AI資料中心持續擴建，全球記憶體供應緊張已從HBM擴散至一般DRAM與NAND，並開始影響手機、PC產品設計。路透指出，部分中小型手機與筆電業者正為可能延續至2027年甚至更久的記憶體短缺預做準備，除了提前下單，也開始修改主機板與產品規格，以提高不同記憶體料號的替代彈性。
這波缺貨與過往景氣循環最大的差異，在於AI正在結構性重新分配記憶體晶圓產能。Samsung、SK hynix與Micron優先把資源投入高頻寬記憶體（HBM）及伺服器DDR5等高附加價值產品，使一般PC、手機使用的DDR、LPDDR及NAND可取得產能受到壓縮。IDC指出，AI資料中心需要的記憶體容量遠高於消費電子，使全球有限的無塵室、晶圓產能與資本支出逐漸向AI基礎設施傾斜。
消費電子迎來記憶體供應壓力，而供應壓力已開始改變終端產品策略。
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若從AI伺服器拆解，GPU／ASIC旁需要HBM提供高速資料交換，CPU配置大容量DDR5，模型、資料集與Checkpoint則需要Enterprise SSD及NAND承接。換言之，AI需求並非只「吃HBM」，而是沿著HBM→DDR5→Enterprise SSD／NAND全面吸收Memory Wafer。
供應壓力已開始改變終端產品策略。部分中低價手機的記憶體成本占物料成本比重明顯升高，規模較小的品牌甚至必須重新設計主機板、測試替代來源，避免因單一記憶體規格缺貨而無法出貨。
對於台灣供應鏈的影響，將會由記憶體模組向PC ODM、手機零組件、工業電腦及Edge AI設備擴散。下一階段觀察重點不是DRAM價格本身，而是三星、SK hynix與Micron如何重新配置晶圓投片，以及中國記憶體新增產能能否填補一般型DRAM與NAND缺口。AI記憶體競爭已從HBM單一產品，進入全球Memory Wafer重新分配的第二階段。
