Nexperia新款1200 V SiC 蕭特基二極體適用於高功率密集基礎設施 (2025.07.11)
Nexperia宣布推出兩款1200V、20A碳化矽（SiC）蕭特基二極體—PSC20120J與PSC20120L，專為高功率密集型基礎設施設計，目標應用涵蓋AI伺服器叢集、電信設備與太陽能逆變器等對能效要求極高的電源系統。 新產品採用具備…
搜尋「Schottky」，共 149 筆
英飛凌CoolSiC蕭特基二極體2000 V直流母線電壓最高可達1500 VDC (2024.10.28)
許多工業應用如今可以透過提高直流母線電壓以求功率損耗最低時，也朝向更高的功率水準。因應此需求，英飛凌科技（Infineon）推出CoolSiC蕭特基二極體2000 V G5，這是市面上首款擊穿電壓達到2000 V的分立式SiC二極體，適用於…
從觀察到分析都可以輕鬆、準確、快速、高效使用的儀器，逐漸成為現代人的需求。JEOL公司近日發佈新款Schottky Field Emission Scanning Electron Microscope JSM-IT810。JSM-IT81…
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二極體 (2024.07.01)
威世科技（Vishay Semiconductors）推出16款新型第三代1200 V碳化硅（SiC）肖特基二極體。Vishay器件採用混合PIN 肖特基（MPS）結構設計，具有高浪湧電流保護能力，低正向壓降、低電容電荷和低反向漏電流，有助…
Nexperia汽車級肖特基二極體採用R2P DPAK 封裝 (2024.06.11)
Nexperia宣布650V、10A 碳化矽（SiC）肖特基二極管現已通過汽車認證PSC1065H-Q，並採用真正的雙引腳（R2P） DPAK （TO -252-2）封裝，適合於電動車和其他汽車的各種應用。此外，為了擴展 SiC 二極體產品…
Diodes推出首款極小DSN1406 2A 封裝的肖特基整流器 (2024.03.21)
Diodes 公司發佈特基整流器系列，包括SDT2U30CP3 (30V/2A)、SDT2U40CP3 (40V/2A) 和 SDT2U60CP3 (60V/2A) ，在同級產品中實現了極高的電流密度，以低順向壓降和熱阻的特性，為體積更小且…
新一代單片式整合氮化鎵晶片 (2022.05.05)
氮化鎵或氮化鋁鎵（AlGaN）的複合材料能提供更高的電子遷移率與臨界電場，結合HEMT的電晶體結構，就能打造新一代的元件與晶片。…
Diodes推出超小型CSP蕭特基整流器 可節省電路板空間 (2022.05.04)
Diodes公司（Diodes）宣布推出一系列以超小型晶片級封裝（CSP）的高電流蕭特基（Schottky）整流器，SDM5U45EP3（5A、45V）、SDM4A40EP3（4A、40V）及SDT4U40EP3（4A、40V）達到業界同級…
Littelfuse新增1700 V碳化矽蕭特基阻障二極體提供更快和低損耗開關 (2021.08.17)
Littelfuse公司今（17）日宣佈擴充其碳化矽（SiC）二極體產品組合，新增1700 V級產品適用於資料中心、建築物自動化和其他高功率電子應用。LSIC2SD170Bxx系列碳化矽蕭特基二極體採用TO-247-2L封裝，可選擇額定電流…
電源元件市場高成長 激化品牌創新與縱橫合作 (2020.12.02)
再生能源、智慧運算與無線互聯的科技願景當前，尋獲最適的新興材料、元件架構與系統設計，成為全球電源元件供應大廠爭相追求的火種—迸發創新的束束火光，已然在全球前沿電力電子市場發散熱力。…
Microchip推出最新車用700和1200V碳化矽蕭特基二極體 (2020.10.29)
汽車電氣化浪潮正席捲全球，電動汽車搭載的馬達、車載充電器和DC/DC轉換器等高壓汽車系統都需要碳化矽（SiC）等創新電源技術。Microchip今日宣佈推出最新通過認證的700和1200V碳化矽（SiC）蕭特基二極體（SBD）功率元件，為電…
Toshiba Launches 1200V Silicon Carbide MOSFET That Contributes to High-efficiency Power Supply (2020.10.19)
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation has launched “TW070J120B,” a 1200V silicon carbide (SiC) MOSFET for ind…
Mitsubishi Electric to Launch Second-generation Full-SiC Power Modules for Industrial Use (2020.09.15)
Mitsubishi Electric Corporation announced today its coming launch of second-generation full-SiC (silicon carbide) power …
Low-Profile Surface-Mount Schottky Diodes from STMicroelectronics Boost Power Density and Efficiency (2020.08.24)
STMicroelectronics has launched 26 new Schottky diodes in low-profile SMA and SMB Flat packages, covering voltage rating…
Nexperia Delivers Widest Range of AEC-Q101 Discretes in Miniature, Leadless Rugged DFN Packages (2020.06.23)
Nexperia announced the industry’s widest portfolio of automotive-qualified discretes in space-saving, thermally-efficien…
綠能重大突破！台灣研究團隊開發新型光電化學製氫技術 (2020.02.12)
在科技部「尖端晶體材料開發及製作計畫」長期的支持下，由臺灣大學陳俊維教授，臺灣科技大學黃炳照教授與東海大學王迪彥教授所組成之跨校際之「新世代能源研究團隊」，最近在再生潔淨能源相關之研究，「利用太陽能轉換氫能」 相關議題，有重大之突破：研發出…
新款200V耐壓蕭特基二極體有效降低功耗並實現小型化設計 (2019.08.27)
近年來，在48V輕度混合動力驅動系統中，將馬達和週邊零件集中在一個模組內的「機電一體化」已成為趨勢，而能夠在高溫環境下工作的高耐壓、高效率超低IR[1]蕭特基二極體[2]（簡稱SBD）之需求也日益增加。另一方面，在傳統使用150V產品的系統…
解決7奈米以上CMOS的接觸電阻挑戰 (2019.06.11)
隨著新型鈦矽化技術的發展，來自愛美科（imec）的博士生Hao Yu，介紹了改進源/汲極接觸方案，這將能解決先進CMOS技術接觸電阻帶來的挑戰。…
安森美半導體將於歐洲PCIM 2019推出新款IGBT產品 (2019.04.30)
安森美半導體（ON Semiconductor）將於5月7日開始的德國紐倫堡歐洲PCIM 2019展會推出新的基於碳化矽（SiC）的混合IGBT和相關的隔離型大電流IGBT門極驅動器。 AFGHL50T65SQDC採用最新的場截止IGBT和…
Littelfuse Announces 1700V, 1 Ohm SiC MOSFET (2018.09.25)
Littelfuse introduced its first 1700V SiC MOSFET, the LSIC1MO170E1000, expanding its portfolio of SiC MOSFET devices. An…