動模組,可減少開發時間和重量,這是全新電源…
恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.)宣佈推出全新S32K39系列車用微控制器(MCU),該系列MCU針對電動車(EV)控制應用進行最佳化。新一代S32K39 MCU的高速、高解析度控制可提升能效,在延長行駛里程的同…
意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST)推出具有新功能之64通道超音波發射器,使攜帶式高性能工業與醫療用儀器更加便利,影像畫質更加清晰。 現在的攜帶型掃描器的尺寸到幾乎等同於一台智慧型手機,且其影像畫質可媲美過去昂貴的大…
Transphorm宣布贏得一份美國能源部先進能源研究計畫署(ARPA-E)的合約。該專案是ARPA-E CIRCUITS計畫的一部分,透過與伊利諾理工學院的轉包合約展開,包括提供採用氮化鎵的四象限雙向開關管(FQS)。這些開關可用於多種電…
瑞薩電子(Renesas Electronics)宣布開發新一代矽絕緣柵雙極電晶體(Si-IGBT),以提供低功率損耗且小型的封裝。針對新一代電動汽車(EV)逆變器的AE5 IGBT將於2023年上半年開始在瑞薩位於日本那珂市工廠的200和…