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搜尋「Nand flash」,共 1103

AI帶動HBM、DRAM需求快速增加之際,成熟型記憶體市場也重新洗牌。華邦電子宣布以11.2億美元現金收購英飛凌NOR Flash與F-RAM事業100%股權,交易預計2027年下半年完成。收購範圍涵蓋車用、工業及基礎設施等市場,完成後將以

AI伺服器記憶體競爭正從HBM延伸至完整Memory/Storage Hierarchy。Kioxia 9月3日舉行技術說明會,提出AI時代NAND策略,依照不同工作負載配置低延遲XL-FLASH、TLC與高容量QLC,並透過CXL記憶體擴

受惠於消費性應用需求下修及高基期作用,根據TrendForce最新記憶體價格調查,2026年Q3整體DRAM格局持續極度緊阿,但合約價漲幅收斂,預計將季增13-18%。 其中NAND Flash主要需求,仍由AI推論與大型資料中心建置支撐。

基於2025年下半年開始,ASIC和AI推論應用發展,分別帶動HBM3e、DDR5等需求,促使DRAM(動態隨機存取記憶體)供需缺口持續擴大,並推升整體DRAM利潤率。除了大廠積極擴充產能,期待能在2027年上修供給量外,也不忘持續開發新品

世界半導體貿易統計(WSTS)最新公布數據顯示,2025 年上半年全球半導體市場持續展現強勁動能,總規模達到 3,460 億美元,較去年同期成長 18.9%。這一增幅不僅反映出人工智慧(AI)、高效運算與數據中心的需求持續攀升,也顯示全球科

隨著AI技術快速演進,資料中心儲存系統的需求正進入前所未見的高峰。從大型語言模型(LLM)訓練到即時推論應用,海量資料的生成、處理與存取對儲存基礎架構提出前所未有的挑戰。 首先,AI應用特別是在推論階段,對高吞吐量與低延遲的依賴極為強烈。企

3D NAND快閃記憶體的產品目前配有超過300層堆疊氧化層和字元線層,以滿足位元儲存能力方面的需求。imec正在開發兩項可在不犧牲記憶體運作和可靠度的情況下實現垂直間距微縮的關鍵技術:氣隙整合與電荷捕捉層分離。

建興儲存科技推出SSSTC CVD系列SATA SSD,專為高頻率、長時間連續寫入應用打造,適用於影像錄影、電視錄影、監控系統、視訊製作、影音串流、車載影像、邊緣感測、工業數據紀錄等對寫入效能穩定性與耐用性有高度需求的場景。 當未經優化的S

自2012年樹莓派(Raspberry Pi, RPi)單板電腦推出以來,就一直有個默契性的官宣價格天花板,但這個天花板在2019年第四代樹莓派(RPi 4)推出後被打破,開始有45美元、55美元官宣價的型款。

HBM技術將在高效能運算和AI應用中發揮越來越重要的作用。 儘管HBM在性能上具有顯著優勢,但在設計和測試階段也面臨諸多挑戰。 TSV技術是HBM實現高密度互連的關鍵,但也帶來了測試的複雜性。