Tower Semiconductor(高塔半导体)14日与日本经济产业省(METI)宣布,於日本启动扩产计画,预计总投资金额30亿美元(约合新台币970亿元,其中包含日本政府提供之10亿美元补贴专案),瞄准300mm矽光子、矽诌制程以及次世代先进光学封装产能。
此次扩产聚焦在把新泻县妙高市的原Arai厂(Fab 6)全面改建为高规格 300mm矽光子与先进光学封装中心,同时增加富山县鱼津市的Fab 7产能。此项制程将提供数倍成长的矽光子与矽诌晶圆代工能量。
另一方面,近期联电也宣布与矽光子新创SILITH合作取得重大突破,其新加坡12寸晶圆厂已成功交付首批量产的矽光子晶圆。联电也预计於2027年推出自有的12寸矽光子平台,以利更多客户进行产品开发与量产导入。
...
...
| 另一名雇主 | 限られたニュース | 文章閱讀限制 | 出版品優惠 |
| 一般使用者 | 10/ごとに 30 日間 | 0/ごとに 30 日間 | 付费下载 |
| VIP会员 | 无限制 | 25/ごとに 30 日間 | 付费下载 |

