自旋電子結構可實現更高儲存密度 未來或將改變記憶體與運算產業 (2026.02.10)

在全球持續尋求突破傳統電子元件極限的背景下，最新發布的《2026 Skyrmionics Roadmap》研究報告，為下一代計算與儲存技術勾勒出一幅極具前景的藍圖。報告指出，一種名為拓撲自旋結構（skyrmions）的微小磁性結構，正成為自…

革新快閃記憶體邁出下一步 (2008.11.05)

市場對於主流非揮發性記憶體、特別是NAND Flash獨立儲存應用仍有廣大需求動能，短期內市場對NAND Flash及SSD的發展規模漸趨保守，長期發展前景仍舊維持審慎樂觀。NAND Flash在奈米微縮可擴充能力（Scalability）、儲存覆寫次數耐久性（Endurance）和資料保存能力（Data Retention）的侷限，使其面臨技術上和經濟上必須革新的關鍵。PCM、Racetrack、RRAM和MRAM等下一步非揮發性記憶體在技術上已有明顯進展，改善SSD儲存效能的解決方案也不斷推陳出新，Flash Memory大廠與研究單位正採取集中合作研發的投資模式，期盼進一步再造非揮發性記憶體技術應用高峰！…

IBM成功開發自旋電子Racetrack Memory (2008.04.22)

IBM正式發表自旋電子技術的新型非揮發性記憶體Racetrack Memory。據了解，這種記憶體同時具備高性能、高穩定性等半導體優點，以及成本低、容量大等硬碟的特色。IBM表示，Racetrack Memory可在行動終端上儲存50萬首樂…