深耕40年的晶圓廠量測與檢測：重大里程碑和未來發展 (2026.08.20)
imec的量測專家在本文帶領讀者探索深耕40年的晶圓廠量測與檢測技術，瞭解圖形化和元件創新歷史的四大時期，提供imec前瞻量測發展藍圖，其發展動力與多項重大挑戰相關，包含尺寸微縮和3D技術的興起，還有成本和永續發展需求。…
搜尋「電子顯微鏡」，共 90 筆
深耕40年的晶圓廠量測與檢測：重大里程碑和未來發展 (2026.08.11)
imec的量測專家將在本文帶領讀者探索深耕40年的晶圓廠量測與檢測技術，瞭解圖形化和元件創新歷史的四大時期，同時提供imec的前瞻量測發展藍圖，其發展動力與多項重大挑戰相關，包含尺寸微縮和3D技術的興起，還有成本和永續發展的需求。…
艾司摩爾、台積電與imec合作實現12吋晶圓整合創新 (2026.06.16)
於本周進行的2026年IEEE/JSAP超大規模積體電路（VLSI）技術與電路研討會上，比利時微電子研究中心（imec）攜手微影解決方案大廠艾司摩爾（ASML）與晶圓代工大廠台積電（TSMC），共同發表一套創新、穩健且可擴充的12吋晶圓整合…
低軌衛星收發機酬載測試挑戰 (2026.06.10)
非地面網路（NTN）的發展，象徵著人類通訊正式從「2D地表平面的覆蓋」，演進為「3D空天海全域的立體鏈結」。…
突破200奈米內連間距！imec攜手EV集團展示晶圓級異質接合技術 (2026.05.31)
於本周舉行的2026年IEEE電子元件與技術會議（ECTC）上，比利時微電子研究中心（imec）攜手EV集團（EVG）共同發表一項發展穩健且產量高的晶圓級異質接合技術，成功在一款具備可佈線內連導線的測試元件上展示200奈米的銅內連墊片間距。…
imec展示首款3D電荷耦合元件 鎖定AI記憶體應用 (2026.05.13)
在類似3D NAND的架構內製造電荷耦合元件（CCD）的可行性有助於推動具備高成本效益的高位元密度記憶體方案，以應對AI特定工作負載所面臨的記憶體牆挑戰。…
imec推動2D材料元件技術超越現有頂尖方案 促進未來邏輯技術發展 (2025.12.10)
於本周2025年國際電機電子工程師學會（IEEE）上，imec展示了包含單層二硒化鎢（WSe2）通道的p型場效電晶體（pFET）所具備的顯著性能升級，以及用於源極／汲極接點成形和閘極堆疊整合且與晶圓廠相容的改良版模組。這些研究成果透過ime…
AOI＋雷射一機整合！央大打造PCB殘膠檢測與修復全自動設備 (2025.11.26)
在高階印刷電路板（PCB）產業競逐良率與製程穩定性的時代，能否掌握關鍵檢測與修復設備的自主研發能力，正成為提升供應鏈韌性的重要指標。過去臺灣在PCB殘膠基板的瑕疵檢測與修補多仰賴國外設備，不僅成本高昂，也在維修與技術更新上受制於人。如今，由…
【SEMICON Taiwan】Renishaw彈性量測方案 提高製程每階段精度 (2025.09.11)
當半導體產業正逐步朝向先進封測方向演進，有志轉型跨入該領域的製程設備則面臨著精度、生產力和穩定性等挑戰。英國精密量測品牌大廠雷尼紹公司（Renishaw）也首度在SEMICON Taiwan 2025國際半導體大展的S7458攤位上，以「P…
[SEMICON Taiwan] Renishaw精密量測引領半導體製程革新 (2025.09.08)
全球精密工程與科學技術領導品牌 Renishaw 將於9月10日至12日參加SEMICON Taiwan國際半導體展，於南港展覽館二館四樓 S7458 攤位磅礡登場。本次以「Precision at every stage of semic…
揭密TGV製程中的隱形殺手：EBSD如何破解應力難題 (2025.08.14)
在材料分析領域裡，電子顯微鏡技術叫做EBSD。而在TGV製程中，晶粒排列與應力分布的微小差異，往往決定了產品的可靠度。…
解鎖新一代3D NAND快閃記憶體的垂直間距微縮 (2025.07.15)
3D NAND快閃記憶體的產品目前配有超過300層堆疊氧化層和字元線層，以滿足位元儲存能力方面的需求。imec正在開發兩項可在不犧牲記憶體運作和可靠度的情況下實現垂直間距微縮的關鍵技術：氣隙整合與電荷捕捉層分離。…
突破「繞射極限」台灣新技術讓光學顯微鏡看清奈米級神經世界 (2025.06.11)
傳統光學顯微鏡受限於「繞射極限」，難以窺探奈米尺度的微觀世界，而電子顯微鏡又無法觀察活體樣品。一項由中央研究院應用科學研究中心陳壁彰研究員團隊主導的突破性技術，成功將光學顯微鏡的解析度推向奈米級別，為神經科學研究開啟嶄新篇章。 這項名為「聚…
Micro LED成本難題未解 Aledia奈米線技術能否開創新局？ (2025.05.14)
高成本顯然是絆住Micro LED腳步的一顆大石頭，儘管被稱為終極顯示技術，但Micro LED的發展進程卻是不甚令人滿意，不僅市面上可見的產品與導入的設計寥寥可數，甚至原本看好的穿戴市場也未能順利展開。其主要的原因，就是它居高不下的生產成…
imec採用High-NA EUV單次圖形化 展示20奈米金屬導線電性良率 (2025.03.04)
日前舉行的國際光電工程學會（SPIE）先進微影成形技術會議（Advanced Lithography and Patterning Conference）上，比利時微電子研究中心（imec）展示首次在20奈米間距金屬導線結構上取得的電性測試…
半鑲嵌金屬化：後段製程的轉折點？ (2025.01.03)
五年多前，比利時微電子研究中心（imec）提出了半鑲嵌（semi-damascene）這個全新的模組方法，以應對先進技術節點銅雙鑲嵌製程所面臨的RC延遲增加問題。…
雙列CFET結構全新標準單元結構 推動7埃米製程 (2024.12.09)
在本週舉行的 2024年IEEE國際電子會議（IEDM） 上，比利時微電子研究中心（imec）展示了一項突破性的技術創新：基於互補式場效電晶體（CFET）的雙列標準單元架構。這種設計採用了兩列CFET元件，並共用一層訊號佈線牆，成功實現製程…
第26屆台法科技獎揭曉 表彰在分子生物學科研成果 (2024.11.28)
繼COVID-19疫情過後，關於流行病學研究備受重視。近日在台灣的國家科學及技術委員會（國科會）與法國法蘭西自然科學院（Academie des Sciences）共同頒發第26屆台法科技獎，便由中央研究院生物化學研究所副所長徐尚德博士及法…
HBM應用優勢顯著 高頻半導體測試設備不可或缺 (2024.08.27)
HBM技術將在高效能運算和AI應用中發揮越來越重要的作用。 儘管HBM在性能上具有顯著優勢，但在設計和測試階段也面臨諸多挑戰。 TSV技術是HBM實現高密度互連的關鍵，但也帶來了測試的複雜性。…
從觀察到分析都可以輕鬆、準確、快速、高效使用的儀器，逐漸成為現代人的需求。JEOL公司近日發佈新款Schottky Field Emission Scanning Electron Microscope JSM-IT810。JSM-IT81…