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搜尋「3D結構」,共 62

AI晶片持續拉升HBM需求,記憶體競爭正在由容量、頻寬與傳輸速度,進一步深入「良率工程(Yield Engineering)」。隨著HBM從8層、12層往16層堆疊發展,TSV、Micro-bump與Bonding結構更加密集,任何單層DR

第一篇探討AOI的「眼睛」與「感覺器官」,從人工檢查的限制著手,討論感測器、光學配置、3D量測及評估指標,強調AI視覺在工廠應用前需建立可重現、可比較和可追溯的事實層。

面對近年來半導體先進封測應用需求節節升高,就連上游材料變化也從傳統矽晶圓直到面板級封裝(PLP)的方形玻璃基板逐步演進,傳統檢測方法已無法應對新挑戰。台灣半導體設備製造及加工技術也隨之推陳出新,成敗關鍵便在於高密度 TGV(通孔)加工品質與

imec的量測專家在本文帶領讀者探索深耕40年的晶圓廠量測與檢測技術,瞭解圖形化和元件創新歷史的四大時期,提供imec前瞻量測發展藍圖,其發展動力與多項重大挑戰相關,包含尺寸微縮和3D技術的興起,還有成本和永續發展需求。

imec的量測專家將在本文帶領讀者探索深耕40年的晶圓廠量測與檢測技術,瞭解圖形化和元件創新歷史的四大時期,同時提供imec的前瞻量測發展藍圖,其發展動力與多項重大挑戰相關,包含尺寸微縮和3D技術的興起,還有成本和永續發展的需求。

為了探討AI時代的散熱轉型,本文特別採訪了新思科技,以及Cadence。從物理模擬與系統級分析的角度,剖析如何為新一代AI基礎建設打造最堅實的散熱後盾。

電流體動力(Electrohydrodynamic)噴印技術憑藉其超高解析度、廣泛的材料兼容性以及低成本優勢,正正式從實驗室研究邁向大規模工業化生產。最新研究綜述指出,透過參數優化、功能性墨水的流變設計以及系統架構的創新,EHD噴印已成功克

由麻省理工學院(MIT)衍生的新創公司Osmoses,近期推出一項突破性的聚合物膜技術,解決工業化學分離中長期依賴高溫加熱的低效問題。這項創新不僅能提升氣體分離的精確度,更能顯著降低能源消耗與碳排放,為重工業轉型提供關鍵技術支持。 傳統化學

基於全球供應鏈重組效應,經濟部近日發表其透過A+計畫,推動台灣與歐洲在科技研發合作上已邁入「拓展深化期」的豐碩成果,目前已與14國啟動研發徵案、5國簽署官方MOU,累計獲雙方政府補助的國合計畫達86項,其中獲政府補助14億元,成功帶動台廠創

宜特科技(3289)正式啟動次2奈米世代 ALD(Atomic Layer Deposition,原子層沉積)新材料選材與驗證服務,進一步延伸至化學材料端的選材、鍍膜測試與品質確認。此舉使宜特不僅扮演晶片驗證夥伴,更成為材料廠商開發新配方的

3D NAND快閃記憶體的產品目前配有超過300層堆疊氧化層和字元線層,以滿足位元儲存能力方面的需求。imec正在開發兩項可在不犧牲記憶體運作和可靠度的情況下實現垂直間距微縮的關鍵技術:氣隙整合與電荷捕捉層分離。

由於人工智慧(AI)等新興科技的快速發展,矽光子技術已成為推動產業升級的關鍵動能。SEMI國際半導體產業協會旗下矽光子產業聯盟(SEMI SiPhIA)近日也舉辦「矽光子前瞻論壇:SEMI矽光子產業聯盟SIGs啟動與技術交流」,宣布將正式啟

電子束成像一直是重要的檢測工具,可看到光學技術無法看到的微小缺陷。應用材料公司推出新的缺陷複檢系統,幫助半導體製造商持續突破晶片微縮的極限。應材的SEMVision H20系統將電子束(eBeam)技術結合先進的AI影像辨識,能夠提供更精準

Lam Research科林研發推出先進的導體蝕刻機台 Akara ─ 突破創新電漿蝕刻領域的效能。Akara 具備新穎的電漿處理技術,可實現 3D 晶片製造所需的卓越蝕刻精度和效能,助力晶片製造商克服面臨的關鍵微縮挑戰。 新型 Akara

HBM技術將在高效能運算和AI應用中發揮越來越重要的作用。 儘管HBM在性能上具有顯著優勢,但在設計和測試階段也面臨諸多挑戰。 TSV技術是HBM實現高密度互連的關鍵,但也帶來了測試的複雜性。

奈米片技術在推動摩爾定律的進一步發展中扮演著關鍵角色。 儘管面臨圖案化與蝕刻、熱處理、材料選擇和短通道效應等挑戰, 然而,透過先進的技術和創新,這些挑戰正在逐步被克服。

本次要介紹的產品,是來自SK海力士(SK Hynix)最新的一項記憶體產品,它就是目前全球最高層樹的「321層NAND快閃記憶體」。

Advanced Energy發佈下一代穩定和可重複的精密射頻功率電源系統,協助客戶在下一代半導體製造中擴大產出和收益。eVerest射頻訊號產生器專為埃米時代蝕刻和沉積製程所需的精確電漿控制而打造,能夠支援高度可配置的多階層功率脈衝,從而