恆憶(Numonyx)日前發表了業界首款採用45奈米製程的MLC NOR快閃記憶體樣本。該技術不但為客戶提供高度的產品升級彈性和可靠度外，更大幅提高恆憶記憶體產品效能。
這款45奈米，容量達1 GB的單石(monolithic)元件，是基於Numonyx StrataFlash 記憶體架構，與恆憶目前量產的65奈米 NOR快閃記憶體晶片接腳相容。產品架構的相容性和升級彈性可協助手機OEM廠大幅降低開發成本，延長現有產品平台的生命週期，利用大容量儲存和速度更快的記憶體立即執行 (execute-in-place)功能，加速新產品上市時程。與上一代產品相比，新技術將資料寫入速度可提高 50% 。
此外，新產品採用新的自對準接觸(SAC)，不僅維持與過去產品的相容性並兼顧高度可靠性和產品品質，同時使恆憶NOR快閃記憶體產品得以不斷升級。
恆憶技術長Ed Doller指出，手機記憶體市場還有很大的成長空間，且市場對高容量、低成本的非揮發性NOR快閃記憶體的需求仍是持續成長。恆憶克服了技術升級的主要限制，透過新製程技術的開發，以最先進的 45 奈米技術製造第 7 代MLC NOR快閃記憶體，率先提供客戶最佳的成本與效能優勢。
目前恆憶正在針對特定的容量與數量進行新產品抽樣，並預計在今年推出採用這項技術的產品，最快將在2010年開始量產。同時恆憶更計畫將此項技術應用至所有的嵌入式快閃記憶體解決方案，把升級彈性架構的效能優勢、穩定性和可靠性擴展到主要嵌入式市場。
