Vishay推出17款新型功率MOSFET，這些器件採用小型PowerPAK 1212-8封裝，並且具有低至3.7mΩ的超低導通電阻值。這些TrenchFET第二代器件實現了巨大的空間節約，它們的尺寸僅為3.3毫米×3.3毫米×1毫米，僅是SO-8封裝的1/3，並且它們還具有不足2°C/W的低熱阻，這一熱阻值比SO-8器件低8倍。
這些新型功率MOSFET主要面向用於資料通信系統的負載點(POL)轉換器及高密度直流到直流轉換器中的同步整流、同步降壓及中間開關應用，它們可使設計人員極大減少板面空間以及/或提高功能，同時性能毫不遜色。憑藉它們出色的電氣性能，這些功率MOSFET可作為眾多應用中SO-8器件的可行替代產品。
12V至40V單N通道器件在4.5V柵極驅動時的導通電阻值範圍介於3.7mΩ～10mΩ，它們包括12V Si7104DN；20V Si7106DN、Si7108DN及Si7110DN；30V Si7112DN及Si7114DN，以及40V Si7116DN。雙N通道器件具有低至36mΩ的導通電阻值，它們包括30V Si7212DN與Si7214DN、40V Si7222DN，以及60V Si7220DN。日前推出的單通道 60V Si7120DN、75V Si7812DN、150V Si7818DN、220V Si7302DN及250V Si7802DN採用PowerPAK 1212-8封裝。在10V柵極驅動時，這些器件的導通電阻值範圍介於135mΩ～435mΩ。該公司先前推出了200V Si7820DN。
